ВТларда TTV, BOW, WARP, TIR нәрсә аңлата?

Ярымүткәргеч кремний вафиннарын яки бүтән материаллардан ясалган субстратларны тикшергәндә, без еш кына техник күрсәткечләргә очрыйбыз: TTV, BOW, WARP, һәм, мөгаен, TIR, STIR, LTV. Бу нинди параметрларны күрсәтә?

 

TTV - Калынлыкның гомуми үзгәреше
BOW - җәя
Сугыш - Сугыш
ТИР - гомуми күрсәтелгән уку
STIR - Сайтның гомуми күрсәтелгән уку
LTV - Localирле калынлыкның төрләнеше

 

1. Калынлыкның гомуми үзгәреше - ТТВ

da81be48e8b2863e21d68a6b25f09db7Вафер кысылганда һәм тыгыз элемтәдә булганда, вафинның максималь һәм минималь калынлыгы белешмә яссылыгына карата аерма. Бу, гадәттә, микрометрларда (μm) күрсәтелә, еш күрсәтелә: ≤15 μm.

 

2. Bowәя

081e298fdd6abf4be6f882cfbb704f12

Вафер ирекле (кысылмаган) хәлдә булганда, вафер өслегенең үзәк ноктасыннан белешмә яссылыгына минималь һәм максималь ара арасындагы тайпылыш. Бу конвейк (тискәре җәя) һәм конвекс (уңай җәя) очракларын үз эченә ала. Бу гадәттә микрометрларда (μm) күрсәтелә, еш кына күрсәтелә: ≤40 μm.

 

3. Сугыш - Сугыш

e3c709bbb4ed2b11345e6a942df24fa4

Вафер ирекле (кысылмаган) хәлдә булганда, вафер өслегеннән белешмә яссылыгына (гадәттә ваферның арткы өслеге) минималь һәм максималь аралар арасындагы тайпылыш. Бу конвейк (тискәре сызык) һәм конвекс (позитив вар) очракларын үз эченә ала. Бу, гадәттә, микрометрларда (μm) күрсәтелә, еш кына күрсәтелә: ≤30 μm.

 

4. Гомуми күрсәтелгән уку - ТИР

8923bc5c7306657c1df01ff3ccffe6b4

 

Вафер кысылганда һәм тыгыз элемтәдә булганда, сыйфат өлкәсендә яки вафер өслегендәге билгеле бер төбәктә барлык нокталарның тоташу суммасын киметүче белешмә яссылык кулланып, TIR - вафер өслегеннән максималь һәм минималь аралар арасындагы тайпылыш.

 

TTV, BOW, WARP, һәм TIR кебек ярымүткәргеч материал спецификасы буенча тирән тәҗрибәгә нигезләнеп, XKH катгый сәнәгать стандартларына туры китереп төгәл заказ эшкәртү хезмәтләрен тәкъдим итә. Без сапфир, кремний карбид (SiC), кремний вафины, SOI, һәм кварц кебек югары җитештерүчән материаллар белән тәэмин итәбез, оптоэлектроника, электр приборлары, MEMS өлкәсендә алдынгы кушымталар өчен яссылык, калынлык эзлеклелеге, өслек сыйфатын тәэмин итәбез. Сезнең иң таләпчән дизайн таләпләренә туры килгән ышанычлы материаль чишелешләр һәм төгәл эшкәртү өчен безгә ышаныгыз.

 

https://www.xkh-semitech.com/single-crystal-silicon-wafer-si-substrate-type-np-optional-silicon-carbide-wafer-product/

 


Пост вакыты: 29-2025 август