Кремний пластинасы нигезендә кремний атомнарының өстәмә катламын үстерүнең берничә өстенлеге бар:
CMOS кремний процессларында, пластина нигезендә эпитаксиаль үсеш (EPI) мөһим процесс этабы булып тора.
1, Кристалл сыйфатын яхшырту
Башлангыч субстрат кимчелекләре һәм катнашмалар: Җитештерү процессында пластина субстратында билгеле бер кимчелекләр һәм катнашмалар булырга мөмкин. Эпитаксиаль катлам үсүе субстратта кимчелекләр һәм катнашмаларның түбән концентрациясе булган югары сыйфатлы монокристалл кремний катламын барлыкка китерергә мөмкин, бу исә аннан соңгы җайланмалар җитештерү өчен бик мөһим.
Бердәм кристалл структурасы: Эпитаксиаль үсеш бердәмрәк кристалл структурасын тәэмин итә, бөртек чикләренең һәм субстрат материалындагы кимчелекләрнең йогынтысын киметә, шуның белән пластинаның гомуми кристалл сыйфатын яхшырта.
2, электр эшчәнлеген яхшырту.
Җайланма характеристикаларын оптимальләштерү: Субстратта эпитаксиаль катлам үстерү аша, кремний легирлау концентрациясен һәм төрен төгәл контрольдә тотарга мөмкин, шуның белән җайланманың электр эшчәнлеген оптимальләштерергә мөмкин. Мәсәлән, эпитаксиаль катлам легирлавын MOSFETларның бусага көчәнешен һәм башка электр параметрларын контрольдә тоту өчен нечкә итеп көйләргә мөмкин.
Агып чыгу тогын киметү: Югары сыйфатлы эпитаксиаль катлам түбәнрәк кимчелек тыгызлыгына ия, бу җайланмаларда агып чыгу тогын киметергә ярдәм итә, шуның белән җайланманың эшләвен һәм ышанычлылыгын яхшырта.
3, электр эшчәнлеген яхшырту.
Функция күләмен киметү: Кечерәк процесс төеннәрендә (мәсәлән, 7нм, 5нм) җайланмаларның функция күләме кими бара, шуңа күрә камилләштерелгән һәм югары сыйфатлы материаллар кирәк. Эпитаксиаль үсеш технологиясе бу таләпләрне канәгатьләндерә ала, югары җитештерүчәнлекле һәм югары тыгызлыклы интеграль схемалар җитештерүне хуплый.
Ватылу көчәнешен арттыру: Эпитаксиаль катламнарны югарырак ватылу көчәнешләре белән эшләргә мөмкин, бу югары куәтле һәм югары көчәнешле җайланмалар җитештерү өчен бик мөһим. Мәсәлән, көч җайланмаларында эпитаксиаль катламнар җайланманың ватылу көчәнешен яхшырта ала, куркынычсыз эшләү диапазонын арттыра.
4, Процесслар белән туры килүчәнлек һәм күп катламлы структуралар
Күп катламлы структуралар: Эпитаксиаль үсеш технологиясе төрле катламнарның төрле легирлау концентрацияләренә һәм төрләренә ия булган субстратларда күп катламлы структуралар үстерергә мөмкинлек бирә. Бу катлаулы CMOS җайланмаларын җитештерү һәм өч үлчәмле интеграцияне тәэмин итү өчен бик файдалы.
Ярашучанлык: Эпитаксиаль үсеш процессы гамәлдәге CMOS җитештерү процесслары белән бик туры килә, бу аны процесс линияләренә зур үзгәрешләр кертмичә, хәзерге җитештерү эш процессларына интеграцияләүне җиңеләйтә.
Кыскача мәгълүмат: CMOS кремний процессларында эпитаксиаль үсешне куллану, нигездә, пластина кристаллларының сыйфатын яхшыртуга, җайланмаларның электр эшчәнлеген оптимальләштерүгә, алдынгы процесс төеннәрен хуплауга һәм югары җитештерүчәнлекле һәм югары тыгызлыклы интеграль схемалар җитештерү таләпләрен канәгатьләндерүгә юнәлтелгән. Эпитаксиаль үсеш технологиясе материалларны кушуны һәм структурасын төгәл контрольдә тотарга мөмкинлек бирә, җайланмаларның гомуми эшчәнлеген һәм ышанычлылыгын яхшырта.
Бастырып чыгару вакыты: 2024 елның 16 октябре