SiC кремний карбидыҗайланма чимал буларак кремний карбидыннан ясалган җайланманы атый.
Төрле каршылык үзлекләренә карап, ул үткәргеч кремний карбиды көч җайланмаларына һәмярымизоляцияләнгән кремний карбидыРадиоелемтәләр җайланмалары.
Кремний карбидының төп җайланма формалары һәм кулланылышы
SiC белән чагыштырганда төп өстенлекләреSi материалларыалар:
SiC'ның зона аралыгы Si'га караганда 3 тапкыр зуррак, бу агып чыгуны киметә һәм температурага чыдамлылыкны арттыра ала.
SiC Si'дан 10 тапкыр артык ватылу кыры көченә ия, ток тыгызлыгын, эш ешлыгын яхшырта, көчәнеш сыйдырышлыгына чыдам һәм кабызу-сүндерү югалтуларын киметә ала, югары көчәнеш кушымталары өчен күбрәк яраклы.
SiC электрон туендыру дрейф тизлеген Si белән чагыштырганда ике тапкыр артыграк, шуңа күрә ул югарырак ешлыкта эшли ала.
SiC җылылык үткәрүчәнлеге Si белән чагыштырганда 3 тапкыр артыграк, җылылык тарату күрсәткечләре яхшырак, югары энергия тыгызлыгын тәэмин итә һәм җылылык тарату таләпләрен киметә, җайланманы җиңеләйтә.
Үткәргеч субстрат
Үткәргеч субстрат: Кристаллдагы төрле катнашмаларны, бигрәк тә сай дәрәҗәдәге катнашмаларны бетерү юлы белән, кристаллның югары каршылыгына ирешү.
Үткәргечкремний карбиды субстратыSiC пластинасы
Үткәргеч кремний карбиды электр җайланмасы үткәргеч субстратта кремний карбиды эпитаксиаль катламы үсү аша башкарыла, кремний карбиды эпитаксиаль катламы алга таба эшкәртелә, шул исәптән Шоттки диодлары, MOSFET, IGBT һ.б. җитештерелә, алар нигездә электр транспортында, фотоэлектрик энергия җитештерүдә, тимер юл транспортында, мәгълүмат үзәге, зарядка һәм башка инфраструктураларда кулланыла. Эшчәнлек өстенлекләре түбәндәгечә:
Югары басым характеристикалары яхшыртылды. Кремний карбидының җимерелү электр кыры көче кремнийныкыннан 10 тапкырдан артык, бу кремний карбиды җайланмаларының югары басымга каршылыгын эквивалент кремний җайланмаларына караганда күпкә югарырак итә.
Югары температура характеристикалары яхшырак. Кремний карбиды кремнийга караганда югарырак җылылык үткәрүчәнлеккә ия, бу җайланманың җылылык таратуын җиңеләйтә һәм чик эш температурасын югарырак итә. Югары температурага чыдамлык куәт тыгызлыгын сизелерлек арттырырга мөмкин, шул ук вакытта суыту системасына таләпләрне киметә, шуңа күрә терминал җиңелрәк һәм миниатюррак булырга мөмкин.
Энергия куллану күләме түбәнрәк. 1) Кремний карбиды җайланмасының каршылыгы бик түбән һәм югалту күләме түбән; (2) Кремний карбиды җайланмаларының агып чыгу тогы кремний җайланмаларына караганда күпкә кими, шуның белән энергия югалтулары кими; 2) Кремний карбиды җайланмаларының сүндерү процессында ток калдыклары күренеше юк, һәм күчерү югалтулары түбән, бу гамәли кушымталарның күчерү ешлыгын шактый яхшырта.
Ярымизоляцияләнгән SiC субстраты
Ярымизоляцияләнгән SiC субстраты: Азот легирлавы азот легирлавы концентрациясе, үсеш тизлеге һәм кристалл легирлавы арасындагы тиешле бәйләнешне калибрлау юлы белән үткәргеч продуктларның легирлавын төгәл контрольдә тоту өчен кулланыла.
Югары сафлыклы ярымизоляцияле субстрат материалы
Ярымизоляцияләнгән кремний углерод нигезендәге РФ җайланмалары, нигездә, 5G элемтәсендә, транспорт чараларында, оборона кушымталарында, мәгълүмат тапшыруда, аэрокосмик тармакта кулланыла торган HEMT һәм башка галлий нитриды РФ җайланмаларын да кертеп, кремний нитриды эпитаксиаль катламын ярымизоляцияләнгән кремний карбиды субстратында үстерү юлы белән ясала.
Кремний карбиды һәм галлий нитриды материалларының туендырылган электрон дрейф тизлеге кремнийныкыннан 2,0 һәм 2,5 тапкыр артыграк, шуңа күрә кремний карбиды һәм галлий нитриды җайланмаларының эш ешлыгы традицион кремний җайланмаларынкыннан зуррак. Ләкин, галлий нитриды материалының начар җылылыкка чыдамлыгы бар, ә кремний карбиды яхшы җылылыкка чыдамлылыкка һәм җылылык үткәрүчәнлеккә ия, бу галлий нитриды җайланмаларының начар җылылыкка чыдамлыгын капларга мөмкин, шуңа күрә сәнәгать ярымизоляцияләнгән кремний карбидын субстрат итеп ала, һәм RF җайланмаларын җитештерү өчен кремний карбиды субстратында ган эпитаксиаль катлам үстерелә.
Әгәр хокук бозу булса, контактны бетерегез
Бастырып чыгару вакыты: 2024 елның 16 июле