Яңалыклар
-
LiTaO3 Wafer PIC - Он-Чип сызыксыз фотоника өчен аз югалткан Литий Танталат-на-изолятор дулкыны.
Аннотация: Без 1550 нм изолятор нигезендә литий танталат дулкын саклагычын эшләдек, 0,28 дБ / см югалту һәм 1,1 миллион шакмак резонатор сыйфаты факторы. Line (3) сызыксыз фотоникада сызыксызлыкның кулланылышы өйрәнелде. Литий ниобатның өстенлекләре ...Күбрәк укыгыз -
XKH-Белемнәрне бүлешү - Вафер бәяләү технологиясе нәрсә ул?
Вафер бәяләү технологиясе, ярымүткәргеч җитештерү процессында критик адым буларак, чип җитештерүчәнлеге, уңыш һәм җитештерү чыгымнары белән турыдан-туры бәйләнгән. # 01 Вафер бәяләүнең фоны һәм әһәмияте 1.1 Вафер бәяләү төшенчәсе Вафер бәяләү (шулай ук скри дип тә атала ...Күбрәк укыгыз -
Нечкә фильм литий танталаты (LTOI): Speгары тизлекле модульаторлар өчен киләсе йолдыз материалы?
Нечкә фильмлы литий танталат (LTOI) материал интеграль оптика өлкәсендә мөһим яңа көч булып барлыкка килә. Быел LTOI модульаторларында берничә югары дәрәҗәдәге әсәр дөнья күрде, югары сыйфатлы LTOI ваферлары Шанхай Инс профессоры Син Оу тарафыннан бирелгән ...Күбрәк укыгыз -
Вафер җитештерүдә SPC системасын тирәнтен аңлау
SPC (Статистик процесслар белән идарә итү) - вафер җитештерү процессында мөһим корал, җитештерүнең төрле этапларының тотрыклылыгын күзәтү, контрольдә тоту һәм яхшырту өчен кулланыла. 1. SPC системасы турында гомуми күзәтү - sta кулланган ысул ...Күбрәк укыгыз -
Ни өчен эпитакси вафер субстратта башкарыла?
Кремний вафер субстратында кремний атомнарының өстәмә катламын үстерү берничә өстенлеккә ия: CMOS кремний процессларында, вафер субстратында эпитаксиаль үсеш (EPI) критик процесс адымы. 1 cry Кристалл квалификациясен яхшырту ...Күбрәк укыгыз -
Ваферны чистарту өчен принциплар, процесслар, ысуллар, җиһазлар
Дымны чистарту (дымлы чиста) - ярымүткәргеч җитештерү процессындагы критик адымнарның берсе, вафин өслегеннән төрле пычраткыч матдәләрне чыгаруга юнәлтелгән, алдагы процесс адымнары чиста өслектә башкарылсын өчен. ...Күбрәк укыгыз -
Кристалл самолетлар һәм кристалл ориентациясе арасындагы бәйләнеш.
Бәллүр самолетлар һәм кристалл ориентациясе кристаллографиядә ике төп төшенчәләр, кремний нигезендә интеграль челтәр технологиясендә кристалл структурасы белән тыгыз бәйләнгән. 1. Бәллүр юнәлешнең төшенчәсе һәм үзенчәлекләре Бәллүр ориентация билгеле бер юнәлешне күрсәтә ...Күбрәк укыгыз -
Пыяла аша (TGV) һәм Кремний аша, TSV (TSV) процессларының TGV over өстенлекләре нинди?
Пыяла аша (TGV) һәм Кремний аша (TSV) процессларның TGV өстендә өстенлекләре нигездә: (1) югары ешлыклы электр характеристикалары. Пыяла материал - изолятор материалы, диэлектрик тотрыклы кремний материалының 1/3 өлеше, югалту факторы 2 -...Күбрәк укыгыз -
Conductткәргеч һәм ярым изоляцияләнгән кремний карбид субстрат кушымталары
Кремний карбид субстраты ярым изоляцион төргә һәм үткәргеч төргә бүленә. Хәзерге вакытта ярым изоляцияләнгән кремний карбид субстрат продуктларының төп спецификасы 4 дюйм. Condткәргеч кремний карбид ма ...Күбрәк укыгыз -
Төрле кристалл юнәлешле сапфир ваферларын куллануда да аермалар бармы?
Сапфир - алуминаның бер кристалл, өчьяклы кристалл системасына керә, алты почмаклы структура, аның кристалл структурасы өч кислород атомыннан һәм ковалент бәйләнеш тибындагы ике алюминий атомыннан тора, бик тыгыз урнаштырылган, ныклы чылбыр һәм такталы энергия белән, шул ук вакытта кристалл инте ...Күбрәк укыгыз -
SiC үткәргеч субстрат белән ярым изоляцияләнгән субстрат арасында нинди аерма бар?
SiC кремний карбид җайланмасы чимал буларак кремний карбидтан ясалган җайланманы аңлата. Төрле каршылык үзенчәлекләре буенча, ул үткәргеч кремний карбид электр җайланмаларына һәм ярым изоляцияләнгән кремний карбид RF җайланмаларына бүленә. Төп җайланма формалары һәм ...Күбрәк укыгыз -
Мәкалә сезне TGV остасы алып бара
Нәрсә ул TGV? TGV; fl ...Күбрәк укыгыз