4H-SiC эпитаксиаль пластиналар ультра югары көчәнешле MOSFETлар өчен (100–500 мкм, 6 дюйм)

Югары көчәнешле MOSFETлар өчен 4H-SiC эпитаксиаль пластиналар (100–500 мкм, 6 дюйм) Күрсәтелгән рәсем

Кыскача тасвирлама:

Электр транспорт чаралары, акыллы челтәрләр, яңартыла торган энергия системалары һәм югары куәтле сәнәгать җиһазларының тиз үсеше югарырак көчәнешләрне, югарырак куәт тыгызлыгын һәм югарырак нәтиҗәлелекне эшкәртә алырлык ярымүткәргеч җайланмаларга кискен ихтыяҗ тудырды. Киң полосалы ярымүткәргечләр арасында,кремний карбиды (SiC)киң зона аралыгы, югары җылылык үткәрүчәнлеге һәм югары критик электр кыры көчәнеше белән аерылып тора.

Безгә электрон почта җибәрегез

Үзенчәлекләр

җентекле схема

Продукциягә гомуми күзәтү

Безнең4H-SiC эпитаксиаль пластиналарөчен махсус эшләнгәнультра югары көчәнешле MOSFET кушымталарыЭпитаксиаль катламнар белән100 мкм - 500 мкм on 6 дюймлы (150 мм) субстратлар, бу пластиналар кВ класслы җайланмалар өчен кирәкле озайтылган дрейф өлкәләрен тәэмин итә, шул ук вакытта кристаллның гаҗәеп сыйфатын һәм масштабланучанлыгын саклый. Стандарт калынлыклар 100 мкм, 200 мкм һәм 300 мкм тәшкил итә, аларны көйләү мөмкинлеге дә бар.

Эпитаксиаль катлам калынлыгы

Эпитаксиаль катлам MOSFET эшчәнлеген билгеләүдә, аеруча алар арасындагы баланста хәлиткеч роль уйный.ватылу көчәнешеһәмкаршы тору.

100–200 мкмУртача һәм югары көчәнешле MOSFETлар өчен оптимальләштерелгән, үткәрүчәнлек нәтиҗәлелеге һәм блоклау көче арасында бик яхшы баланс тәкъдим итә.
200–500 мкм: Югары көчәнешле җайланмалар (10 кВ+) өчен яраклы, бу озак вакытлы тайпылыш өлкәләрендә ныклы ватылу үзенчәлекләрен тәэмин итә.

Тулы диапазон буенча,калынлыкның бердәмлеге ±2% эчендә контрольдә тотыла, пластинадан пластинага һәм партиядән партиягә эзлеклелекне тәэмин итә. Бу сыгылучанлык дизайнерларга массакүләм җитештерүдә кабатланучанлыкны саклап калып, максатчан көчәнеш класслары өчен җайланма эшчәнлеген көйләргә мөмкинлек бирә.

Җитештерү процессы

Безнең пластиналар кулланылаиң заманча CVD (Химик пар утырту) эпитаксиясе, бу хәтта бик калын катламнар өчен дә калынлыкны, легирлауны һәм кристалл сыйфатын төгәл контрольдә тотарга мөмкинлек бирә.

Йөрәк-кан тамырлары эпитаксиясе– Югары сафлыктагы газлар һәм оптимальләштерелгән шартлар тигез өслекләр һәм түбән кимчелек тыгызлыгы тәэмин итә.
Калын катлам үсеше– Үзенчәлекле процесс рецептлары эпитаксиаль калынлыкка кадәр мөмкинлек бирә500 мкмбик яхшы бердәмлек белән.
Допинг контроле– Концентрацияне көйләү мөмкинлеге1×10¹⁴ – 1×10¹⁶ см⁻³, бер төрлелеге ±5% тан яхшырак.
Өслекне әзерләү– Вафлилар кичерәCMP полировкасыһәм катгый тикшерү, капка оксидлашуы, фотолитография һәм металлизация кебек алдынгы процесслар белән туры килүчәнлекне тәэмин итү.

Төп өстенлекләр

Аеруча югары көчәнешле мөмкинлек– Калын эпитаксиаль катламнар (100–500 мкм) кВ класслы MOSFET конструкцияләрен хуплый.
Гаҗәеп кристалл сыйфаты– Түбән дислокация һәм базаль яссылык җитешсезлек тыгызлыгы ышанычлылыкны тәэмин итә һәм агып чыгуны минимальләштерә.
6 дюймлы зур субстратлар– Зур күләмдә җитештерүне хуплау, җайланма өчен чыгымнарны киметү һәм искиткеч туры килүчәнлек.
Югары җылылык үзенчәлекләре– Югары җылылык үткәрүчәнлеге һәм киң зона югары куәттә һәм температурада нәтиҗәле эшләү мөмкинлеген бирә.
Көйләнерлек параметрлар– Калынлык, легирлау, юнәлеш һәм өслекнең бизәлеше билгеле бер таләпләргә туры китереп көйләнергә мөмкин.

Гадәти спецификацияләр

Параметр	Спецификация
Үткәргечлек төре	N-тип (азот белән кушылган)
Каршылык	Теләсә нинди
Күчтән читтәге почмак	4° ± 0,5° ([11-20] ягына)
Кристалл юнәлеше	(0001) Si-йөз
Калынлыгы	200–300 мкм (100–500 мкм көйләп була)
Өслек бизәлеше	Алгы ягы: CMP ялтыратылган (epi-ready) Арткы ягы: капланган яки ялтыратылган
TTV	≤ 10 мкм
Бау/Вөрп	≤ 20 мкм

Куллану өлкәләре

4H-SiC эпитаксиаль пластиналар идеаль рәвештә туры киләЮгары көчәнешле системаларда MOSFETлар, шул исәптән:

Электромобиль тарту инверторлары һәм югары вольтлы зарядка модульләре
Акыллы челтәр тапшыру һәм тарату җиһазлары
Яңартыла торган энергия инверторлары (кояш, җил, саклагыч)
Югары куәтле сәнәгать тәэминаты һәм коммутация системалары

еш бирелә торган сораулар

1 нче сорау: Үткәргечлек төре нинди?
A1: N-тип, азот белән легирланган — MOSFETлар һәм башка көч җайланмалары өчен сәнәгать стандарты.

2 нче сорау: Нинди эпитаксиаль калынлыклар бар?
A2: 100–500 мкм, стандарт вариантлар 100 мкм, 200 мкм һәм 300 мкм. Сорау буенча махсус калынлыклар тәкъдим ителә.

3 нче сорау: Пластинаның юнәлеше һәм күчәрдән читтә почмагы нинди?
A3: (0001) Si-йөз, [11-20] юнәлешенә күчәрдән 4° ± 0,5° читтә.

Безнең турында

XKH махсус оптик пыяла һәм яңа кристалл материалларын югары технологияләр белән эшләү, җитештерү һәм сату белән шөгыльләнә. Безнең продуктлар оптик электроника, кулланучы электроникасы һәм хәрби хезмәтләр күрсәтә. Без сапфир оптик компонентлары, мобиль телефон линзалары каплагычлары, керамика, LT, кремний карбиды SIC, кварц һәм ярымүткәргеч кристалл пластиналары тәкъдим итәбез. Осталык һәм алдынгы җиһазлар белән без стандарт булмаган продуктларны эшкәртүдә алдынгы булып торабыз, югары технологияле оптоэлектрон материаллар җитештерүче алдынгы предприятие булырга омтылабыз.