3 дюймлы югары сафлыклы ярымизоляцияле （HPSI）SiC пластинасы 350 мкм макет класслы, беренче класслы
Кушымта
HPSI SiC пластиналары төрле югары җитештерүчән кушымталарда кулланыла торган киләсе буын көч җайланмаларын эшләтеп җибәрүдә мөһим роль уйный:
Көч үзгәртү системалары: SiC пластиналары электр схемаларында нәтиҗәле көч үзгәртү өчен бик мөһим булган көч MOSFET, диод һәм IGBT кебек көч җайланмалары өчен төп материал булып хезмәт итә. Бу компонентлар югары нәтиҗәле көч тәэмин итү җайланмаларында, мотор приводларында һәм сәнәгать инверторларында очрый.
Электр транспорт чаралары (ЭК):Электромобильләргә ихтыяҗ арту сәбәпле, нәтиҗәлерәк көч электроникасы куллану зарурлыгы туа, һәм SiC пластиналары бу трансформациянең алгы сафында тора. Электромобильләрнең көч агрегатларында бу пластиналар югары нәтиҗәлелек һәм тиз алыштыру мөмкинлекләре бирә, бу исә тизрәк зарядка вакытын, озынрак диапазонны һәм автомобильнең гомуми эшчәнлеген яхшыртуга ярдәм итә.
Яңартыла торган энергия:Кояш һәм җил энергиясе кебек яңартыла торган энергия системаларында SiC пластиналары энергияне нәтиҗәлерәк тоту һәм бүлү мөмкинлеген бирә торган инверторларда һәм конвертерларда кулланыла. SiC-ның югары җылылык үткәрүчәнлеге һәм югары дәрәҗәдәге җимерелү көчәнеше бу системаларның, хәтта экстремаль әйләнә-тирә мохит шартларында да, ышанычлы эшләвен тәэмин итә.
Сәнәгать автоматизациясе һәм робототехника:Сәнәгать автоматизациясе системаларында һәм робототехникада югары җитештерүчәнлекле көч электроникасы тиз алышына, зур көч йөкләнешләрен эшкәртә һәм югары көчәнеш астында эшли ала торган җайланмалар таләп итә. SiC нигезендәге ярымүткәргечләр, хәтта авыр эш мохитендә дә, югарырак нәтиҗәлелек һәм ныклык тәэмин итеп, бу таләпләргә җавап бирә.
Телекоммуникация системалары:Телекоммуникация инфраструктурасында, югары ышанычлылык һәм энергияне нәтиҗәле үзгәртү мөһим булган очракта, SiC пластиналары электр белән тәэмин итүдә һәм DC-DC конвертерларында кулланыла. SiC җайланмалары энергия куллануны киметергә һәм мәгълүмат үзәкләрендә һәм элемтә челтәрләрендә система эшчәнлеген яхшыртырга ярдәм итә.
Югары куәтле кушымталар өчен ныклы нигез тәэмин итеп, HPSI SiC пластинасы энергияне нәтиҗәле кулланучы җайланмалар эшләү мөмкинлеген бирә, сәнәгать предприятиеләренә яшелрәк һәм тотрыклырак чишелешләргә күчәргә ярдәм итә.
Үзлекләр
| операция | Җитештерү дәрәҗәсе | Тикшеренү дәрәҗәсе | Макет дәрәҗәсе |
| Диаметр | 75,0 мм ± 0,5 мм | 75,0 мм ± 0,5 мм | 75,0 мм ± 0,5 мм |
| Калынлыгы | 350 мкм ± 25 мкм | 350 мкм ± 25 мкм | 350 мкм ± 25 мкм |
| Вафли юнәлеше | Күчтә: <0001> ± 0.5° | Күчтә: <0001> ± 2.0° | Күчтә: <0001> ± 2.0° |
| Пластинкаларның 95% өчен микроторба тыгызлыгы (MPD) | ≤ 1 см⁻² | ≤ 5 см⁻² | ≤ 15 см⁻² |
| Электр каршылыгы | ≥ 1E7 Ω·см | ≥ 1E6 Ω·см | ≥ 1E5 Ω·см |
| Допант | Допировкаланмаган | Допировкаланмаган | Допировкаланмаган |
| Төп яссылык ориентациясе | {11-20} ± 5.0° | {11-20} ± 5.0° | {11-20} ± 5.0° |
| Башлангыч яссы озынлык | 32,5 мм ± 3,0 мм | 32,5 мм ± 3,0 мм | 32,5 мм ± 3,0 мм |
| Икенчел яссы озынлык | 18,0 мм ± 2,0 мм | 18,0 мм ± 2,0 мм | 18,0 мм ± 2,0 мм |
| Икенчел яссы ориентация | Si өскә каратып: төп яссылыктан 90° CW ± 5.0° | Si өскә каратып: төп яссылыктан 90° CW ± 5.0° | Si өскә каратып: төп яссылыктан 90° CW ± 5.0° |
| Кыр чикләрен чыгару | 3 мм | 3 мм | 3 мм |
| LTV/TTV/Bow/Warp | 3 µm / 10 µm / ± 30 µm / 40 µm | 3 µm / 10 µm / ± 30 µm / 40 µm | 5 µm / 15 µm / ± 40 µm / 45 µm |
| Өслекнең катылыгы | C-сыман бит: Ясалтылган, Si-сыман бит: CMP | C-сыман бит: Ясалтылган, Si-сыман бит: CMP | C-сыман бит: Ясалтылган, Si-сыман бит: CMP |
| Ярыклар (югары интенсивлыклы яктылык белән тикшерелгән) | Юк | Юк | Юк |
| Алты почмаклы пластиналар (югары интенсивлыклы яктылык белән тикшерелгән) | Юк | Юк | Тупланган мәйдан 10% |
| Политип өлкәләре (югары интенсивлыклы яктылык белән тикшерелә) | Тупланган мәйдан 5% | Тупланган мәйдан 5% | Тупланган мәйдан 10% |
| Сыдырылулар (югары интенсивлыклы яктылык белән тикшерелгән) | ≤ 5 сыдырылу, гомуми озынлык ≤ 150 мм | ≤ 10 сыдырылу, гомуми озынлык ≤ 200 мм | ≤ 10 сыдырылу, гомуми озынлык ≤ 200 мм |
| Кырыйларны ваклау | Рөхсәт ителми ≥ 0,5 мм киңлек һәм тирәнлек | 2 рөхсәт ителә, ≤ 1 мм киңлек һәм тирәнлек | 5 рөхсәт ителә, ≤ 5 мм киңлек һәм тирәнлек |
| Өслек пычрануы (югары интенсивлыклы яктылык белән тикшерелә) | Юк | Юк | Юк |
Төп өстенлекләр
Югары җылылык күрсәткечләре: SiC'ның югары җылылык үткәрүчәнлеге көч җайланмаларында җылылыкны нәтиҗәле таратуны тәэмин итә, бу аларга югарырак көч дәрәҗәләрендә һәм ешлыкларда артык кыздырмыйча эшләргә мөмкинлек бирә. Бу кечерәк, нәтиҗәлерәк системаларга һәм озаграк эшләү гомеренә китерә.
Югары ватылу көчәнеше: Кремний белән чагыштырганда киңрәк зона белән SiC пластиналары югары көчәнешле кушымталарны хуплый, бу аларны югары ватылу көчәнешләренә чыдам булырга тиешле көч электрон компонентлары өчен идеаль итә, мәсәлән, электр транспорт чараларында, электр челтәр системаларында һәм яңартыла торган энергия системаларында.
Энергия югалтуларын киметү: SiC җайланмаларының түбән каршылыгы һәм тиз алыштыру тизлеге эш вакытында энергия югалтуларын киметә. Бу нәтиҗәлелекне генә түгел, ә алар урнаштырылган системаларның гомуми энергия экономиясен дә арттыра.
Катлаулы мохиттә ышанычлылыкны арттыру: SiC'ның ныклы материал үзенчәлекләре аңа югары температуралар (600°C кадәр), югары көчәнешләр һәм югары ешлыклар кебек экстремаль шартларда эшләргә мөмкинлек бирә. Бу SiC пластиналарын сәнәгать, автомобиль һәм энергетика өлкәсендә куллану өчен яраклы итә.
Энергия нәтиҗәлелеге: SiC җайланмалары традицион кремний нигезендәге җайланмаларга караганда югарырак энергия тыгызлыгы тәкъдим итә, бу электр электрон системаларының зурлыгын һәм авырлыгын киметә, шул ук вакытта аларның гомуми нәтиҗәлелеген яхшырта. Бу яңартыла торган энергия һәм электр машиналары кебек кушымталарда чыгымнарны экономияләргә һәм әйләнә-тирә мохиткә йогынтыны киметүгә китерә.
Масштаблау мөмкинлеге: HPSI SiC пластинасының 3 дюйм диаметры һәм төгәл җитештерү чыдыйлары аның күпләп җитештерү өчен масштаблануын тәэмин итә, тикшеренү һәм коммерция җитештерү таләпләренә туры килә.
Йомгак
3 дюйм диаметрлы һәм 350 мкм ± 25 мкм калынлыктагы HPSI SiC пластинасы югары җитештерүчәнлекле электрон җайланмаларның киләсе буыны өчен оптималь материал булып тора. Аның җылылык үткәрүчәнлеге, югары ватылу көчәнеше, түбән энергия югалтулары һәм экстремаль шартларда ышанычлылыкның уникаль кушылмасы аны энергияне үзгәртү, яңартыла торган энергия, электр транспорт чаралары, сәнәгать системалары һәм телекоммуникацияләрдә төрле кушымталар өчен мөһим компонент итә.
Бу SiC пластинасы, аеруча, югарырак нәтиҗәлелеккә, энергияне күбрәк экономияләүгә һәм системаның ышанычлылыгын яхшыртуга омтылган тармаклар өчен бик уңайлы. Энергия электроникасы технологияләре үсештә дәвам иткән саен, HPSI SiC пластинасы киләсе буын, энергияне нәтиҗәле кулланучы чишелешләр эшләү өчен нигез булып тора, тотрыклырак, аз углеродлы киләчәккә күчүне этәрә.
җентекле схема
