Хәзерге вакытта безнең компания 8inchN тибындагы SiC ваферларының кечкенә партиясен җибәрүне дәвам итә ала, сезнең үрнәк ихтыяҗларыгыз булса, зинһар, миңа мөрәҗәгать итегез. Бездә җибәрергә әзер вафиннар бар.
Ярымүткәргеч материаллар өлкәсендә компания зур күләмле SiC кристалларын тикшерүдә һәм эшкәртүдә зур уңышларга иреште. Seedз орлык кристалларын кулланып, диаметр зурайганнан соң, компания 8 дюймлы N тибындагы SiC кристалларын уңышлы үстерде, бу тигез булмаган температура кыры, кристалл крекинг һәм газ фазасы чималын тарату кебек катлаулы проблемаларны чишә. 8 дюймлы СИС кристаллары, һәм зур күләмле СИС кристалларының һәм автоном һәм контрольдә тотыла торган эшкәртү технологияләренең үсешен тизләтә. SiC бер кристалл субстрат индустриясендә компаниянең төп көндәшлелеген арттырыгыз. Шул ук вакытта, компания зур күләмле кремний карбид субстратын әзерләү эксперимент линиясен эшкәртүгә ярдәм итә, агым һәм агым өлкәләрендә техник алмашуны һәм сәнәгать хезмәттәшлеген көчәйтә, клиентлар белән хезмәттәшлек итә, продукт җитештерүчәнлеген кабатлый, һәм бергәләп. кремний карбид материалларын сәнәгатьтә куллану темпын күтәрә.
| 8инч N тибындагы SiC DSP спеклары | |||||
| Сан | Предмет | Берәмлек | Producитештерү | Тикшеренү | Думи |
| 1. Параметрлар | |||||
| 1.1 | политип | -- | 4H | 4H | 4H |
| 1.2 | өслек юнәлеше | ° | <11-20> 4 ± 0,5 | <11-20> 4 ± 0,5 | <11-20> 4 ± 0,5 |
| 2. Электр параметры | |||||
| 2.1 | допант | -- | азот | азот | азот |
| 2.2 | каршылык | ох · см | 0.015 ~ 0.025 | 0.01 ~ 0.03 | NA |
| 3. Механик параметр | |||||
| 3.1 | диаметры | mm | 200 ± 0,2 | 200 ± 0,2 | 200 ± 0,2 |
| 3.2 | калынлыгы | μm | 500 ± 25 | 500 ± 25 | 500 ± 25 |
| 3.3 | Нечкә юнәлеш | ° | [1- 100] ± 5 | [1- 100] ± 5 | [1- 100] ± 5 |
| 3.4 | Тирәнлек | mm | 1 ~ 1.5 | 1 ~ 1.5 | 1 ~ 1.5 |
| 3.5 | ЛТВ | μm | ≤5 (10 мм * 10 мм) | ≤5 (10 мм * 10 мм) | ≤10 (10 мм * 10 мм) |
| 3.6 | TTV | μm | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
| 3.7 | Bowәя | μm | -25 ~ 25 | -45 ~ 45 | -65 ~ 65 |
| 3.8 | Сугыш | μm | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
| 3.9 | AFM | nm | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 |
| 4. Структура | |||||
| 4.1 | микроп тор тыгызлыгы | ea / cm2 | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
| 4.2 | металл эчтәлеге | атом / см2 | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
| 4.3 | TSD | ea / cm2 | ≤500 | 0001000 | NA |
| 4.4 | BPD | ea / cm2 | 0002000 | 0005000 | NA |
| 4.5 | TED | ea / cm2 | 0007000 | ≤10000 | NA |
| 5. Уңай сыйфат | |||||
| 5.1 | фронт | -- | Si | Si | Si |
| 5.2 | өслек бетү | -- | Si-face CMP | Si-face CMP | Si-face CMP |
| 5.3 | кисәкчәләр | ea / wafer | ≤100 (size≥0.3μm) | NA | NA |
| 5.4 | тырнау | ea / wafer | ≤5, гомуми озынлыгы≤200 мм | NA | NA |
| 5.5 | Кыр фишкалар / индекслар / ярыклар / таплар / пычрану | -- | Беркем дә юк | Беркем дә юк | NA |
| 5.6 | Политип өлкәләре | -- | Беркем дә юк | Район ≤10% | Район ≤30% |
| 5.7 | алгы билгеләр | -- | Беркем дә юк | Беркем дә юк | Беркем дә юк |
| 6. Арткы сыйфат | |||||
| 6.1 | артка бетү | -- | Д-депутат | Д-депутат | Д-депутат |
| 6.2 | тырнау | mm | NA | NA | NA |
| 6.3 | Арткы җитешсезлекләр кыры фишкалар / индекслар | -- | Беркем дә юк | Беркем дә юк | NA |
| 6.4 | Арткы тупаслык | nm | Ra≤5 | Ra≤5 | Ra≤5 |
| 6.5 | Арткы маркировка | -- | Notch | Notch | Notch |
| 7. Кыр | |||||
| 7.1 | кыр | -- | Чамфер | Чамфер | Чамфер |
| 8. Пакет | |||||
| 8.1 | төрү | -- | Эпи вакуум белән әзер төрү | Эпи вакуум белән әзер төрү | Эпи вакуум белән әзер төрү |
| 8.2 | төрү | -- | Күп вафер кассета төрү | Күп вафер кассета төрү | Күп вафер кассета төрү |
Пост вакыты: 18-2023 апрель