1600℃ температурада кремний карбиды синтез мичендә югары сафлыклы SiC чималын алу өчен CVD ысулы

Кыскача тасвирлама:

Кремний карбиды (SiC) синтез миче (CVD). Ул югары температуралы мохиттә ₄ газсыман кремний чыганакларын (мәсәлән, SiH₄, SiCl₄) алу өчен химик пар утырту (CVD) технологиясен куллана, анда алар углерод чыганакларына (мәсәлән, C₃H₈, CH₄) реакция ясыйлар. Субстратта (графит яки SiC орлыгы) югары сафлыклы кремний карбиды кристалларын үстерү өчен төп җайланма. Бу технология, нигездә, SiC монокристалл субстратын (4H/6H-SiC) әзерләү өчен кулланыла, ул электр ярымүткәргечләрен (мәсәлән, MOSFET, SBD) җитештерү өчен төп технологик җиһаз булып тора.

Безгә электрон почта җибәрегез

Үзенчәлекләр

Эш принцибы:

1. Прекурсор белән тәэмин итү. Кремний чыганагы (мәсәлән, SiH₄) һәм углерод чыганагы (мәсәлән, C₃H₈) газлары пропорциональ рәвештә кушыла һәм реакция камерасына кертелә.

2. Югары температурада таркалу: 1500 ~ 2300℃ югары температурада газ таркалуы Si һәм C актив атомнарын барлыкка китерә.

3. Өслек реакциясе: Si һәм C атомнары субстрат өслегенә урнаштырыла һәм SiC кристалл катламын барлыкка китерә.

4. Кристалл үсеше: температура градиентын, газ агымын һәм басымын контрольдә тоту аша c яки a күчәре буенча юнәлешле үсешкә ирешү.

Төп параметрлар:

· Температура: 1600~2200℃ (4H-SiC өчен >2000℃)

· Басым: 50~200 мбар (газ барлыкка килүен киметү өчен түбән басым)

· Газ нисбәте: Si/C≈1.0~1.2 (Si яки C баету кимчелекләрен булдырмас өчен)

Төп үзенчәлекләр:

(1) Кристалл сыйфаты
Түбән кимчелек тыгызлыгы: микротөтүкчәләр тыгызлыгы < 0,5 см ⁻², дислокация тыгызлыгы <10⁴ см⁻².

Поликристалл тибын контрольдә тоту: 4H-SiC (төп юнәлеш), 6H-SiC, 3C-SiC һәм башка кристалл төрләрен үстерә ала.

(2) Җиһазларның эшләве
Югары температура тотрыклылыгы: графит индукцион җылыту яки каршылыклы җылыту, температура > 2300℃.

Бердәмлекне контрольдә тоту: температура тирбәнеше ±5℃, үсеш тизлеге 10~50μm/сәг.

Газ системасы: Югары төгәллекле масса агымы үлчәгече (MFC), газ сафлыгы ≥99.999%.

(3) Технологик өстенлекләр
Югары сафлык: Фон катнашмасы концентрациясе <10¹⁶ см⁻³ (N, B һ.б.).

Зур күләм: 6 "/8" SiC субстрат үсешен хуплый.

(4) Энергия куллану һәм бәя
Югары энергия куллану (һәр мич өчен 200 ~ 500 кВт·сәг), SiC субстраты җитештерү бәясенең 30% ~ 50% тәшкил итә.

Төп кушымталар:

1. Көчле ярымүткәргеч субстрат: электр транспорт чаралары һәм фотоэлектрик инверторлар җитештерү өчен SiC MOSFETлар.

2. Радиоелемтәтле җайланма: 5G база станциясе GaN-on-SiC эпитаксиаль субстрат.

3. Экстремаль мохит җайланмалары: аэрокосмик һәм атом электр станцияләре өчен югары температура датчиклары.

Техник характеристика:

Спецификация	Детальләр
Үлчәмнәр (Озынлыгы × Киңлеге × Биеклеге)	4000 x 3400 x 4300 мм яки көйләү
Мич камерасының диаметры	1100 мм
Йөкләү сыйдырышлыгы	50 кг
Вакуумның чик дәрәҗәсе	10-2Па (молекуляр насос эшли башлаганнан соң 2 сәгать узгач)
Камера басымының күтәрелү тизлеге	≤10Па/сәг (кальцинациядән соң)
Мичнең аскы капкачын күтәрү хәрәкәте	1500 мм
Җылыту ысулы	Индукцион җылыту
Мичтәге максималь температура	2400°C
Җылыту энергиясе белән тәэмин итү	2X40кВт
Температураны үлчәү	Ике төсле инфракызыл температураны үлчәү
Температура диапазоны	900~3000℃
Температураны контрольдә тоту төгәллеге	±1°C
Контроль басымы диапазоны	1~700 мбар
Басым контроле төгәллеге	1~5мбар ±0.1мбар; 5~100мбар ±0.2мбар; 100~700мбар ±0.5мбар
Йөкләү ысулы	Түбән йөкләнеш;
Өстәмә конфигурация	Икеләтә температура үлчәү ноктасы, погрузчикны бушату.

XKH хезмәтләре:

XKH кремний карбидлы CVD мичләре өчен тулы цикллы хезмәтләр күрсәтә, шул исәптән җиһазларны көйләү (температура зонасын проектлау, газ системасын конфигурацияләү), процессларны эшләү (кристалл контроле, дефектларны оптимальләштерү), техник укыту (эксплуатацияләү һәм хезмәт күрсәтү) һәм сатудан соңгы ярдәм (төп компонентларның запас частьләре белән тәэмин итү, дистанцион диагностика), бу клиентларга югары сыйфатлы SiC субстрат массасы җитештерүенә ирешергә ярдәм итә. Һәм кристалл чыгышын һәм үсеш нәтиҗәлелеген даими яхшырту өчен процессларны яңарту хезмәтләрен күрсәтә.