Кремний карбиды (SiC), киң полосалы ярымүткәргеч материал буларак, заманча фән һәм технологияләрне куллануда барган саен мөһим роль уйный. Кремний карбиды бик яхшы җылылык тотрыклылыгына, югары электр кырына чыдамлыгына, махсус үткәрүчәнлеккә һәм башка бик яхшы физик һәм оптик үзлекләргә ия, һәм ул оптоэлектрон җайланмаларда һәм кояш җайланмаларында киң кулланыла. Нәтиҗәлерәк һәм тотрыклырак электрон җайланмаларга ихтыяҗ арту сәбәпле, кремний карбидын үстерү технологиясен үзләштерү кайнар ноктага әйләнде.
SiC үсеш процессы турында сез күпме беләсез?
Бүген без кремний карбиды монокристалларын үстерүнең өч төп ысулын тикшерәчәкбез: физик пар транспорты (PVT), сыек фазалы эпитаксия (LPE) һәм югары температуралы химик пар утырту (HT-CVD).
Физик пар күчерү ысулы (PVT)
Физик пар күчерү ысулы - кремний карбидын үстерүнең иң еш кулланыла торган процессларының берсе. Монокристалл кремний карбиды үсеше, нигездә, силикон порошокны сублимацияләүгә һәм югары температура шартларында орлык кристаллына кабат утыртуга бәйле. Ябык графит тигельдә кремний карбиды порошогы югары температурага кадәр җылытыла, температура градиентын контрольдә тоту ярдәмендә кремний карбиды пары орлык кристалл өслегендә конденсацияләнә һәм әкренләп зур күләмле монокристалл үсә.
Хәзерге вакытта без тәкъдим итә торган монокристалл SiCның күпчелек өлеше шушы үсеш ысулы белән җитештерелә. Бу шулай ук сәнәгатьтә киң таралган ысул.
Сыек фазалы эпитаксия (СФЭ)
Кремний карбиды кристаллары каты матдә-сыеклык чикләрендә кристалл үстерү процессы аша сыек фазалы эпитаксия ярдәмендә әзерләнә. Бу ысулда кремний карбиды порошогы югары температурада кремний-углерод эремәсендә эретелә, аннары температура төшерелә, шуңа күрә кремний карбиды эремәдән чөкмәгә әйләнә һәм орлык кристалларында үсә. LPE ысулының төп өстенлеге - түбәнрәк үсеш температурасында югары сыйфатлы кристаллар алу мөмкинлеге, бәясе чагыштырмача түбән һәм ул зур күләмле җитештерү өчен яраклы.
Югары температуралы химик пар утырту (HT-CVD)
Кремний һәм углеродлы газны реакция камерасына югары температурада кертү аша, кремний карбидының монокристалл катламы химик реакция аша турыдан-туры орлык кристалы өслегенә урнаштырыла. Бу ысулның өстенлеге шунда ки, газның агым тизлеген һәм реакция шартларын төгәл контрольдә тотарга мөмкин, шуның белән югары сафлыклы һәм аз кимчелекле кремний карбиды кристалы алына. HT-CVD процессы бик яхшы үзлекләргә ия кремний карбиды кристалларын җитештерә ала, бу аеруча югары сыйфатлы материаллар таләп ителгән кушымталар өчен бик кыйммәтле.
Кремний карбидының үсеш процессы аны куллану һәм үстерүнең нигезе булып тора. Өзлексез технологик инновацияләр һәм оптимальләштерү аша, бу өч үсеш ысулы төрле очраклар ихтыяҗларын канәгатьләндерү өчен үз ролен уйный, кремний карбидының мөһим урынын тәэмин итә. Тикшеренүләр һәм технологик алгарыш тирәнәю белән, кремний карбиды материалларының үсеш процессы оптимальләштереләчәк, һәм электрон җайланмаларның эшчәнлеге тагын да яхшырачак.
(цензура)
Бастырып чыгару вакыты: 2024 елның 23 июне