Кремний карбид (SiC), киң үткәргеч ярымүткәргеч материал буларак, заманча фән һәм технология куллануда көннән-көн мөһим роль уйный.Кремний карбид искиткеч җылылык тотрыклылыгына, югары электр кырына толерантлыкка, белә торып үткәрүчәнлеккә һәм башка искиткеч физик һәм оптик үзлекләргә ия, һәм оптоэлектрон җайланмаларда һәм кояш җайланмаларында киң кулланыла.Эффектив һәм тотрыклы электрон җайланмаларга сорау арту аркасында кремний карбидының үсеш технологиясен үзләштерү кайнар ноктага әйләнде.
SiC үсеш процессы турында сез күпме беләсез?
Бүген без кремний карбидының бер кристаллын үстерүнең өч төп техникасы турында сөйләшәчәкбез: физик пар парлары (PVT), сыек фаз эпитакси (LPE), һәм югары температуралы химик пар парламенты (HT-CVD).
Физик парны күчерү ысулы (ПВТ)
Физик парны күчерү ысулы - кремний карбидының иң еш кулланыла торган процессларының берсе.Бер кристалл кремний карбидының үсеше, нигездә, порошокның сублимациясенә һәм югары температура шартларында орлык кристаллына урнашуына бәйле.Ябык графитта кремний карбид порошогы югары температурада җылытыла, температура градиенты контроле ярдәмендә кремний карбид пар орлык кристаллының өслегендә конденсацияләнә, әкренләп зур кристалл үсә.
Без хәзерге вакытта күрсәткән монокристалл SiCның күпчелек өлеше үсешнең бу рәвешендә ясалган.Бу шулай ук тармактагы төп юл.
Сыек фаз эпитаксы (LPE)
Кремний карбид кристалллары сыек фаз эпитаксы белән каты-сыек интерфейста кристалл үсеш процессы аша әзерләнә.Бу ысулда кремний карбид порошогы кремний-углерод эремәсендә югары температурада эри, аннары температура түбәнәйтелә, кремний карбид эремәсеннән яуган һәм орлык кристаллында үсә.LPE ысулының төп өстенлеге - түбән үсеш температурасында югары сыйфатлы кристаллар алу сәләте, бәясе чагыштырмача түбән, һәм ул зур күләмле җитештерү өчен яраклы.
Temperatureгары температуралы химик пар парламенты (HT-CVD)
Кремний һәм углерод булган газны югары температурада реакция камерасына кертеп, кремний карбидының бер кристалл катламы орлык кристаллының өслегенә химик реакция аша туры килә.Бу ысулның өстенлеге шунда: газның агым тизлеге һәм реакция шартлары төгәл контрольдә тотыла ала, шулай итеп кремний карбид кристаллын югары чисталык һәм аз кимчелекләр белән алу.HT-CVD процессы бик яхшы характерлы кремний карбид кристалларын җитештерә ала, бу бик югары сыйфатлы материаллар кирәк булган кушымталар өчен аеруча кыйммәт.
Кремний карбидының үсеш процессы аны куллану һәм үстерү өчен нигез булып тора.Даими технологик инновацияләр һәм оптимизация ярдәмендә бу өч үсеш ысулы кремний карбидының мөһим позициясен тәэмин итеп, төрле очраклар ихтыяҗларын канәгатьләндерү өчен тиешле роль уйныйлар.Тикшеренүләр һәм технологик прогресс тирәнәя барган саен, кремний карбид материалларының үсеш процессы оптимальләштереләчәк, һәм электрон җайланмаларның эше тагын да яхшырачак.
(цензура)
Пост вакыты: 23-2024 июнь