Кремний пластинасындагы галлий нитриды 4 дюймлы 6 дюймлы махсуслаштырылган Si субстраты ориентациясе, каршылык һәм N-тип/P-тип вариантлары
Үзенчәлекләр
●Киң полоса аралыгы:GaN (3,4 эВ) традицион кремний белән чагыштырганда югары ешлыклы, югары куәтле һәм югары температуралы эшчәнлекне сизелерлек яхшырта, бу аны көч җайланмалары һәм РФ көчәйткечләре өчен идеаль итә.
●Көйләнергә мөмкин булган Si субстраты юнәлеше:Төрле җайланма таләпләренә туры килү өчен, <111>, <100> һәм башкалар кебек төрле Si субстрат юнәлешләреннән сайлагыз.
●Конфиденциаль каршылык:Җайланма эшчәнлеген оптимальләштерү өчен, Si өчен төрле каршылык вариантлары арасыннан сайлагыз, ярымизоляциядән алып югары каршылыклы һәм түбән каршылыклыга кадәр.
●Допинг төре:Көч җайланмалары, РФ транзисторлары яки LED таләпләренә туры килү өчен N-типтагы яки P-типтагы легирлауларда бар.
●Югары ватылу көчәнеше:GaN-on-Si пластиналары югары ватылу көчәнешенә ия (1200 В кадәр), бу аларга югары көчәнешле кушымталарны эшкәртергә мөмкинлек бирә.
●Күчерү тизлеген тизләтү:GaN кремнийга караганда югарырак электрон хәрәкәтчәнлегенә һәм түбәнрәк коммутация югалтуларына ия, бу GaN-on-Si пластиналарын югары тизлекле схемалар өчен идеаль итә.
●Җылылык сыйфатын яхшырту:Кремнийның түбән җылылык үткәрүчәнлегенә карамастан, GaN-on-Si традицион кремний җайланмаларына караганда яхшырак җылылык тарату белән югарырак җылылык тотрыклылыгы тәкъдим итә.
Техник характеристикалар
| Параметр | Бәя |
| Вафли зурлыгы | 4 дюймлы, 6 дюймлы |
| Si субстраты юнәлеше | <111>, <100>, махсус |
| Si каршылыгы | Югары каршылыклы, ярымизоляцияле, түбән каршылыклы |
| Допинг төре | N-тип, P-тип |
| GaN катламы калынлыгы | 100 нм – 5000 нм (көйләп була торган) |
| AlGaN барьер катламы | 24% – 28% Al (гадәти 10-20 нм) |
| Ватылу көчәнеше | 600В – 1200В |
| Электроннарның хәрәкәтчәнлеге | 2000 см²/V·с |
| Алмаштыру ешлыгы | 18 ГГц кадәр |
| Вафли өслегенең тигезсезлеге | RMS ~0,25 нм (AFM) |
| GaN катламына каршы торучанлык | 437.9 Ω·см² |
| Тулы вафли варпы | < 25 мкм (максимум) |
| Җылылык үткәрүчәнлеге | 1,3 – 2,1 Вт/см·К |
Кушымталар
Көч электроникасыGaN-on-Si яңартыла торган энергия системаларында, электр транспорт чараларында (EV) һәм сәнәгать җиһазларында кулланыла торган көчәйткечләр, конвертерлар һәм инверторлар кебек көч электроникасы өчен идеаль. Аның югары ватылу көчәнеше һәм түбән каршылыгы, хәтта югары көч куллануда да, энергияне нәтиҗәле үзгәртүне тәэмин итә.
Радиоелемтәләр һәм микродулкынлы элемтәGaN-on-Si пластиналары югары ешлыклы мөмкинлекләр тәкъдим итә, бу аларны RF көч көчәйткечләре, юлдаш элемтәсе, радар системалары һәм 5G технологияләре өчен идеаль итә. Югарырак коммутация тизлеге һәм югарырак ешлыкларда эшләү мөмкинлеге белән (... кадәр)18 ГГц), GaN җайланмалары бу кушымталарда югарырак эшчәнлек тәкъдим итә.
Автомобиль электроникасыGaN-on-Si автомобиль көч системаларында кулланыла, шул исәптәнборттагы зарядка җайланмалары (OBC)һәмDC-DC үзгәрткечләреАның югарырак температураларда эшләү һәм югарырак көчәнеш дәрәҗәләренә чыдам булу сәләте аны ныклы энергия үзгәртүне таләп итә торган электр транспорт чаралары өчен яхшы туры килә.
LED һәм оптоэлектроникаGaN - сайлау өчен иң яхшы материал зәңгәр һәм ак светодиодларGaN-on-Si пластиналары югары нәтиҗәле LED яктырту системаларын җитештерү өчен кулланыла, алар яктырту, дисплей технологияләре һәм оптик элемтә өлкәсендә бик яхшы нәтиҗәләр бирә.
Сорау-җавап
1 нче сорау: Электрон җайланмаларда кремний белән чагыштырганда GaNның өстенлеге нинди?
A1:GaN баркиңрәк зона (3,4 эВ)кремнийга караганда (1,1 эВ) югарырак көчәнешләргә һәм температураларга чыдам булырга мөмкинлек бирә. Бу үзенчәлек GaNга югары куәтле кушымталарны нәтиҗәлерәк эшкәртергә мөмкинлек бирә, энергия югалтуларын киметә һәм система эшчәнлеген арттыра. GaN шулай ук тизрәк күчерү тизлекләрен тәкъдим итә, бу югары ешлыклы җайланмалар, мәсәлән, RF көчәйткечләре һәм көч үзгәрткечләре өчен бик мөһим.
2 нче сорау: Мин Si субстратының юнәлешен үземнең куллануым өчен көйли аламмы?
A2:Әйе, без тәкъдим итәбезкөйләнергә мөмкин Si субстрат юнәлешләремәсәлән<111>, <100>, һәм җайланмагыз таләпләренә карап башка юнәлешләр. Si нигезенең юнәлеше җайланма эшчәнлегендә, шул исәптән электр үзенчәлекләрендә, җылылык үзлегеннән һәм механик тотрыклылыкта төп роль уйный.
3 нче сорау: GaN-on-Si пластиналарын югары ешлыклы кушымталарда куллануның нинди өстенлекләре бар?
A3:GaN-on-Si пластиналары югары сыйфат тәкъдим итәтизлекләрне алыштыру, кремний белән чагыштырганда югарырак ешлыкларда тизрәк эшләү мөмкинлеген бирә. Бу аларны идеаль итәRFһәммикродулкынлыкушымталар, шулай ук югары ешлыклыкөч җайланмаларымәсәләнHEMT'лар(Югары электрон хәрәкәтчәнлеге транзисторлары) һәмРадиоелемтәләр көчәйткечләреGaNның югарырак электрон мобильлеге шулай ук коммутация югалтуларын киметә һәм нәтиҗәлелекне арттыра.
4 нче сорау: GaN-on-Si пластиналары өчен нинди легирлау вариантлары бар?
A4:Без икесен дә тәкъдим итәбезN-типһәмP-типтөрле ярымүткәргеч җайланмалар өчен гадәттә кулланыла торган легирлау вариантлары.N-типтагы допингөчен идеалькөч транзисторларыһәмРадиоелемтәләр көчәйткечләре, шул ук вакыттаP-типлы допингеш кына LED кебек оптоэлектрон җайланмалар өчен кулланыла.
Йомгак
Безнең заказ буенча ясалган кремнийлы галлий нитриды (GaN-on-Si) пластиналары югары ешлыклы, югары куәтле һәм югары температуралы кушымталар өчен идеаль чишелеш тәкъдим итә. Si субстратының ориентациясен, каршылыгын һәм N-тип/P-тип легирлавын көйләп була торган бу пластиналар энергетика электроникасы һәм автомобиль системаларыннан алып радиожиелмәле элемтә һәм LED технологияләренә кадәр төрле тармакларның махсус ихтыяҗларын канәгатьләндерү өчен махсус эшләнгән. GaN-ның өстен үзлекләрен һәм кремнийның масштабланучанлыгын кулланып, бу пластиналар киләсе буын җайланмалары өчен югарырак җитештерүчәнлек, нәтиҗәлелек һәм киләчәккә чыдамлык тәкъдим итә.
җентекле схема
