SiC кремний карбидҗайланма чимал буларак кремний карбидтан ясалган җайланманы аңлата.
Төрле каршылык үзлекләре буенча, ул үткәргеч кремний карбид энергия җайланмаларына һәмярым изоляцияләнгән кремний карбидRF җайланмалары.
Кремний карбидының төп җайланмасы формалары һәм кулланылышы
SiC-ның төп өстенлекләреSi материаллары:
SiC диапазонында Si белән чагыштырганда 3 тапкырга артыграк, бу агып төшүне киметә һәм температураның чыдамлылыгын арттыра ала.
SiC Si-ның өзелү кыры көченнән 10 тапкырга күбрәк, хәзерге тыгызлыкны, эш ешлыгын яхшырта ала, көчәнеш сыйдырышлыгына каршы тора һәм югары көчәнеш кушымталары өчен кулайрак.
SiC электронның туендыру тизлегенең Si тизлегеннән ике тапкыр күбрәк, шуңа күрә ул югары ешлыкта эшли ала.
SiC җылылык үткәрүчәнлегенең Si тапкыр 3 тапкырга күбрәк, җылылыкның таралуы яхшырак, югары тыгызлыкны тәэмин итә һәм җылылык тарату таләпләрен киметә, җайланманы җиңелрәк итә.
Uctткәргеч субстрат
Uctткәргеч субстрат: кристаллдагы төрле пычракларны, аеруча тайс дәрәҗәдәге пычракларны бетереп, кристаллның эчке югары каршылыгына ирешү өчен.
Uctткәргечкремний карбид субстратSiC вафин
Кондуктив кремний карбид электр җайланмасы үткәргеч субстратта кремний карбид эпитаксиаль катламының үсүе аркасында, кремний карбид эпитаксиаль таблицасы алга таба эшкәртелә, шул исәптән Шоттки диодлары, MOSFET, IGBT һ.б. җитештерү, шул исәптән электр машиналарында, фотовольта көче. буын, тимер юл транзиты, мәгълүмат үзәге, зарядлау һәм башка инфраструктура. Спектакльнең өстенлекләре түбәндәгечә:
Күчерелгән югары басым үзенчәлекләре. Кремний карбидының электр кыры көче кремнийныкыннан 10 тапкырга артыграк, бу кремний карбид җайланмаларының югары басымга каршы торуы кремний җайланмаларына караганда сизелерлек югарырак.
Яхшырак югары температура характеристикалары. Кремний карбид кремнийга караганда җылылык үткәрүчәнлегенә ия, бу җайланманың җылылык таралуын җиңеләйтә һәм эш температурасы чикләнә. Temperatureгары температурага каршы тору, электр тыгызлыгының сизелерлек артуына китерергә мөмкин, шул ук вакытта суыту системасына таләпләрне киметеп, терминал җиңелрәк һәм миниатюрлаштырылган булыр.
Түбән энергия куллану. ① Кремний карбид җайланмасы бик түбән каршылыкка һәм аз югалтуга ия; (2) Кремний карбид җайланмаларының агып торган токы кремний җайланмаларына караганда сизелерлек кими, шуның белән электр югалтуын киметә; Sil Кремний карбид җайланмаларын сүндерү процессында хәзерге койрыклау күренеше юк, һәм күчү югалту аз, бу практик кушымталарның күчү ешлыгын яхшырта.
Ярым изоляцияләнгән SiC субстрат
Ярым изоляцияләнгән SiC субстрат: N допинг азот допинг концентрациясе, үсеш темплары һәм кристалл каршылыгы арасындагы бәйләнешне калибрлап үткәргеч продуктларның каршылыгын төгәл контрольдә тоту өчен кулланыла.
Purгары чисталык ярым изоляцион субстрат материал
Ярым изоляцияләнгән кремний углерод нигезендәге RF җайланмалары ярым изоляцияләнгән кремний карбид субстратында галий нитрид эпитаксиаль катламын үстереп ясала, кремний нитрид эпитаксиаль таблицасын әзерләү өчен, шул исәптән HEMT һәм башка галлий нитрид RF җайланмалары, нигездә 5G элемтә, транспорт элемтәләре, оборона кушымталары, мәгълүмат тапшыру, аэрокосмос.
Кремний карбид һәм галий нитрид материалларының туенган электрон дрифт дәрәҗәсе кремнийныкыннан 2,0 һәм 2,5 тапкырга күбрәк, шуңа күрә кремний карбид һәм галий нитрид җайланмаларының эш ешлыгы традицион кремний җайланмаларына караганда зуррак. Ләкин, галлий нитрид материалы начар җылылыкка каршы торуның җитешсезлегенә ия, кремний карбидның яхшы җылылыкка чыдамлыгы һәм җылылык үткәрүчәнлеге бар, ул галлий нитрид җайланмаларының начар җылылыкка каршы торуын каплый ала, шуңа күрә тармак ярым изоляцияләнгән кремний карбидын субстрат итеп ала. , һәм эпитаксиаль катлам кремний карбид субстратында RF җайланмалары җитештерү өчен үстерелә.
Хокук бозу булса, бетерү белән элемтәгә керегез
Пост вакыты: 16-2024 июль