Хәзерге вакытта безнең компания 8inchN тибындагы SiC ваферларының кечкенә партиясен җибәрүне дәвам итә ала, сезнең үрнәк ихтыяҗларыгыз булса, зинһар, миңа мөрәҗәгать итегез. Бездә җибәрергә әзер вафиннар бар.
Ярымүткәргеч материаллар өлкәсендә компания зур күләмле SiC кристалларын тикшерүдә һәм эшкәртүдә зур уңышларга иреште. Берничә разрядлы диаметр киңәйтелгәннән соң, үз орлык кристалларын кулланып, компания 8 дюймлы N тибындагы SiC кристалларын уңышлы үстерде, бу тигез булмаган температура кыры, кристалл крекинг һәм газ фазасы чималын тарату кебек катлаулы проблемаларны чишә, һәм зур күләмле СИС кристалларының үсешен тизләтә һәм автоном һәм контрольдә тотыла торган эшкәртү технологиясе. SiC бер кристалл субстрат индустриясендә компаниянең төп көндәшлелеген арттыру. Шул ук вакытта, компания зур күләмле кремний карбид субстратын әзерләү эксперимент линиясен туплау һәм процессны актив рәвештә алга этәрә, агымдагы һәм агымдагы өлкәләрдә техник алмашуны һәм сәнәгать хезмәттәшлеген көчәйтә, һәм продукт җитештерүчәнлеген гел кабатлау өчен клиентлар белән хезмәттәшлек итә, һәм кремний карбид материалларын сәнәгать куллану темпларын бергәләп алга этәрә.
| 8инч N тибындагы SiC DSP спеклары | |||||
| Сан | Предмет | Берәмлек | Producитештерү | Тикшеренү | Думи |
| 1. Параметрлар | |||||
| 1.1 | политип | -- | 4H | 4H | 4H |
| 1.2 | өслек юнәлеше | ° | <11-20> 4 ± 0,5 | <11-20> 4 ± 0,5 | <11-20> 4 ± 0,5 |
| 2. Электр параметры | |||||
| 2.1 | допант | -- | азот | азот | азот |
| 2.2 | каршылык | ох · см | 0.015 ~ 0.025 | 0.01 ~ 0.03 | NA |
| 3. Механик параметр | |||||
| 3.1 | диаметры | mm | 200 ± 0,2 | 200 ± 0,2 | 200 ± 0,2 |
| 3.2 | калынлыгы | μm | 500 ± 25 | 500 ± 25 | 500 ± 25 |
| 3.3 | Нечкә юнәлеш | ° | [1- 100] ± 5 | [1- 100] ± 5 | [1- 100] ± 5 |
| 3.4 | Тирәнлек | mm | 1 ~ 1.5 | 1 ~ 1.5 | 1 ~ 1.5 |
| 3.5 | ЛТВ | μm | ≤5 (10 мм * 10 мм) | ≤5 (10 мм * 10 мм) | ≤10 (10 мм * 10 мм) |
| 3.6 | TTV | μm | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
| 3.7 | Bowәя | μm | -25 ~ 25 | -45 ~ 45 | -65 ~ 65 |
| 3.8 | Сугыш | μm | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
| 3.9 | AFM | nm | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 |
| 4. Структура | |||||
| 4.1 | микроп тор тыгызлыгы | ea / cm2 | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
| 4.2 | металл эчтәлеге | атом / см2 | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
| 4.3 | TSD | ea / cm2 | ≤500 | 0001000 | NA |
| 4.4 | BPD | ea / cm2 | 0002000 | 0005000 | NA |
| 4.5 | TED | ea / cm2 | 0007000 | ≤10000 | NA |
| 5. Уңай сыйфат | |||||
| 5.1 | фронт | -- | Si | Si | Si |
| 5.2 | өслек бетү | -- | Si-face CMP | Si-face CMP | Si-face CMP |
| 5.3 | кисәкчәләр | ea / wafer | ≤100 (size≥0.3μm) | NA | NA |
| 5.4 | тырнау | ea / wafer | ≤5, гомуми озынлыгы≤200 мм | NA | NA |
| 5.5 | Кыр фишкалар / индекслар / ярыклар / таплар / пычрану | -- | Беркем дә юк | Беркем дә юк | NA |
| 5.6 | Политип өлкәләре | -- | Беркем дә юк | Район ≤10% | Район ≤30% |
| 5.7 | алгы билгеләр | -- | Беркем дә юк | Беркем дә юк | Беркем дә юк |
| 6. Арткы сыйфат | |||||
| 6.1 | артка бетү | -- | Д-депутат | Д-депутат | Д-депутат |
| 6.2 | тырнау | mm | NA | NA | NA |
| 6.3 | Арткы җитешсезлекләр кыры фишкалар / индекслар | -- | Беркем дә юк | Беркем дә юк | NA |
| 6.4 | Арткы тупаслык | nm | Ra≤5 | Ra≤5 | Ra≤5 |
| 6.5 | Арткы маркировка | -- | Notch | Notch | Notch |
| 7. Кыр | |||||
| 7.1 | кыр | -- | Чамфер | Чамфер | Чамфер |
| 8. Пакет | |||||
| 8.1 | төрү | -- | Эпи вакуум белән әзер төрү | Эпи вакуум белән әзер төрү | Эпи вакуум белән әзер төрү |
| 8.2 | төрү | -- | Күп вафер кассета төрү | Күп вафер кассета төрү | Күп вафер кассета төрү |
Пост вакыты: 18-2023 апрель