Ярымүткәргеч индустриясенең үсеш процессында, бер кристалл белән бизәлгәнкремний вафиннарымөһим роль уйный. Алар төрле микроэлектрон җайланмалар җитештерү өчен төп материал булып хезмәт итәләр. Катлаулы һәм төгәл интеграль схемалардан алып югары тизлекле микропроцессорларга һәм күп функцияле сенсорларга кадәр, бер кристалл белән бизәлгәнкремний вафиннарыбик мөһим. Аларның җитештерүчәнлеге һәм спецификасы аермалары соңгы продуктларның сыйфатына һәм эшенә турыдан-туры тәэсир итә. Түбәндә кристалл кремний вафиннарның гомуми спецификацияләре һәм параметрлары китерелгән:

Диаметр: Ярымүткәргеч бер кристалл кремний ваферларның зурлыгы аларның диаметры белән үлчәнә, һәм алар төрле спецификацияләрдә килә. Гомуми диаметрларга 2 дюйм (50,8 мм), 3 дюйм (76,2 мм), 4 дюйм (100 мм), 5 дюйм (125 мм), 6 дюйм (150 мм), 8 дюйм (200 мм), 12 дюйм (300 мм), һәм 18 дюйм (450 мм) керә. Төрле диаметрлар төрле җитештерү ихтыяҗларына һәм процесс таләпләренә туры килә. Мәсәлән, кечерәк диаметрлы ваферлар гадәттә махсус, кечкенә күләмле микроэлектрон җайланмалар өчен кулланыла, зур диаметрлы ваферлар зур җитештерү эффективлыгын һәм зур масштаблы интеграль схема җитештерүендә бәя өстенлекләрен күрсәтәләр. Requirementsир өсте таләпләре бер яклы бизәлгән (SSP) һәм ике яклы бизәлгән (DSP) категорияләренә бүленәләр. Бер яклы бизәлгән ваферлар, билгеле сенсорлар кебек, бер яктан югары яссылык таләп иткән җайланмалар өчен кулланыла. Ике яклы чистартылган ваферлар гадәттә интеграль схемалар һәм ике өслектә дә югары төгәллек таләп иткән башка продуктлар өчен кулланыла. Faceир өсте таләбе (Тәмамлау): Бер яклы бизәлгән SSP / Ике яклы бизәлгән DSP.

Тип / Допант: (1) N тибындагы ярымүткәргеч: Кайбер ярымүткәргечкә кайбер пычрак атомнар кертелгәч, алар аның үткәрүчәнлеген үзгәртә. Мәсәлән, азот (N), фосфор (P), арсеник (As) яки антимон (Sb) кебек пентавалент элементлар кушылгач, аларның валент электроннары әйләнә-тирә кремний атомнарының валент электроннары белән ковалент бәйләнешләр ясыйлар, өстәмә электрон ковалент бәйләнеш белән бәйләнмиләр. Бу электрон концентрация тишек концентрациясеннән зуррак, N тибындагы ярымүткәргеч формалаштыра, ул шулай ук ​​электрон типтагы ярымүткәргеч дип атала. N тибындагы ярымүткәргечләр электронны төп корылма йөртүче кебек электрон таләп итә торган җайланмаларда бик мөһим. . Бу электрон концентрациясеннән зуррак тишек концентрациясенә китерә, P тибындагы ярымүткәргеч формалаштыра, ул тишек тибындагы ярымүткәргеч дип тә атала. P тибындагы ярымүткәргечләр диодлар һәм кайбер транзисторлар кебек төп корылма йөртүче булып хезмәт итүче җайланмаларда төп роль уйныйлар.

Каршылык: Каршылык - төп кристалл кремний вафаларның электр үткәрүчәнлеген үлчәүче төп физик күләм. Аның кыйммәте материалның үткәрүчәнлеген күрсәтә. Каршылык түбән булса, кремний вафиның үткәрүчәнлеге яхшырак; киресенчә, каршылык никадәр югары булса, үткәрүчәнлеге начаррак. Кремний вафиннарның каршылыгы аларның материаль үзенчәлекләре белән билгеләнә, һәм температура да зур йогынты ясый. Гадәттә, кремний вафатларның каршылыгы температура белән арта. Практик кулланмаларда төрле микроэлектрон җайланмалар кремний вафлары өчен төрле каршылык таләпләренә ия. Мәсәлән, интеграль схема җитештерүдә кулланылган ваферлар тотрыклы һәм ышанычлы җайланма эшләвен тәэмин итү өчен каршылыкны төгәл контрольдә тотарга тиеш.

Ориентация: Вафинның кристалл юнәлеше кремний тактасының кристаллографик юнәлешен күрсәтә, гадәттә Миллер күрсәткечләре белән күрсәтелә (100), (110), (111) һ.б. Төрле кристалл юнәлешләре төрле физик үзенчәлекләргә ия, мәсәлән, сызык тыгызлыгы, ориентациягә карап үзгәрә. Бу аерма вафинның киләсе эшкәртү адымнарына һәм микроэлектрон җайланмаларның соңгы эшенә тәэсир итә ала. Manufacturingитештерү процессында төрле җайланма таләпләренә туры килгән кремний вафин сайлау җайланманың эшләвен оптимальләштерә, җитештерү нәтиҗәлелеген күтәрә һәм продукт сыйфатын күтәрә ала.

Фатир / кисәк: Кремний вафаты әйләнәсендәге яссы кыр (яссы) яки V-notch (Notch) кристалл ориентация тигезләүдә мөһим роль уйный һәм вафер җитештерүдә һәм эшкәртүдә мөһим идентификатор булып тора. Төрле диаметрлы ваферлар фатир яки чатыр озынлыгы өчен төрле стандартларга туры килә. Тигезләү кырлары төп яссы һәм икенчел фатирга бүленә. Беренчел фатир, нигездә, кристаллның төп юнәлешен һәм эшкәртү белешмәсен билгеләү өчен кулланыла, икенчел фатир алга таба төгәл тигезләүдә һәм эшкәртүдә булыша, җитештерү линиясе буенча вафинның төгәл эшләвен һәм эзлеклелеген тәэмин итә.

Калынлык: вафинның калынлыгы гадәттә микрометрларда (μm) күрсәтелә, гомуми калынлыгы 100μm белән 1000μm арасында. Төрле калынлыктагы ваферлар төрле микроэлектрон җайланмалар өчен яраклы. Нечкә ваферлар (мәсәлән, 100μm - 300μm) чип җитештерү өчен еш кулланыла, бу каты калынлыкны контрольдә тотуны таләп итә, чипның күләмен һәм авырлыгын киметә һәм интеграция тыгызлыгын арттыра. Калын ваферлар (мәсәлән, 500μm - 1000μm) эш вакытында тотрыклылыкны тәэмин итү өчен, электр ярымүткәргеч җайланмалары кебек югары механик көч таләп итә торган җайланмаларда киң кулланыла.

Faceир өслегенең тупаслыгы: өслекнең тупаслыгы - вафер сыйфатын бәяләү өчен төп параметрларның берсе, чөнки ул вафер белән соңрак урнаштырылган нечкә пленка материаллары арасындагы ябышуга, шулай ук ​​җайланманың электр эшенә тәэсир итә. Бу, гадәттә, тамыр урта квадрат (RMS) тупаслыгы (nm) белән күрсәтелә. Түбән өслекнең тупаслыгы вафин өслегенең йомшак булуын аңлата, бу электрон таралу кебек күренешләрне киметергә ярдәм итә һәм җайланманың эшләвен һәм ышанычлылыгын яхшырта. Алга киткән ярымүткәргеч җитештерү процессларында өслекнең тупаслыгы таләпләре көннән-көн катлаулана бара, аеруча югары интеграль схема җитештерү өчен, монда өслекнең тупаслыгы берничә нанометр яки хәтта түбәнрәк булырга тиеш.

Калынлыкның гомуми үзгәреше (TTV): Калынлыкның гомуми үзгәрүе максималь һәм минималь калынлыклар арасындагы аерманы күрсәтә, вафер өслегендә берничә ноктада үлчәнә, гадәттә μm белән күрсәтелә. Tгары TTV фотолитография һәм эфир кебек процессларда тайпылышларга китерергә мөмкин, җайланманың эш эзлеклелегенә һәм уңышына тәэсир итә. Шуңа күрә, вафер җитештерү вакытында ТТВны контрольдә тоту продуктның сыйфатын тәэмин итүдә төп адым. Highгары төгәл микроэлектрон җайланмалар җитештерү өчен, TTV гадәттә берничә микрометр эчендә булырга тиеш.

Bowәя: җәя вафин өслеге белән идеаль яссы яссылык арасындагы тайпылышны аңлата, гадәттә μm белән үлчәнә. Артык баш игән ваферлар соңрак эшкәртү вакытында тигез булмаган стрессны өзәргә яки җитештерү нәтиҗәлелегенә һәм продукт сыйфатына тәэсир итәргә мөмкин. Бигрәк тә фотолитография кебек югары яссылык таләп иткән процессларда, фотолитографик үрнәкнең төгәллеген һәм эзлеклелеген тәэмин итү өчен, баш иү билгеле бер диапазонда контрольдә тотылырга тиеш.

Warp: Warp вафин өслеге белән идеаль сферик форма арасындагы тайпылышны күрсәтә, шулай ук ​​μm белән үлчәнә. Bowәягә охшаган, вафат - вафер яссылыгының мөһим күрсәткече. Чиктән тыш эшкәртү эшкәртү җайланмаларында ваферның урнашу төгәллегенә тәэсир итми, ә чип төрү процессында проблемалар тудырырга мөмкин, мәсәлән, чип белән төрү материалы арасында начар бәйләнеш, бу үз чиратында җайланманың ышанычлылыгына тәэсир итә. Endгары ярымүткәргеч җитештерүдә алдынгы чип җитештерү һәм төрү процесслары таләпләрен канәгатьләндерү өчен таләпләр катлаулана бара.

Кыр профиле: Вафинның кыр профиле соңрак эшкәртү һәм эшкәртү өчен бик мөһим. Бу, гадәттә, читтән чыгару зонасы (EEZ) белән күрсәтелә, ул эшкәртү рөхсәт ителмәгән вафин читеннән ераклыкны билгели. Дөрес эшләнгән кыр профиле һәм төгәл EEZ контроле эшкәртү вакытында кыр җитешсезлекләреннән, стресс концентрацияләреннән һәм башка проблемалардан сакланырга ярдәм итә, гомуми вафин сыйфатын һәм уңышын яхшырта. Кайбер алдынгы җитештерү процессларында кырның профиль төгәллеге суб-микрон дәрәҗәсендә булырга тиеш.

Кисәкчәләр саны: Вафер өслегендә кисәкчәләрнең саны һәм күләме микроэлектрон җайланмалар эшенә зур йогынты ясый. Артык яки зур кисәкчәләр җайланманың җитешсезлегенә китерергә мөмкин, мәсәлән, кыска схемалар яки агып чыгу, продукт җитештерүчәнлеген киметү. Шуңа күрә, кисәкчәләр саны, гадәттә, 0,3μмнан зуррак кисәкчәләр саны кебек берәмлек мәйданындагы кисәкчәләрне санап үлчәнәләр. Вафер җитештерү вакытында кисәкчәләр санын катгый контрольдә тоту продуктның сыйфатын тәэмин итү өчен мөһим чара. Алга киткән чистарту технологияләре һәм чиста җитештерү мохите вафер өслегендә кисәкчәләрнең пычрануын киметү өчен кулланыла.

Бәйләнешле җитештерү

Бер кристалл кремний вафер Si субстрат тибы N / P өстәмә кремний карбид ваферы

FZ CZ Si ваферы 12инч кремний вафер премьер яки тест