6 дюймлы үткәргеч SiC композит субстраты, 4H диаметры 150 мм Ra≤0.2нм варп≤35μm

Кыскача тасвирлама:

Ярымүткәргечләр сәнәгатенең югарырак җитештерүчәнлек һәм түбәнрәк бәягә омтылышы нәтиҗәсендә, 6 дюймлы үткәргеч SiC композит субстраты барлыкка килде. Инновацион материал композит технологиясе ярдәмендә бу 6 дюймлы пластина традицион 8 дюймлы пластиналарның 85% җитештерүчәнлегенә ирешә, ә бәясе нибары 60% ка гына төшә. Көндәлек кулланылыштагы көч җайланмалары, мәсәлән, яңа энергияле транспорт чаралары зарядка станцияләре, 5G база станцияләренең көч модульләре һәм хәтта премиум сыйфатлы көнкүреш җиһазларындагы үзгәрүчән ешлыклы җайланмалар инде шушы төрдәге субстратларны куллана башлаган булырга мөмкин. Безнең патентланган күп катламлы эпитаксиаль үсеш технологиясе SiC нигезләрендә атом дәрәҗәсендәге яссы композит интерфейслар булдыру мөмкинлеген бирә, интерфейс халәте тыгызлыгы 1×10¹¹/см²·эВ тан түбәнрәк - бу спецификация халыкара дәрәҗәдәге алдынгы дәрәҗәләргә җиткән.

Безгә электрон почта җибәрегез

Үзенчәлекләр

Техник параметрлар

Әйберләр	Җитештерүдәрәҗә	Макетдәрәҗә
Диаметр	6-8 дюйм	6-8 дюйм
Калынлыгы	350/500±25.0 мкм	350/500±25.0 мкм
Политип	4H	4H
Каршылык	0,015-0,025 ом·см	0,015-0,025 ом·см
TTV	≤5 мкм	≤20 мкм
Варп	≤35 мкм	≤55 мкм
Алгы (Si-бит) тигезсезлеге	Ra≤0.2 нм (5μm×5μm)	Ra≤0.2 нм (5μm×5μm)

Төп үзенчәлекләр

1. Бәя өстенлеге: Безнең 6 дюймлы үткәргеч SiC композит субстратында чимал чыгымнарын 38% ка киметү өчен материал составын оптимальләштерә торган "градацияләнгән буфер катламы" технологиясе кулланыла, шул ук вакытта электр күрсәткечләре бик яхшы. Чын үлчәүләр күрсәткәнчә, бу субстратны кулланучы 650В MOSFET җайланмалары гадәти чишелешләр белән чагыштырганда берәмлек мәйданына чыгымнарны 42% ка киметә, бу кулланучы электроникасында SiC җайланмаларын куллануны алга этәрү өчен мөһим.
2. Бик яхшы үткәрүчәнлек үзенчәлекләре: Азот легирлавын төгәл контрольдә тоту процесслары аша, безнең 6 дюймлы үткәрүчән SiC композит субстраты 0,012-0,022Ω·см2 ультра түбән каршылыкка ирешә, вариация ±5% эчендә контрольдә тотыла. Шунысы игътибарга лаек, без хәтта пластинаның 5 мм кырый өлкәсендә дә каршылык бердәмлеген саклыйбыз, бу сәнәгатьтә күптәнге кырый эффекты проблемасын хәл итә.
3. Җылылык күрсәткечләре: Безнең субстрат кулланып эшләнгән 1200В/50А модуле тулы йөкләнеш режимында әйләнә-тирә мохиттән 45℃ гына тоташу температурасының артуын күрсәтә - бу кремний нигезендәге охшаш җайланмаларга караганда 65℃ түбәнрәк. Бу безнең "3D җылылык каналы" композит структурасы ярдәмендә мөмкин, ул ян җылылык үткәрүчәнлеген 380Вт/м·К кадәр һәм вертикаль җылылык үткәрүчәнлеген 290Вт/м·К кадәр яхшырта.
4. Процесс туры килүчәнлеге: 6 дюймлы үткәргеч SiC композит субстратларының уникаль структурасы өчен, без 0,3 мкм дан түбәнрәк кырыйларны ваклауны контрольдә тотып, 200 мм/с кисү тизлегенә ирешә торган туры килә торган яшерен лазер кисү процессын эшләдек. Моннан тыш, без турыдан-туры штамплауны тәэмин итүче алдан никель белән капланган субстрат вариантларын тәкъдим итәбез, бу клиентларга ике процесс адымын экономияләргә мөмкинлек бирә.

Төп кушымталар

Мөһим Smart Grid җиһазлары:

±800 кВ көчәнештә эшли торган ультра югары көчәнешле туры ток (UHVDC) тапшыру системаларында, безнең 6 дюймлы үткәргеч SiC композит субстратларын кулланучы IGCT җайланмалары гаҗәеп яхшыру күрсәтә. Бу җайланмалар коммутация процесслары вакытында коммутация югалтуларын 55% ка киметә, шул ук вакытта системаның гомуми нәтиҗәлелеген 99,2% тан арттыра. Субстратларның югары җылылык үткәрүчәнлеге (380 Вт/м·К) гадәти кремний нигезендәге эретмәләр белән чагыштырганда, подстанция эзен 25% ка киметә торган компакт конвертер конструкцияләрен булдырырга мөмкинлек бирә.

Яңа энергияле транспорт чарасының көч агрегатлары:

Безнең 6 дюймлы үткәргеч SiC композит субстратларын үз эченә алган йөртү системасы 45 кВт/л инверторның көч тыгызлыгына ирешә - бу аларның элеккеге 400 В кремний нигезендәге дизайны белән чагыштырганда 60% ка яхшырак. Иң гаҗәпләндергәне, система -40℃ дан +175℃ га кадәр барлык эш температурасы диапазонында 98% нәтиҗәлелекне саклый, төньяк климатта электромобильләрне куллануга комачаулаган салкын һава торышындагы эшчәнлек проблемаларын хәл итә. Реаль дөнья сынаулары бу технология белән җиһазландырылган машиналар өчен кышкы диапазонның 7,5% ка артуын күрсәтә.

Сәнәгать үзгәрүчән ешлыклы приводлар:

Сәнәгать серво системалары өчен акыллы көч модульләрендә (IPM) безнең субстратларны куллану җитештерү автоматизациясен үзгәртә. CNC эшкәртү үзәкләрендә бу модульләр 40% тизрәк мотор җавабын тәэмин итә (тизләнү вакытын 50 мс тан 30 мс ка кадәр киметә), шул ук вакытта электромагнит шау-шуны 15 дБ дан 65 дБ(А) га кадәр киметә.

Кулланучылар электроникасы:

Кулланучылар электроникасы революциясе безнең субстратларыбыз белән дәвам итә, алар киләсе буын 65 Вт GaN тиз зарядка җайланмаларын кулланырга мөмкинлек бирә. Бу компакт көч адаптерлары SiC нигезендәге конструкцияләрнең югары сыйфатлы күчерү үзенчәлекләре аркасында тулы куәт чыгаруны саклап калып, 30% күләмне киметә (45 см³ кадәр). Термик сурәтләү өзлексез эшләү вакытында максималь корпус температурасын нибары 68°C күрсәтә - гадәти конструкцияләргә караганда 22°C салкынрак - продуктның гомерен һәм куркынычсызлыгын сизелерлек яхшырта.

XKH көйләү хезмәтләре

XKH 6 дюймлы үткәргеч SiC композит субстратлары өчен комплекслы көйләү ярдәме күрсәтә:

Калынлыкны көйләү: 200 мкм, 300 мкм һәм 350 мкм спецификацияләрен үз эченә алган вариантлар
2. Каршылык контроле: n-типтагы легирлау концентрациясен 1×10¹⁸ дан 5×10¹⁸ см⁻³ га кадәр көйләргә мөмкин

3. Кристалл ориентациясе: (0001) күчәрдән читтә 4° яки 8° булган күп юнәлешләрне дә кертеп, берничә юнәлешне хуплау

4. Сынау хезмәтләре: Вафли дәрәҗәсендәге параметрларны тулысынча сынау отчетлары

Прототиплаштырудан алып күпләп җитештерүгә кадәр безнең хәзерге вакыт 8 атнага кадәр кыска булырга мөмкин. Стратегик клиентлар өчен без җайланма таләпләренә камил туры килүне тәэмин итү өчен махсус процессларны эшләү хезмәтләрен тәкъдим итәбез.