Эчтәлек
1. Төп максатлар һәм вафер чистартуның мөһимлеге
2.Контаминацияне бәяләү һәм алдынгы аналитик техника
3.Күпләтелгән чистарту ысуллары һәм техник принциплар
4.Техник тормышка ашыру һәм процесс белән идарә итү
5. Киләчәк тенденцияләр һәм инновацион юнәлешләр
6. XKH Ахырдан чишелешләр һәм сервис экосистемасы
Вафинны чистарту ярымүткәргеч җитештерүдә бик мөһим процесс, чөнки хәтта атом дәрәҗәсендәге пычраткыч матдәләр дә җайланманың эшләвен киметә ала. Чистарту процессы гадәттә төрле пычраткыч матдәләрне чыгару өчен берничә адымны үз эченә ала, мәсәлән, органик калдыклар, металл пычраклар, кисәкчәләр һәм туган оксидлар.
1. Вафин чистарту максатлары
- Органик пычраткыч матдәләрне (мәсәлән, фоторесист калдыклары, бармак эзләре) бетерегез.
- Металл пычракларны бетерегез (мәсәлән, Fe, Cu, Ni).
- Кисәкчәләрнең пычрануын бетерегез (мәсәлән, тузан, кремний фрагментлары).
- Туган оксидларны алыгыз (мәсәлән, һава тәэсире вакытында барлыкка килгән SiO₂ катламнары).
2. Каты ваферны чистартуның мөһимлеге
- Processгары процесс җитештерүчәнлеген һәм җайланманың эшләвен тәэмин итә.
- Кимчелекләрне һәм вафер кисәкләрен киметә.
- Surfaceир өслегенең сыйфатын һәм эзлеклелеген яхшырта.
Интенсив чистарту алдыннан, булган өслекнең пычрануын бәяләргә кирәк. Вафин өслегендәге пычраткыч матдәләрнең төрен, зурлыгын бүлүне, киңлекне урнаштыру химияне һәм механик энергия кертүне оптимальләштерә.
3. Пычратуны бәяләү өчен алдынгы аналитик техника
3.1 faceир өсте кисәкчәләренә анализ
- Махсуслаштырылган кисәкчәләр счетчиклары лазер таралышын яки компьютер күренешен кулланалар, өслек калдыкларын санау, зурлык һәм карта.
- Lightиңел таралу интенсивлыгы кисәкчәләрнең зурлыгы белән дистәләрчә нанометр һәм тыгызлыгы 0,1 кисәкчәләр / см² кадәр корреляцияләнә.
- Стандартлар белән калибрлау аппаратның ышанычлылыгын тәэмин итә. Чистарту алдыннан һәм аннан соңгы сканерлар бетерү эффективлыгын, машина йөртү процессын яхшыртуын раслый.
3.2 Элемент өслеген анализлау
- Faceир өстенә сизгер техника элементаль составны билгели.
- Рентген фотоэлектрон спектроскопиясе (XPS / ESCA): вагонны рентген нурлары белән нурландырып һәм чыгарылган электроннарны үлчәп, өске химик хәлләрне анализлый.
- Якты агызу оптик эмиссия спектроскопиясе (GD-OES): тирәнлеккә бәйләнгән элемент составын билгеләү өчен чыгарылган спектрларны анализлаганда, ультра-нечкә өслек катламнары эзлекле.
- Ачыклау лимитлары оптималь чистарту химиясен сайлап алып, миллионга (ppm) өлешләргә җитә.
3.3 Морфологик пычрану анализы
- Электрон микроскопияне сканерлау: ябышу механизмнарын күрсәтеп, пычраткыч матдәләрнең формаларын һәм аспект дәрәҗәсен ачыклау өчен югары резолюцияле рәсемнәр төшерә.
- Атом көче микроскопиясе (AFM): Кисәкчәләр биеклеген һәм механик үзлекләрен бәяләү өчен наноскаль топография.
- Фокуслы Ион нуры (FIB) тегермән + тапшыру электрон микроскопия (TEM): күмелгән пычраткыч матдәләрнең эчке күренешләрен бирә.
4. Алдынгы чистарту ысуллары
Чыгаручан чистарту органик пычраткыч матдәләрне эффектив рәвештә юкка чыгарса да, органик булмаган кисәкчәләр, металл калдыклары һәм ион пычраткычлары өчен өстәмә алдынгы техника кирәк:
?
4.1 RCA чистарту
- RCA Laboratories тарафыннан эшләнгән, бу ысул поляр пычраткыч матдәләрне бетерү өчен ике ванна процессын куллана.
- SC-1 (Стандарт Чиста-1): NH₄OH, H₂O₂, H₂O катнашмасы ярдәмендә органик пычраткыч матдәләрне һәм кисәкчәләрне бетерә (мәсәлән, 1 ° 1: 5 ation 20 ° C). Нечкә кремний диоксид катламын формалаштыра.
- SC-2 (Стандарт Чиста-2): HCl, H₂O₂, H₂O ярдәмендә металл пычракларны бетерә (мәсәлән,: 80 ° C температурада 1: 1: 6). Пассив өслек калдыра.
- Surfaceир өстен саклау белән чисталыкны тигезли.
?
4.2 Озонны чистарту
- Вазоннарны озон белән туендырылган деонизацияләнгән суга батырыгыз (O₃ / H₂O).
- Органиканы эффектив оксидлаштыра һәм вафинга зыян китермичә, химик пассив өслекне калдыра.
?
4.3 Мегасоник чистарту?
- Чистарту эремәләре белән кушылган югары ешлыктагы УЗИ энергиясен (гадәттә 750–900 кГц) куллана.
- Пычраткыч матдәләрне таратучы кавитация күбекләре барлыкка китерә. Нечкә структураларга зыянны киметкәндә катлаулы геометриягә үтеп керә.
4.4 Криогеник чистарту
- Ваферларны криоген температурасына тиз суыталар, пычраткыч матдәләр.
- Соңрак чайкау яки йомшак чистарту йомшартылган кисәкчәләрне бетерә. Onир өстенә зарарлануны һәм таралуны булдырмый.
- Минималь химик куллану белән тиз, коры процесс.
Йомгаклау:
Әйдәп баручы тулы чылбырлы ярымүткәргеч чишелеш провайдеры буларак, XKH технологик инновацияләр белән идарә итә һәм клиентларга югары дәрәҗәдәге җиһазлар белән тәэмин итү, вафер ясау, төгәл чистартуны үз эченә алган хезмәт экосистемасын китерергә кирәк. Без халыкара танылган ярымүткәргеч җиһазларын (мәсәлән, литография машиналары, эфир системалары) махсус чишелешләр белән тәэмин итмибез, шулай ук пионер хуҗалык технологияләре, шул исәптән RCA чистарту, озон чистарту, мегасоник чистарту - вафер җитештерү өчен атом дәрәҗәсендәге чисталыкны тәэмин итү, клиентларның җитештерүчәнлеген һәм җитештерү нәтиҗәлелеген сизелерлек арттыру. Локальләштерелгән тиз реакция отрядларын һәм интеллектуаль сервис челтәрләрен кулланып, без җиһазлар урнаштыру һәм процесс оптимизациясеннән алып, прогнозлы хезмәт күрсәтүгә кадәр, клиентларга техник проблемаларны җиңәргә һәм югары төгәллек һәм тотрыклы ярымүткәргеч үсешкә таба барырга ярдәм итәбез. Техник экспертиза һәм коммерция кыйммәтенең икеләтә җиңү синергиясе өчен безне сайлагыз.
Пост вакыты: 02-2025 сентябрь