ӨстенлекләреPyshka аша (TGV)һәм TGV аша Through Silicon Via(TSV) процесслары, нигездә, түбәндәгеләр:
(1) югары ешлыклы электр характеристикалары бик яхшы. Пыяла материалы изолятор материалы булып тора, диэлектрик даимилеге кремний материалыныкыннан якынча 1/3 өлешкә генә тигез, ә югалту коэффициенты кремний материалыныкыннан 2-3 дәрәҗә түбәнрәк, бу субстрат югалтуларын һәм паразит йогынтысын сизелерлек киметә һәм тапшырылган сигналның бөтенлеген тәэмин итә;
(2)зур күләмле һәм ультра нечкә пыяла субстраталу җиңел. Corning, Asahi һәм SCHOTT һәм башка пыяла җитештерүчеләре ультра зур күләмле (>2 м × 2 м) һәм ультра нечкә (<50 мкм) панель пыяла һәм ультра нечкә сыгылмалы пыяла материаллары белән тәэмин итә ала.
3) Түбән бәя. Зур зурлыктагы ультра-нечкә панель пыяласына җиңел керү мөмкинлегеннән файдаланыгыз, һәм изоляция катламнарын урнаштыруны таләп итми, пыяла адаптер пластинасын җитештерү бәясе кремний нигезендәге адаптер пластинасының якынча 1/8 өлешен генә тәшкил итә;
4) Гади процесс. TGVның нигез өслегенә һәм эчке стенасына изоляция катламы куярга кирәк түгел, һәм ультра-нечкә адаптер пластинасын сирәкләндерү кирәк түгел;
(5) Көчле механик тотрыклылык. Адаптер пластинасының калынлыгы 100 мкм дан кимрәк булганда да, кәкрелек әле дә кечкенә;
(6) Киң кулланылыш диапазоны - пластина дәрәҗәсендәге төргәкләү өлкәсендә кулланыла торган яңа буйлы тоташтыру технологиясе, пластина-пластина арасындагы иң кыска арага ирешү өчен, тоташтыруның минималь адымы яңа технология юлын тәэмин итә, электр, җылылык, механик үзлекләр белән, RF чипында, югары дәрәҗәдәге MEMS сенсорларында, югары тыгызлыктагы система интеграциясендә һәм башка уникаль өстенлекләргә ия. Бу киләсе буын 5G, 6G югары ешлыклы 3D чипларының киләсе буын 5G һәм 6G югары ешлыклы чипларының 3D төргәкләү өчен беренче сайлауларның берсе.
TGV формалаштыру процессы, нигездә, ком белән эшкәртү, ультратавыш бораулау, дымлы эшкәртү, тирән реактив ион белән эшкәртү, фотосизгер эшкәртү, лазер белән эшкәртү, лазер белән индукцияләнгән тирәнлек белән эшкәртү һәм фокуслау разряд тишекләрен формалаштыруны үз эченә ала.
Соңгы тикшеренүләр һәм эшләнмәләр нәтиҗәләре күрсәткәнчә, технология 20:1 тирәнлеккә карата киңлек нисбәте белән тишекләр һәм 5:1 сукыр тишекләр аша әзерли ала һәм яхшы морфологиягә ия. Лазер белән тирән эшкәртү, өслекнең кечкенә тигезсезлегенә китерә, хәзерге вакытта иң күп өйрәнелгән ысул булып тора. 1 нче рәсемдә күрсәтелгәнчә, гадәти лазер бораулау тирәсендә ачык ярыклар бар, ә лазер белән тирән эшкәртүнең тирә-ягы һәм ян стеналары чиста һәм шома.
эшкәртү процессыTGV2 нче рәсемдә интерпозер күрсәтелгән. Гомуми схема башта пыяла нигездә тишекләр бораулаудан, аннары ян стенага һәм өслеккә киртә катламын һәм орлык катламын урнаштырудан гыйбарәт. Киртә катламы Cu-ның пыяла нигезгә таралуына комачаулый, шул ук вакытта икесенең дә ябышуын арттыра, әлбәттә, кайбер тикшеренүләрдә киртә катламы кирәк түгеллеге дә ачыкланган. Аннары Cu электрокаплау юлы белән урнаштырыла, аннары җылытыла, һәм Cu катламы CMP ярдәмендә бетерелә. Ниһаять, RDL кабат чыбыклау катламы PVD каплау литографиясе ярдәмендә әзерләнә, һәм җилем бетерелгәннән соң пассивация катламы барлыкка килә.
(a) Пластинаны әзерләү, (b) TGV формалаштыру, (c) ике яклы электрокаплау - бакырны утырту, (d) җылыту һәм CMP химик-механик полировкалау, өслек бакыр катламын алу, (e) PVD каплавы һәм литография, (f) RDL кабат чыбыклау катламын урнаштыру, (g) ябыштыру һәм Cu/Ti гравюралау, (h) пассивация катламын формалаштыру.
Кыскасы,пыяла аша үтүче тишек (TGV)куллану перспективалары киң, һәм хәзерге эчке базар үсеш этабында, җиһазлардан алып продукт дизайнына һәм тикшеренүләргә һәм эшләнмәләргә кадәр үсеш темплары глобаль уртача күрсәткечтән югарырак.
Әгәр хокук бозу булса, контактны бетерегез
Бастырып чыгару вакыты: 2024 елның 16 июле