HPSI SiC пластинасының диаметры: 3 дюйм калынлыгы: Power Electronics өчен 350 мкм ± 25 мкм
Кушымта
HPSI SiC пластиналары төрле энергетика электроникасында кулланыла, шул исәптән:
Көчле ярымүткәргечләр:SiC пластиналары гадәттә көч диодлары, транзисторлар (MOSFET, IGBT) һәм тиристорлар җитештерүдә кулланыла. Бу ярымүткәргечләр югары нәтиҗәлелек һәм ышанычлылык таләп итә торган көчне үзгәртү кушымталарында, мәсәлән, сәнәгать мотор приводларында, көч белән тәэмин итүдә һәм яңартыла торган энергия системалары өчен инверторларда киң кулланыла.
Электр транспорт чаралары (ЭК):Электромобильләрнең көч агрегатларында SiC нигезендәге көч җайланмалары тизрәк күчү тизлеген, югарырак энергия нәтиҗәлелеген һәм җылылык югалтуларын киметүне тәэмин итә. SiC компонентлары аккумулятор белән идарә итү системаларында (BMS), зарядка инфраструктурасында һәм борт зарядка җайланмаларында (OBC) куллану өчен идеаль, анда авырлыкны минимальләштерү һәм энергияне үзгәртү нәтиҗәлелеген максимальләштерү бик мөһим.
Яңартыла торган энергия системалары:SiC пластиналары кояш инверторларында, җил турбиналары генераторларында һәм энергия саклау системаларында ешрак кулланыла, аларда югары нәтиҗәлелек һәм ныклык мөһим. SiC нигезендәге компонентлар бу кушымталарда югарырак энергия тыгызлыгы һәм яхшыртылган эшчәнлекне тәэмин итә, энергияне үзгәртүнең гомуми нәтиҗәлелеген яхшырта.
Сәнәгать электр электроникасы:Моторлы җайланмалар, робототехника һәм зур күләмле электр белән тәэмин итү кебек югары җитештерүчәнлекле сәнәгать кушымталарында SiC пластиналарын куллану нәтиҗәлелек, ышанычлылык һәм җылылык белән идарә итү ягыннан яхшыртылган эшчәнлеккә мөмкинлек бирә. SiC җайланмалары югары коммутация ешлыкларын һәм югары температураларны эшкәртә ала, бу аларны катлаулы мохит өчен яраклы итә.
Телекоммуникацияләр һәм мәгълүмат үзәкләре:SiC телекоммуникация җиһазлары һәм мәгълүмат үзәкләре өчен электр белән тәэмин итүдә кулланыла, анда югары ышанычлылык һәм нәтиҗәле энергияне үзгәртү бик мөһим. SiC нигезендәге электр җайланмалары кечерәк күләмнәрдә югарырак нәтиҗәлелеккә ирешә, бу исә зур күләмле инфраструктураларда энергия куллануны киметә һәм суыту нәтиҗәлелеген арттыра.
SiC пластиналарының югары ватылу көчәнеше, түбән каршылык һәм җылылык үткәрүчәнлеге аларны бу алдынгы кушымталар өчен идеаль субстрат итә, бу киләсе буын энергияне нәтиҗәле кулланучы электр электроникасын эшләүгә мөмкинлек бирә.
Үзлекләр
| Милек | Бәя |
| Вафли диаметры | 3 дюйм (76,2 мм) |
| Вафли калынлыгы | 350 мкм ± 25 мкм |
| Вафли юнәлеше | <0001> күчәрдә ± 0,5° |
| Микроторба тыгызлыгы (MPD) | ≤ 1 см⁻² |
| Электр каршылыгы | ≥ 1E7 Ω·см |
| Допант | Допировкаланмаган |
| Төп яссылык ориентациясе | {11-20} ± 5.0° |
| Башлангыч яссы озынлык | 32,5 мм ± 3,0 мм |
| Икенчел яссы озынлык | 18,0 мм ± 2,0 мм |
| Икенчел яссы ориентация | Si өскә каратып: төп яссылыктан 90° CW ± 5.0° |
| Кыр чикләрен чыгару | 3 мм |
| LTV/TTV/Bow/Warp | 3 µm / 10 µm / ± 30 µm / 40 µm |
| Өслекнең катылыгы | C-сыман бит: Ясалтылган, Si-сыман бит: CMP |
| Ярыклар (югары интенсивлыклы яктылык белән тикшерелгән) | Юк |
| Алты почмаклы пластиналар (югары интенсивлыклы яктылык белән тикшерелгән) | Юк |
| Политип өлкәләре (югары интенсивлыклы яктылык белән тикшерелә) | Тупланган мәйдан 5% |
| Сыдырылулар (югары интенсивлыклы яктылык белән тикшерелгән) | ≤ 5 сыдырылу, гомуми озынлык ≤ 150 мм |
| Кырыйларны ваклау | Рөхсәт ителми ≥ 0,5 мм киңлек һәм тирәнлек |
| Өслек пычрануы (югары интенсивлыклы яктылык белән тикшерелә) | Юк |
Төп өстенлекләр
Югары җылылык үткәрүчәнлеге:SiC пластиналары җылылыкны таратуның гаҗәеп сәләте белән билгеле, бу көч җайланмаларына югарырак нәтиҗәлелектә эшләргә һәм артык кыздырмыйча югарырак токны эшкәртергә мөмкинлек бирә. Бу үзенчәлек көч электроникасында бик мөһим, анда җылылыкны идарә итү зур кыенлык тудыра.
Югары ватылу көчәнеше:SiC-ның киң диапазоны җайланмаларга югарырак көчәнеш дәрәҗәләренә түзәргә мөмкинлек бирә, бу аларны электр челтәрләре, электр транспорт чаралары һәм сәнәгать техникасы кебек югары көчәнешле кушымталар өчен идеаль итә.
Югары нәтиҗәлелек:Югары коммутация ешлыклары һәм түбән каршылыкның берләшүе җайланмаларның энергия югалтуларын киметә, энергияне үзгәртүнең гомуми нәтиҗәлелеген арттыра һәм катлаулы суыту системаларына ихтыяҗны киметә.
Катлаулы мохиттә ышанычлылык:SiC югары температураларда (600°C кадәр) эшли ала, бу аны традицион кремний нигезендәге җайланмаларга зыян китерәчәк мохиттә куллану өчен яраклы итә.
Энергияне экономияләү:SiC көч җайланмалары энергияне үзгәртү нәтиҗәлелеген яхшырта, бу энергия куллануны киметүдә бик мөһим, бигрәк тә сәнәгать көч үзгәрткечләре, электр машиналары һәм яңартыла торган энергия инфраструктурасы кебек зур системаларда.
җентекле схема
