Эчтәлекләр таблицасы
1. Ясалма интеллект чипларында җылылык тарату киртәсе һәм кремний карбид материалларының ачышы
2. Кремний карбид субстратларының үзенчәлекләре һәм техник өстенлекләре
3. NVIDIA һәм TSMC тарафыннан стратегик планнар һәм хезмәттәшлек үсеше
4. Гамәлгә ашыру юлы һәм төп техник кыенлыклар
5. Базар перспективалары һәм куәтне киңәйтү
6. Тәэмин итү чылбырына һәм бәйле компанияләрнең эшчәнлегенә йогынты
7. Кремний карбидының киң кулланылышы һәм гомуми базар күләме
8.XKH'ның шәхси чишелешләре һәм продукт ярдәме
Киләчәктәге ясалма интеллект чипларының җылылык тарату проблемасын кремний карбиды (SiC) субстрат материаллары чишеп бетерә.
Чит ил матбугат чаралары хәбәрләренә караганда, NVIDIA үзенең киләсе буын процессорларының CoWoS алдынгы төргәкләү процессындагы арадаш субстрат материалын кремний карбиды белән алыштырырга планлаштыра. TSMC эре җитештерүчеләрне SiC арадаш субстратлары өчен җитештерү технологияләрен бергәләп эшләргә чакырды.
Төп сәбәп - хәзерге ясалма интеллект чипларының эш нәтиҗәлелеген яхшырту физик чикләүләргә дучар булды. GPU көче арткан саен, берничә чипны кремний интерпозерларына интеграцияләү бик югары җылылык тарату таләпләрен тудыра. Чиплар эчендә барлыкка килгән җылылык үзенең чигенә якынлаша, һәм традицион кремний интерпозерлары бу проблеманы нәтиҗәле хәл итә алмый.
NVIDIA процессорлары җылылык тарату материалларын алыштыра! Кремний карбиды субстратына ихтыяҗ артырга җыена! Кремний карбиды - киң зоналы ярымүткәргеч, һәм аның уникаль физик үзлекләре аңа югары куәт һәм югары җылылык агымы булган экстремаль мохиттә зур өстенлекләр бирә. GPU алдынгы төргәкләүдә ул ике төп өстенлек тәкъдим итә:
1. Җылылык тарату мөмкинлеге: Кремний катнашмаларын SiC катнашмалары белән алыштыру җылылыкка каршылыкны якынча 70% ка киметә ала.
2. Нәтиҗәле электр архитектурасы: SiC нәтиҗәлерәк, кечерәк көчәнеш регуляторы модульләрен булдырырга мөмкинлек бирә, электр энергиясен тапшыру юлларын сизелерлек кыскарта, схема югалтуларын киметә һәм ясалма интеллект белән исәпләү йөкләмәләре өчен тизрәк, тотрыклырак динамик ток җавапларын тәэмин итә.
Бу трансформация югары җитештерүчәнлекле исәпләү чиплары өчен нәтиҗәлерәк чишелеш тәкъдим итеп, GPU куәтен даими арттыру нәтиҗәсендә килеп чыккан җылылык тарату проблемаларын хәл итәргә юнәлтелгән.
Кремний карбидының җылылык үткәрүчәнлеге кремнийныкына караганда 2-3 тапкыр югарырак, бу җылылык белән идарә итү нәтиҗәлелеген нәтиҗәлерәк итә һәм югары куәтле чипларда җылылык тарату проблемаларын хәл итә. Аның бик яхшы җылылык күрсәткечләре GPU чипларының тоташу температурасын 20-30°C ка киметә ала, югары исәпләү сценарийларында тотрыклылыкны сизелерлек арттыра.
Гамәлгә ашыру юлы һәм кыенлыклар
Тәэмин итү чылбыры чыганаклары буенча, NVIDIA бу материал трансформациясен ике этапта гамәлгә ашырачак:
•2025-2026: Беренче буын Rubin GPU һаман да кремний интерпозерларын кулланачак. TSMC эре җитештерүчеләрне SiC интерпозерлары җитештерү технологиясен бергәләп эшләргә чакырды.
•2027: SiC интерпозерлары рәсми рәвештә алдынгы упаковкалау процессына интеграцияләнәчәк.
Ләкин бу план күп кыенлыклар белән очраша, бигрәк тә җитештерү процессларында. Кремний карбидының катылыгы алмазныкы белән чагыштырырлык, бу бик югары кисү технологиясен таләп итә. Әгәр кисү технологиясе җитәрлек булмаса, SiC өслеге дулкынланырга мөмкин, бу аны алдынгы төрү өчен куллануга яраксыз итә. Япониянең DISCO кебек җиһаз җитештерүчеләре бу кыенлыкны хәл итү өчен яңа лазер кисү җиһазлары эшләү өстендә эшлиләр.
Киләчәк перспективалары
Хәзерге вакытта SiC интерпозер технологиясе иң алдынгы ясалма интеллект чипларында кулланылачак. TSMC 2027 елда күбрәк процессорлар һәм хәтерне интеграцияләү өчен 7х ретикуллы CoWoS чыгарырга планлаштыра, интерпозер мәйданын 14,400 мм² га кадәр арттырачак, бу исә субстратларга ихтыяҗны арттырачак.
Morgan Stanley фаразлавынча, глобаль айлык CoWoS төргәкләү сыйдырышлыгы 2024 елда 38 000 12 дюймлы пластиналардан 2025 елда 83 000 гә һәм 2026 елда 112 000 гә кадәр артачак. Бу үсеш SiC интерпозаторларына ихтыяҗны турыдан-туры арттырачак.
12 дюймлы SiC субстратлары хәзерге вакытта кыйммәт булса да, күпләп җитештерү күләме арткан һәм технологияләр өлгергән саен, бәяләрнең акрынлап акылга сыярлык дәрәҗәгә төшүе көтелә, бу исә зур күләмле кушымталар өчен шартлар тудыра.
SiC интерпозерлары җылылык тарату проблемаларын гына түгел, ә интеграция тыгызлыгын да сизелерлек яхшырта. 12 дюймлы SiC субстратларының мәйданы 8 дюймлы субстратларныкына караганда якынча 90% зуррак, бу бер интерпозерга күбрәк Chiplet модульләрен берләштерергә мөмкинлек бирә, NVIDIA'ның 7x ретикуллы CoWoS төргәкләү таләпләрен турыдан-туры хуплый.
TSMC, SiC интерпозер җитештерү технологиясен эшләү өчен DISCO кебек япон компанияләре белән хезмәттәшлек итә. Яңа җиһазлар урнаштырылгач, SiC интерпозер җитештерү тагын да шомарак барачак, һәм алдынгы төргәкләүгә иң тиз керү 2027 елда көтелә.
Бу хәбәрләр аркасында, SiC белән бәйле акцияләр 5 сентябрьдә көчле күрсәткечләргә иреште, индекс 5,76% ка күтәрелде. Tianyue Advanced, Luxshare Precision һәм Tiantong Co. кебек компанияләр көндәлек чиккә җиттеләр, ә Jingsheng Mechanical & Electrical һәм Yintang Intelligent Control 10% тан артык күтәрелде.
Daily Economic News хәбәр итүенчә, эшчәнлекне яхшырту өчен, NVIDIA үзенең киләсе буын Rubin процессорын эшләү планында CoWoS алдынгы төрү процессындагы арадаш субстрат материалын кремний карбиды белән алыштырырга планлаштыра.
Иҗтимагый мәгълүматлар күрсәткәнчә, кремний карбиды бик яхшы физик үзлекләргә ия. Кремний җайланмалары белән чагыштырганда, SiC җайланмалары югары куәт тыгызлыгы, түбән куәт югалтулары һәм югары температурада тотрыклылык кебек өстенлекләр тәкъдим итә. Tianfeng Securities мәгълүматлары буенча, SiC сәнәгать чылбырының алгы агымы SiC субстратларын һәм эпитаксиаль пластиналарны әзерләүне үз эченә ала; урта агым SiC көч җайланмаларын һәм RF җайланмаларын проектлау, җитештерү һәм төрү/сынауны үз эченә ала.
Түбәндә, SiC куллану киң колачлы, ул уннан артык тармакны үз эченә ала, шул исәптән яңа энергияле транспорт чаралары, фотоэлектрик, сәнәгать җитештерүе, транспорт, элемтә база станцияләре һәм радар. Шулар арасында автомобиль сәнәгате SiC өчен төп куллану өлкәсенә әйләнәчәк. Aijian Securities мәгълүматлары буенча, 2028 елга автомобиль секторы глобаль электр энергиясе белән эшләүче SiC җайланмалары базарының 74% ын тәшкил итәчәк.
Yole Intelligence мәгълүматлары буенча, гомуми базар күләме буенча, 2022 елда глобаль үткәргеч һәм ярымизоляцияле SiC субстрат базары күләме 512 миллион һәм 242 миллион тәшкил иткән. 2026 елга глобаль SiC базары күләме 2,053 миллиардка җитәчәк, үткәргеч һәм ярымизоляцияле SiC субстрат базарлары күләме 1,62 миллиард һәм 433 миллион долларга җитәчәк дип фаразлана. 2022 елдан 2026 елга кадәр үткәргеч һәм ярымизоляцияле SiC субстратлары өчен еллык үсеш темплары (CAGR) 33,37% һәм 15,66% тәшкил итәчәк дип көтелә.
XKH кремний карбиды (SiC) продуктларын шәхси рәвештә эшләү һәм глобаль сату белән шөгыльләнә, үткәргеч һәм ярымизоляцияле кремний карбиды субстратлары өчен 2 дән 12 дюймга кадәр тулы зурлыктагы диапазон тәкъдим итә. Без кристалл ориентациясе, каршылык (10⁻³–10¹⁰ Ω·см) һәм калынлык (350–2000μм) кебек параметрларны шәхси рәвештә көйләүне хуплыйбыз. Безнең продуктлар яңа энергия машиналары, фотоэлектрик инверторлар һәм сәнәгать моторлары кебек югары класслы өлкәләрдә киң кулланыла. Ныклы тәэмин итү чылбыры системасын һәм техник ярдәм командасын кулланып, без тиз җавап бирүне һәм төгәл китерүне тәэмин итәбез, клиентларга җайланмаларның эшчәнлеген яхшыртырга һәм система чыгымнарын оптимальләштерергә ярдәм итәбез.
Бастырып чыгару вакыты: 2025 елның 12 сентябре