Кремний карбиды субстраты ярымизоляцияле һәм үткәргечле төрләргә бүленә. Хәзерге вакытта ярымизоляцияле кремний карбиды субстраты продуктларының төп спецификациясе 4 дюйм. Үткәргеч кремний карбиды базарында хәзерге төп субстрат продукт спецификациясе 6 дюйм.
РФ өлкәсендәге өстәмә кулланулар аркасында, ярымизоляцияләнгән SiC субстратлары һәм эпитаксиаль материаллар АКШ Сәүдә министрлыгы тарафыннан экспорт контроленә дучар ителә. Ярымизоляцияләнгән SiC субстрат буларак GaN гетероэпитаксиясе өчен өстенлекле материал булып тора һәм микродулкынлы өлкәдә мөһим куллану перспективаларына ия. Сапфир 14% һәм Si 16,9% кристалл туры килмәүчәнлеге белән чагыштырганда, SiC һәм GaN материалларының кристалл туры килмәүчәнлеге нибары 3,4% тәшкил итә. SiC-ның ультра югары җылылык үткәрүчәнлеге белән берлектә, аның тарафыннан әзерләнгән югары энергия нәтиҗәлелеге LED һәм GaN югары ешлыклы һәм югары куәтле микродулкынлы җайланмалар радар, югары куәтле микродулкынлы җиһазлар һәм 5G элемтә системаларында зур өстенлекләргә ия.
Ярымизоляцияләнгән SiC субстратын тикшерү һәм эшләү һәрвакыт SiC монокристалл субстратын тикшерү һәм эшләүнең игътибар үзәгендә булды. Ярымизоляцияләнгән SiC материалларын үстерүдә ике төп кыенлык бар:
1) Графит тигеле, җылылык изоляциясе адсорбциясе һәм порошок составында легирлау ярдәмендә кертелгән азот доноры катнашмаларын киметү;
2) Кристаллның сыйфатын һәм электр үзлекләрен тәэмин иткәндә, электр активлыгы белән калдык сай дәрәҗәдәге катнашмаларны компенсацияләү өчен тирән дәрәҗәдәге үзәк кертелә.
Хәзерге вакытта ярымизоляцияле SiC җитештерү куәтенә ия җитештерүчеләр, нигездә, SICC Co, Semisic Crystal Co, Tanke Blue Co, Hebei Synlight Crystal Co., Ltd. компанияләре.
Үткәргеч SiC кристалы үсә торган атмосферага азот кертү юлы белән алына. Үткәргеч кремний карбиды субстраты, нигездә, югары вольтлы, югары токлы, югары температуралы, югары ешлыклы, түбән югалтулы һәм башка уникаль өстенлекле кремний карбиды көч җайланмаларын җитештерүдә кулланыла, кремний нигезендәге көч җайланмаларының энергияне үзгәртү нәтиҗәлелеген куллануны шактый яхшыртачак, нәтиҗәле энергияне үзгәртү өлкәсенә зур һәм киң йогынты ясый. Төп куллану өлкәләре - электр транспорт чаралары/зарядка свайлары, фотоэлектрик яңа энергия, тимер юл транзиты, акыллы челтәр һ.б. Үткәргеч продуктларның аскы агымы, нигездә, электр транспорт чаралары, фотоэлектрик һәм башка өлкәләрдәге көч җайланмалары булганлыктан, куллану перспективасы киңрәк, һәм җитештерүчеләр саны күбрәк.
Кремний карбиды кристалл төре: Иң яхшы 4H кристалллы кремний карбидының типик структурасын ике категориягә бүлеп була, берсе - сфалерит структурасының кубик кремний карбиды кристалл төре, 3C-SiC яки β-SiC дип атала, икенчесе - зур период структурасының алты почмаклы яки алмаз структурасы, ул 6H-SiC, 4H-sic, 15R-SiC һ.б. өчен типик, бергәләп α-SiC дип атала. 3C-SiC җитештерү җайланмаларында югары каршылык өстенлегенә ия. Ләкин Si һәм SiC решетка константалары һәм җылылык киңәю коэффициентлары арасындагы югары туры килмәү 3C-SiC эпитаксиаль катламында күп санлы кимчелекләргә китерергә мөмкин. 4H-SiC MOSFET җитештерүдә зур потенциалга ия, чөнки аның кристалл үсеше һәм эпитаксиаль катлам үсеше процесслары яхшырак, һәм электроннарның хәрәкәтчәнлеге ягыннан 4H-SiC 3C-SiC һәм 6H-SiC га караганда югарырак, бу 4H-SiC MOSFETлары өчен яхшырак микродулкынлы характеристикалар бирә.
Әгәр хокук бозу булса, контактны бетерегез
Бастырып чыгару вакыты: 2024 елның 16 июле