Сәнәгать яңалыклары
-
Радиоелемтәләр өчен ярымизоляцияле һәм N-типтагы SiC пластиналарын аңлау
Кремний карбиды (SiC) заманча электроникада, бигрәк тә югары куәтле, югары ешлыклы һәм югары температуралы мохит белән бәйле кушымталар өчен мөһим материал буларак барлыкка килде. Аның югары үзлекләре - киң зона аралыгы, югары җылылык үткәрүчәнлеге һәм югары ватылу көчәнеше - SiCны идеаль итә...Күбрәк укыгыз -
Югары сыйфатлы кремний карбид пластиналары өчен сатып алу чыгымнарын ничек оптимальләштерергә
Ни өчен кремний карбиды пластиналары кыйммәт тоела һәм ни өчен бу караш тулы түгел? Кремний карбиды (SiC) пластиналары еш кына электр ярымүткәргечләре җитештерүдә кыйммәтле материаллар буларак кабул ителә. Бу фикер тулысынча нигезсез булмаса да, ул тулы түгел. Чын проблема ... түгел.Күбрәк укыгыз -
Вафлины ничек "ультра-нечкә" кадәр нечкәрәк итәргә мөмкин?
Пластинаны ничек "ультра-нечкә" кадәр нечкәләргә мөмкин? Ультра-нечкә пластина нәрсә ул? Гадәти калынлык диапазоннары (мисал буларак 8″/12″ пластиналар) Стандарт пластина: 600–775 мкм Нечкә пластина: 150–200 мкм Ультра-нечкә пластина: 100 мкм дан түбән Бик нечкә пластина: 50 мкм, 30 мкм, хәтта 10–20 мкм Ни өчен...Күбрәк укыгыз -
SiC һәм GaN ничек итеп көч ярымүткәргечле упаковкада революция ясыйлар
Киң полосалы (WBG) материалларның тиз кулланылышы аркасында электр ярымүткәргечләр сәнәгатендә үзгәрешләр күзәтелә. Кремний карбиды (SiC) һәм галлий нитриды (GaN) бу революциянең алгы сафында торалар, алар югарырак нәтиҗәлелеккә һәм тизрәк күчерүгә ия киләсе буын электр җайланмаларын булдыру мөмкинлеген бирә...Күбрәк укыгыз -
FOUP None һәм FOUP тулы формасы: ярымүткәргеч инженерлары өчен тулы кулланма
FOUP - алгы яктан ачыла торган бердәм под, ул заманча ярымүткәргеч җитештерүдә пластиналарны куркынычсыз ташу һәм саклау өчен кулланыла торган стандартлаштырылган контейнер. Пластиналар зурлыгы арткан саен һәм җитештерү процесслары сизгеррәк булган саен, пластиналар өчен чиста һәм контрольдә тотылган мохитне саклау...Күбрәк укыгыз -
Кремнийдан кремний карбидына кадәр: югары җылылык үткәрүчәнлекле материаллар чип төргәген ничек яңадан билгели
Кремний күптәннән ярымүткәргеч технологиясенең нигез ташы булып тора. Ләкин, транзистор тыгызлыгы арткан саен һәм заманча процессорлар һәм көч модульләре югарырак көч тыгызлыгы барлыкка китергән саен, кремний нигезендәге материаллар җылылык белән идарә итүдә һәм механик тотрыклылыкта төп чикләүләр белән очраша. Кремний к...Күбрәк укыгыз -
Ни өчен югары чисталыклы SiC пластиналары киләсе буын электр электроникасы өчен бик мөһим?
1. Кремнийдан кремний карбидына: Көчле электроникада парадигма үзгәреше Ярты гасырдан артык вакыт дәвамында кремний көчле электрониканың нигезе булып тора. Ләкин, электр транспорт чаралары, яңартыла торган энергия системалары, ясалма интеллект мәгълүмат үзәкләре һәм аэрокосмик платформалар югарырак көчәнешкә, югарырак температурага таба омтылганда...Күбрәк укыгыз -
4H-SiC һәм 6H-SiC арасындагы аерма: Сезнең проектыгыз өчен нинди субстрат кирәк?
Кремний карбиды (SiC) хәзер нишалы ярымүткәргеч кенә түгел. Аның гаҗәеп электр һәм җылылык үзлекләре аны киләсе буын электр электроникасы, электроэлектротрансформаторлар, радиоешлык җайланмалары һәм югары ешлыклы кушымталар өчен алыштыргысыз итә. SiC политиплары арасында 4H-SiC һәм 6H-SiC базарда өстенлек итә, ләкин...Күбрәк укыгыз -
Ярымүткәргеч кушымталар өчен югары сыйфатлы сапфир субстратын нәрсә ясый?
Кереш Сапфир субстратлары заманча ярымүткәргечләр җитештерүдә, бигрәк тә оптоэлектроникада һәм киң полосалы җайланмалар куллануда төп роль уйный. Алюминий оксидының (Al₂O₃) монокристалл формасы буларак, сапфир механик катылык, җылылык тотрыклылыгының уникаль комбинациясен тәкъдим итә...Күбрәк укыгыз -
Кремний карбиды эпитаксиясе: процесс принциплары, калынлыкны контрольдә тоту һәм җитешсезлекләр белән бәйле проблемалар
Кремний карбиды (SiC) эпитаксиясе заманча электр электроникасы революциясенең үзәгендә тора. Электр транспорт чараларыннан алып яңартыла торган энергия системаларына һәм югары вольтлы сәнәгать приводларына кадәр, SiC җайланмаларының эшләве һәм ышанычлылыгы схема конструкциясенә түгел, ә берничә микрометр эчендә нәрсә булачагына бәйле...Күбрәк укыгыз -
Субстраттан көч үзгәрткеченә кадәр: алдынгы көч системаларында кремний карбидының төп роле
Хәзерге заман электр электроникасында җайланманың нигезе еш кына бөтен системаның мөмкинлекләрен билгели. Кремний карбиды (SiC) субстратлары трансформацияләүче материаллар буларак барлыкка килде, бу югары вольтлы, югары ешлыклы һәм энергияне нәтиҗәле кулланучы яңа буын электр системаларын булдыру мөмкинлеген бирде. Атомнан...Күбрәк укыгыз -
Яңа технологияләрдә кремний карбидының үсеш потенциалы
Кремний карбиды (SiC) - заманча технологик алгарышларда мөһим компонент буларак әкренләп барлыкка килгән алдынгы ярымүткәргеч материал. Аның уникаль үзенчәлекләре - югары җылылык үткәрүчәнлеге, югары ватылу көчәнеше һәм югары куәт белән эшләү мөмкинлекләре - аны өстенлекле материал итә...Күбрәк укыгыз