12 дюймлы SIC субстрат кремний карбиды праймер-класс диаметры 300 мм зур размерлы 4H-N югары куәтле җайланма җылылыгын тарату өчен яраклы

12 дюймлы SIC субстрат кремний карбиды праймер сорты диаметры 300 мм зур размерлы 4H-N югары куәтле җайланма җылылык тарату өчен яраклы. Күрсәтелгән рәсем

Кыскача тасвирлама:

12 дюймлы кремний карбиды субстраты (SiC субстраты) - кремний карбиды монокристаллыннан ясалган зур күләмле, югары нәтиҗәле ярымүткәргеч материал субстраты. Кремний карбиды (SiC) - киң полосалы ярымүткәргеч материал, ул югары куәтле, югары ешлыклы һәм югары температуралы мохиттә электрон җайланмалар җитештерүдә киң кулланыла. 12 дюймлы (300 мм) субстрат - кремний карбиды технологиясенең хәзерге алдынгы спецификациясе, ул җитештерү нәтиҗәлелеген сизелерлек яхшырта һәм чыгымнарны киметә ала.

Безгә электрон почта җибәрегез

Үзенчәлекләр

Продукция үзенчәлекләре

1. Югары җылылык үткәрүчәнлеге: кремний карбидының җылылык үткәрүчәнлеге кремнийныкыннан 3 тапкырдан артык, бу югары куәтле җайланма җылылыгын тарату өчен яраклы.

2. Югары ватылу кыры көче: Ватылу кыры көче кремнийныкыннан 10 тапкыр артыграк, югары басымлы кушымталар өчен яраклы.

3. Киң зона арасы: зона арасы 3,26 эВ (4H-SiC), югары температура һәм югары ешлыклы кушымталар өчен яраклы.

4. Югары катылык: Мохс катылыгы 9,2, алмаздан гына калыша, бик яхшы тузуга чыдам һәм механик ныклык.

5. Химик тотрыклылык: көчле коррозиягә чыдамлык, югары температурада һәм каты мохиттә тотрыклы эшләү.

6. Зур үлчәм: 12 дюйм (300 мм) субстрат, җитештерү нәтиҗәлелеген арттыра, берәмлек бәясен киметә.

7. Түбән кимчелек тыгызлыгы: түбән кимчелек тыгызлыгын һәм югары консистенцияне тәэмин итү өчен югары сыйфатлы монокристалл үстерү технологиясе.

Продукциянең төп куллану юнәлеше

1. Көчле электроника:

Мосфетлар: Электромобильләрдә, сәнәгать моторларында һәм көч үзгәрткечләрендә кулланыла.

Диодлар: мәсәлән, Шоттки диодлары (SBD), нәтиҗәле төзәтү һәм коммутацияләү өчен кулланыла.

2. Радиоелемтәләр җайланмалары:

Радиоелемтәләр өчен көчәйткеч: 5G элемтә база станцияләрендә һәм юлдаш элемтәсендә кулланыла.

Микродулкынлы җайланмалар: Радар һәм сымсыз элемтә системалары өчен яраклы.

3. Яңа энергияле транспорт чаралары:

Электр привод системалары: электр транспорт чаралары өчен мотор контроллерлары һәм инверторлар.

Зарядка өеме: җиһазларны тиз зарядлау өчен көч модуле.

4. Сәнәгать кулланылышы:

Югары көчәнешле инвертор: сәнәгать моторын контрольдә тоту һәм энергия белән идарә итү өчен.

Акыллы челтәр: HVDC тапшыру һәм көч электроникасы трансформаторлары өчен.

5. Аэрокосмик:

Югары температуралы электроника: аэрокосмик җиһазларның югары температуралы мохите өчен яраклы.

6. Фәнни тикшеренү өлкәсе:

Киң полосалы ярымүткәргечләрне тикшерү: яңа ярымүткәргеч материаллар һәм җайланмалар эшләү өчен.

12 дюймлы кремний карбиды субстраты - югары җылылык үткәрүчәнлеге, югары ватылу кыры көче һәм киң полоса аралыгы кебек искиткеч үзенчәлекләргә ия булган югары нәтиҗәле ярымүткәргеч материал субстраты төре. Ул көч электроникасында, радиоешлык җайланмаларында, яңа энергия машиналарында, сәнәгать контролендә һәм аэрокосмик тармакта киң кулланыла, һәм киләсе буын нәтиҗәле һәм югары куәтле электрон җайланмаларны үстерү өчен төп материал булып тора.

Хәзерге вакытта кремний карбид субстратлары AR күзлекләре кебек кулланучы электроникасында турыдан-туры кулланылышлары азрак булса да, аларның нәтиҗәле энергия белән идарә итү һәм миниатюрлаштырылган электроника өлкәсендәге потенциалы киләчәктә AR/VR җайланмалары өчен җиңел, югары җитештерүчәнлекле энергия белән тәэмин итү чишелешләрен тәэмин итә ала. Хәзерге вакытта кремний карбид субстратының төп үсеше яңа энергия транспорт чаралары, элемтә инфраструктурасы һәм сәнәгать автоматизациясе кебек сәнәгать өлкәләренә тупланган һәм ярымүткәргечләр сәнәгатенең нәтиҗәлерәк һәм ышанычлырак юнәлештә үсешенә ярдәм итә.

XKH югары сыйфатлы 12 "SIC субстратларын комплекслы техник ярдәм һәм хезмәтләр белән тәэмин итәргә омтыла, шул исәптән:

1. Заказ буенча җитештерү: Клиент ихтыяҗларына карап, төрле каршылык, кристалл юнәлеше һәм өслек эшкәртү субстраты тәэмин итәргә тиеш.

2. Процессларны оптимальләштерү: Продукциянең нәтиҗәлелеген яхшырту өчен клиентларга эпитаксиаль үсеш, җайланмалар җитештерү һәм башка процесслар буенча техник ярдәм күрсәтү.

3. Сынау һәм сертификацияләү: Субстратның сәнәгать стандартларына туры килүен тәэмин итү өчен катгый җитешсезлекләрне ачыклау һәм сыйфат сертификациясен тәэмин итү.

4. Фәнни-тикшеренү һәм тәҗрибә хезмәттәшлеге: Технологик инновацияләрне алга этәрү өчен клиентлар белән берлектә яңа кремний карбиды җайланмаларын эшләү.

Мәгълүматлар диаграммасы

1,2 дюймлы кремний карбиды (SiC) субстраты спецификациясе
Дәрәҗә		ZeroMPD җитештерү Дәрәҗә (Z дәрәҗәсе)	Стандарт җитештерү Дәрәҗә (P дәрәҗәсе)		Макет дәрәҗәсе (D дәрәҗәсе)
Диаметр		300 мм~305 мм
Калынлыгы	4H-N	750 мкм±15 мкм	750 мкм±25 мкм
	4H-SI	750 мкм±15 мкм	750 мкм±25 мкм
Вафли юнәлеше		Күчтән читтә: 4H-N өчен <1120 >±0.5° юнәлешендә 4.0°, Күчтә: 4H-SI өчен <0001>±0.5°
Микроторба тыгызлыгы	4H-N	≤0.4 см-2	≤4 см-2		≤25 см-2
	4H-SI	≤5 см-2	≤10 см-2		≤25 см-2
Каршылык	4H-N	0,015~0,024 Ω·см			0,015~0,028 Ω·см
	4H-SI	≥1E10 Ω·см			≥1E5 Ω·см
Төп яссылык ориентациясе		{10-10} ±5.0°
Башлангыч яссы озынлык	4H-N	Юк
	4H-SI	Уклык
Кыр чикләрен чыгару		3 мм
LTV/TTV/Bow /Warp		≤5μm / ≤15μm / ≤35 μm / ≤55 μm			≤5μm / ≤15μm / ≤35 □ μm / ≤55 □ μm
Тупаслык		Полякча Ra≤1 нм
		CMP Ra≤0.2 нм			Ra≤0,5 нм
Югары интенсивлыклы яктылык белән кырый ярылулары Югары интенсивлыклы яктылык ярдәмендә алты почмаклы пластиналар Югары интенсивлыклы яктылык ярдәмендә политип зоналары Күзгә күренеп ясалган углерод кушылмалары Югары интенсивлы яктылык белән кремний өслегендәге сызыклар		Юк Тупланган мәйдан ≤0,05% Юк Тупланган мәйдан ≤0,05% Юк			Кумулятив озынлык ≤ 20 мм, бер озынлык ≤ 2 мм Тупланган мәйдан ≤0.1% Кумулятив мәйдан ≤3% Тупланган мәйдан ≤3% Кумулятив озынлык ≤1 × пластина диаметры
Югары интенсивлыклы яктылык белән кырый чиплары		Киңлеге һәм тирәнлеге ≥0,2 мм булырга тиеш түгел			7 рөхсәт ителә, һәрберсе ≤1 мм
(TSD) Җепле винт чыгару		≤500 см-2		Юк
(BPD) Нигез яссылыгы дислокациясе		≤1000 см-2		Юк
Кремний өслегенең югары интенсивлы яктылык белән пычрануы		Юк
Упаковка		Күп вафлилы кассета яки бер вафлилы савыт
Искәрмәләр:
1 Кимчелекләр чикләре, кырыйларны чыгару өлкәсеннән кала, пластинаның бөтен өслегенә кагыла. 2 Сыдырылган урыннарны бары тик Si йөзендә генә тикшерергә кирәк. 3 Дислокация мәгълүматлары KOH белән бизәлгән пластиналардан гына алынган.

XKH зур күләмле, түбән кимчелекле һәм югары консистенцияле 12 дюймлы кремний карбид субстратларын булдыруны алга этәрү өчен тикшеренүләргә һәм эшләнмәләргә инвестицияләр салуны дәвам итәчәк, ә XKH кулланучы электроникасы (мәсәлән, AR/VR җайланмалары өчен көч модульләре) һәм квант исәпләүләре кебек яңа өлкәләрдә куллануны өйрәнә. Чыгымнарны киметү һәм куәтне арттыру аша XKH ярымүткәргечләр сәнәгатенә чәчәк ату китерәчәк.