Кремний вафат субстратында кремний атомнарының өстәмә катламын үстерү берничә өстенлеккә ия:
CMOS кремний процессларында, вафер субстратындагы эпитаксиаль үсеш (EPI) критик процесс адымы.
1 cry Кристалл сыйфатын яхшырту
Башлангыч субстрат җитешсезлекләре һәм пычраклыклары: җитештерү процессында вафер субстратның кайбер кимчелекләре һәм пычраклары булырга мөмкин. Эпитаксиаль катламның үсеше субстратта аз концентрацияле җитешсезлекләр һәм пычраклар булган югары сыйфатлы монокристалл кремний катламын чыгарырга мөмкин, бу алдагы җайланма ясау өчен бик мөһим.
Бердәм кристалл структурасы: Эпитаксиаль үсеш бертөрле кристалл структурасын тәэмин итә, ашлык чикләренең һәм субстрат материалдагы кимчелекләрнең йогынтысын киметә, шуның белән ваферның гомуми кристалл сыйфатын яхшырта.
2 electrical электр җитештерүчәнлеген яхшырту.
Deviceайланма характеристикаларын оптимальләштерү: Субстратта эпитаксиаль катлам үстереп, допинг концентрациясе һәм кремний төре төгәл контрольдә тотыла, җайланманың электр эшчәнлеген оптимальләштерә. Мәсәлән, эпитаксиаль катламның допингы MOSFETларның бусага көчәнешен һәм башка электр параметрларын контрольдә тоту өчен яхшы көйләнергә мөмкин.
Агып торган токны киметү: qualityгары сыйфатлы эпитаксиаль катлам җитешсезлек тыгызлыгына ия, бу җайланмалардагы агып чыккан токны киметергә ярдәм итә, шуның белән җайланманың эшләвен һәм ышанычлылыгын яхшырта.
3 electrical электр җитештерүчәнлеген яхшырту.
Функция күләмен киметү: Кечкенә процесс төеннәрендә (мәсәлән, 7нм, 5нм), чистартылган һәм югары сыйфатлы материаллар таләп итеп, җайланмаларның үзенчәлек күләме кими бара. Эпитаксиаль үсеш технологиясе бу таләпләрне канәгатьләндерә ала, югары җитештерүчәнлек һәм югары тыгызлыктагы интеграль схемалар җитештерүне тәэмин итә.
Ватылу көчәнешен көчәйтү: Эпитаксиаль катламнар югары көчәнеш көчәнешләре белән эшләнергә мөмкин, бу югары көчле һәм югары көчәнешле җайланмалар җитештерү өчен бик мөһим. Мәсәлән, электр җайланмаларында эпитаксиаль катламнар җайланманың өзелү көчәнешен яхшырта, куркынычсыз эш диапазонын арттыра ала.
4 、 Процессның туры килүе һәм күпкатлы структуралар
Күпкатлы структуралар: Эпитаксиаль үсеш технологиясе субстратларда күпкатлы структуралар үсешенә мөмкинлек бирә, төрле катламнар төрле допинг концентрацияләре һәм төрләре белән. Бу катлаулы CMOS җайланмалары җитештерү һәм өч үлчәмле интеграцияләү өчен бик файдалы.
Сөйләшү: эпитаксиаль үсеш процессы булган CMOS җитештерү процесслары белән бик туры килә, процесс линияләренә зур үзгәрешләр кертмичә, хәзерге җитештерү эш процессларына интеграцияләнүне җиңеләйтә.
Аннотация: CMOS кремний процессларында эпитаксиаль үсешне куллану, беренче чиратта, кристалл сыйфатын күтәрү, җайланманың электр җитештерүчәнлеген оптимальләштерү, алдынгы процесс төеннәрен тәэмин итү, югары җитештерүчәнлек һәм югары тыгызлыктагы интеграль челтәр җитештерү таләпләрен канәгатьләндерүне максат итеп куя. Эпитаксиаль үсеш технологиясе материаль допингны һәм структураны төгәл контрольдә тотарга, җайланмаларның гомуми эшләвен һәм ышанычлылыгын яхшыртырга мөмкинлек бирә.
Пост вакыты: 16-2024 октябрь