6 дюймлы 4H СЕМИ типтагы SiC композит субстрат калынлыгы 500μm TTV≤5μm MOS маркасы

6 дюймлы 4H СЕМИ типтагы SiC композит субстрат Калынлыгы 500μm TTV≤5μm MOS дәрәҗәсе Күрсәтелгән рәсем

Кыскача тасвирлама:

5G элемтә һәм радар технологияләренең тиз үсеше белән, 6 дюймлы ярымизоляцияле SiC композит субстраты югары ешлыклы җайланмалар җитештерү өчен төп материалга әйләнде. Традицион GaAs субстратлары белән чагыштырганда, бу субстрат югары каршылыкны (>10⁸ Ω·см) саклый, шул ук вакытта җылылык үткәрүчәнлеген 5 тапкырдан артык яхшырта, миллиметр дулкынлы җайланмаларда җылылык тарату проблемаларын нәтиҗәле хәл итә. 5G смартфоннары һәм спутник элемтә терминаллары кебек көндәлек җайланмалардагы көч көчәйткечләре, мөгаен, шушы субстрат нигезендә эшләнгән. Безнең патентланган "буфер катламын легирлау компенсациясе" технологиясен кулланып, без микроторба тыгызлыгын 0,5/см² тан түбәнгә кадәр киметтек һәм 0,05 дБ/мм микродулкын югалтуларының бик түбән күрсәткеченә ирештек.

Безгә электрон почта җибәрегез

Үзенчәлекләр

Техник параметрлар

Әйберләр	Спецификация	Әйберләр	Спецификация
Диаметр	150±0.2 мм	Алгы (Si-бит) тигезсезлеге	Ra≤0.2 нм (5μm×5μm)
Политип	4H	Читтәге ватыклар, тырналган урыннар, ярыклар (күз белән карау)	Юк
Каршылык	≥1E8 Ω·см	TTV	≤5 мкм
Күчерү катламы калынлыгы	≥0.4 мкм	Варп	≤35 мкм
Бушлык (2мм>D>0.5мм)	≤5 данә вафли	Калынлыгы	500±25 мкм

Төп үзенчәлекләр

1. Гаҗәеп югары ешлыклы эш
6 дюймлы ярымизоляцияле SiC композит субстраты градацияләнгән диэлектрик катлам конструкциясен куллана, Ka-диапазонында (26,5-40 ГГц) диэлектрик даими үзгәрүне <2% тәэмин итә һәм фаза консистенциясен 40% ка яхшырта. Бу субстратны кулланган T/R модульләрендә нәтиҗәлелекне 15% ка арттыра һәм энергия куллануны 20% ка киметә.

2. Җылылык белән идарә итүнең алгы планы
Уникаль "термик күпер" композит структурасы 400 Вт/м·К ян җылылык үткәрүчәнлеген тәэмин итә. 28 ГГц 5G база станциясенең PA модульләрендә тоташу температурасы 24 сәгать өзлексез эшләгәннән соң нибары 28°C ка арта — бу гадәти эретмәләргә караганда 50°C түбәнрәк.

3. Вафли сыйфаты югары
Оптимальләштерелгән физик пар ташу (PVT) ысулы ярдәмендә без дислокация тыгызлыгы <500/см² һәм гомуми калынлык үзгәрүенә (TTV) <3 мкм ирешәбез.
4. Җитештерү өчен уңайлы эшкәртү
6 дюймлы ярымизоляцияле SiC композит субстраты өчен махсус эшләнгән лазер белән чистарту процессы эпитаксия алдыннан өслек торышы тыгызлыгын ике тапкыр киметә.

Төп кушымталар

1. 5G база станциясенең төп компонентлары
Массив MIMO антенна массивларында, 6 дюймлы ярымизоляцияле SiC композит субстратларындагы GaN HEMT җайланмалары 200 Вт чыгу куәтенә һәм >65% нәтиҗәлелеккә ирешә. 3,5 ГГц ешлыктагы кыр сынаулары каплау радиусының 30% ка артуын күрсәтте.

2. Спутник элемтә системалары
Бу субстратны кулланучы түбән Җир орбитасындагы (LEO) юлдаш кабул итүче-тапшыргычлар Q-диапазонында (40 ГГц) 8 дБ югарырак EIRP күрсәтә, шул ук вакытта авырлыкны 40% ка киметә. SpaceX Starlink терминаллары аны массакүләм җитештерү өчен кулланалар.

3. Хәрби радар системалары
Бу субстраттагы фазалы массивлы радар T/R модульләре 6-18 ГГц ешлык диапазонына һәм 1,2 дБ кадәр түбән тавыш күрсәткеченә ирешә, иртә кисәтү радар системаларында детекция диапазонын 50 км га киңәйтә.

4. Автомобиль миллиметр-дулкын радары
Бу субстратны кулланган 79 ГГц автомобиль радар чиплары почмак чишелешен 0,5° ка кадәр яхшырта, L4 автоном йөртү таләпләренә туры килә.

Без 6 дюймлы ярымизоляцияле SiC композит субстратлары өчен комплекслы шәхси хезмәт күрсәтү чишелеше тәкъдим итәбез. Материал параметрларын көйләүгә килгәндә, без 10⁶-10¹⁰ Ω·см диапазонында каршылыкны төгәл көйләүне хуплыйбыз. Аерым алганда, хәрби кулланылышлар өчен без >10⁹ Ω·см ультра югары каршылык вариантын тәкъдим итә алабыз. Ул бер үк вакытта 200μm, 350μm һәм 500μm өч калынлык спецификациясен тәкъдим итә, түземлелек ±10μm эчендә катгый контрольдә тотыла, югары ешлыклы җайланмалардан алып югары куәтле кулланылышларга кадәр төрле таләпләргә туры килә.

Өслек эшкәртү процессларына килгәндә, без ике профессиональ чишелеш тәкъдим итәбез: Химик механик полировка (ХМП) Ra <0,15 нм белән атом дәрәҗәсендәге өслек тигезлегенә ирешә ала, иң таләпчән эпитаксиаль үсеш таләпләрен канәгатьләндерә; Тиз җитештерү таләпләре өчен эпитаксиаль әзер өслек эшкәртү технологиясе Sq <0,3 нм һәм калдык оксид калынлыгы <1 нм булган ультра шома өслекләр бирә ала, бу клиент өчен алдан эшкәртү процессын сизелерлек гадиләштерә.

XKH 6 дюймлы ярымизоляцияле SiC композит субстратлары өчен комплекслы шәхси чишелешләр тәкъдим итә

1. Материал параметрларын көйләү
Без 10⁶-10¹⁰ Ω·см диапазонында төгәл каршылык көйләүләрен тәкъдим итәбез, хәрби/авиакосмик кушымталар өчен >10⁹ Ω·см махсуслаштырылган ультра югары каршылык вариантлары бар.

2. Калынлык спецификацияләре
Өч стандартлаштырылган калынлык варианты:

· 200 мкм (югары ешлыклы җайланмалар өчен оптимальләштерелгән)

· 350 мкм (стандарт спецификация)

· 500 мкм (югары куәтле кушымталар өчен эшләнгән)
· Барлык вариантлар да ±10 мкм калынлык чыдый торган чикләрне саклый.

3. Өслек эшкәртү технологияләре

Химик механик полировка (CMP): Ra <0.15 нм белән атом дәрәҗәсендәге өслек тигезлегенә ирешә, радиоешлыклы һәм көч җайланмалары өчен катгый эпитаксиаль үсеш таләпләрен канәгатьләндерә.

4. Epi-Ready өслек эшкәртү

· Sq <0.3 нм калынлыктагы бик шома өслекләр бирә

· Туган оксид калынлыгын <1 нм кадәр контрольдә тота

· Клиентлар учреждениеләрендә 3кә кадәр алдан эшкәртү этабын бетерә