3 дюймлы 76.2 мм 4H-ярым SiC субстрат пластинасы Кремний карбиды ярым-өчүче SiC пластиналары

Кыскача тасвирлама:

Электроника һәм оптоэлектроника сәнәгате өчен югары сыйфатлы монокристалл SiC пластинасы (Кремний карбиды). 3 дюймлы SiC пластинасы - киләсе буын ярымүткәргеч материал, 3 дюймлы диаметрлы ярымизоляцияле кремний-карбид пластиналары. Пластиналар электр, радиоешлык һәм оптоэлектроника җайланмаларын җитештерү өчен тәгаенләнгән.


Үзенчәлекләр

Тасвирлама

3 дюймлы 4H ярымизоляцияле SiC (кремний карбиды) субстрат пластиналары еш кулланыла торган ярымүткәргеч материал. 4H тетрагексахадр кристалл структурасын күрсәтә. Ярымизоляция субстратның югары каршылык үзенчәлекләренә ия булуын һәм аны ток агымыннан берникадәр аерып алырга мөмкин булуын аңлата.

Мондый субстрат пластиналары түбәндәге үзенчәлекләргә ия: югары җылылык үткәрүчәнлеге, түбән үткәрүчәнлек югалтулары, югары температурага чыдамлыгы һәм механик һәм химик тотрыклылыгы бик яхшы. Кремний карбиды киң энергия аермасына ия булганга һәм югары температураларга һәм югары электр кыры шартларына чыдам булганга, 4H-SiC ярымизоляцияләнгән пластиналар көч электроникасында һәм радиоешлык (RF) җайланмаларында киң кулланыла.

4H-SiC ярымизоляцияле пластиналарның төп кулланылыш өлкәләре:

1--Көч электроникасы: 4H-SiC пластиналары MOSFET (Металл оксиды ярымүткәргечле кыр эффекты транзисторлары), IGBT (Изоляцияләнгән капкалы биполяр транзисторлар) һәм Шоттки диодлары кебек көч күчерү җайланмаларын җитештерү өчен кулланылырга мөмкин. Бу җайланмалар югары көчәнешле һәм югары температуралы мохиттә үткәрүчәнлек һәм күчерү югалтуларын түбәнрәк күрсәтәләр һәм югарырак нәтиҗәлелек һәм ышанычлылык тәкъдим итәләр.

2--Радиоешлык (RF) җайланмалары: 4H-SiC ярымизоляцияләнгән пластиналар югары куәтле, югары ешлыклы RF көч көчәйткечләрен, чип резисторларын, фильтрларны һәм башка җайланмаларны ясау өчен кулланылырга мөмкин. Кремний карбиды электроннарның туендырылу тизлегенең зуррак булуы һәм югарырак җылылык үткәрүчәнлеге аркасында югары ешлыклы күрсәткечләргә һәм җылылык тотрыклылыгына ия.

3--Оптоэлектрон җайланмалар: 4H-SiC ярымизоляцияләнгән пластиналар югары куәтле лазер диодлары, ультрафиолет яктылык детекторлары һәм оптоэлектрон интеграль схемалар җитештерү өчен кулланылырга мөмкин.

Базар юнәлеше ягыннан, 4H-SiC ярымизоляцияләнгән пластиналарга ихтыяҗ көч электроникасы, радиоешлыклар һәм оптоэлектроника өлкәләренең үсүе белән арта. Бу кремний карбидының киң кулланылышлы булуы белән бәйле, шул исәптән энергия нәтиҗәлелеге, электр транспорт чаралары, яңартыла торган энергия һәм элемтә. Киләчәктә 4H-SiC ярымизоляцияләнгән пластиналар базары бик өметле булып кала һәм төрле кулланылышларда гадәти кремний материалларын алыштырыр дип көтелә.

җентекле схема

4H-Ярым SiC субстрат пластинасы Кремний карбиды Ярым-өчүче SiC пластиналары (1)
4H-Ярым SiC субстрат пластинасы Кремний карбиды Ярым үпкәләүче SiC пластиналары (2)
4H-Ярым SiC субстрат пластинасы Кремний карбиды Ярым-өчүче SiC пластиналары (3)

  • Алдагысы:
  • Киләсе:

  • Хәбәрегезне монда языгыз һәм безгә җибәрегез