Сапфир комбайннарын үстерү җиһазы, Czochralski CZ, 2 дюймнан 12 дюймга кадәр сапфир пластиналарын җитештерү ысулы

Кыскача тасвирлама:

Сапфир коелмаларын үстерү җиһазы (Чохральски методы) - югары сафлыклы, түбән кимчелекле сапфир монокристаллларын үстерү өчен эшләнгән алдынгы система. Чохральски (ЧХ) методы иридий тигельдә орлык кристаллларын тарту тизлеген (0,5–5 мм/сәг), әйләнү тизлеген (5–30 әйләнү/мин) һәм температура градиентларын төгәл контрольдә тотарга мөмкинлек бирә, диаметры 12 дюймга (300 мм) кадәр аксисимметрик кристаллар җитештерә. Бу җиһаз C/A яссылык кристалл ориентациясен контрольдә тота, оптик дәрәҗәдәге, электрон дәрәҗәдәге һәм легирланган сапфир (мәсәлән, Cr³⁺ рубин, Ti³⁺ йолдыз сапфир) үстерү мөмкинлеген бирә.

XKH җиһазларны көйләү (2–12 дюймлы пластина җитештерү), процессларны оптимальләштерү (дефект тыгызлыгы <100/см²) һәм техник укытуны үз эченә алган комплекслы чишелешләр тәкъдим итә, LED субстратлары, GaN эпитаксиясе һәм ярымүткәргеч төргәкләү кебек кушымталар өчен ай саен 5000+ пластина җитештерү белән.

Безгә электрон почта җибәрегез

Үзенчәлекләр

Эш принцибы

CZ методы түбәндәге адымнар аша эшли:
1. Эретүче чимал: Югары чисталыктагы Al₂O₃ (чисталык >99.999%) 2050–2100°C температурада иридий тигельдә эретелә.
2. Орлык кристаллына кереш: Орлык кристалл эремәгә төшерелә, аннары тиз тартылып, муен барлыкка китерелә (диаметры <1 мм), бу чыгып китүләрне бетерә.
3. Җилкә формалашуы һәм күләм үсеше: Тарту тизлеге сәгатенә 0,2–1 мм га кадәр кими, кристалл диаметры максатчан зурлыкка кадәр әкренләп киңәя (мәсәлән, 4–12 дюйм).
4. Кыздыру һәм суыту: Термик стресс аркасында барлыкка килгән ярылуны минимальләштерү өчен кристалл 0,1–0,5°C/мин температурада суытыла.
5. Бер-берсенә туры килә торган кристалл төрләре:
Электрон класс: Ярымүткәргечле субстратлар (TTV <5 мкм)
Оптик дәрәҗә: УВ лазер тәрәзәләре (үткәргечлеге > 90% @ 200 нм)
Легирланган вариантлар: Рубин (Cr³⁺ концентрациясе 0,01–0,5 авырлык%), зәңгәр сапфир торбалар

Төп система компонентлары

1. Эретү системасы
Иридий кружиблы: 2300°C температурага чыдам, коррозиягә чыдам, зур эретмәләр белән (100–400 кг) туры килә.
Индукцион җылыту миче: Күп зоналы бәйсез температура контроле (±0,5°C), оптимальләштерелгән җылылык градиентлары.

2. Тарту һәм әйләндерү системасы
Югары төгәллекле серво мотор: тарту мөмкинлеге 0,01 мм/сәг, әйләнү концентриклыгы <0,01 мм.
Магнит сыекчасы белән капланган мөһер: өзлексез үсеш өчен контактсыз тапшыру (>72 сәгать).

3. Җылылык контроле системасы
PID ябык цикллы идарә итү: җылылык кырын тотрыклыландыру өчен реаль вакыт режимында куәт көйләү (50–200 кВт).
Инерт газдан саклау: Оксидлашуны булдырмас өчен Ar/N₂ катнашмасы (99,999% сафлык).

4. Автоматлаштыру һәм мониторинг
CCD диаметрын күзәтү: Реаль вакыт режимында кире элемтә (төгәллек ±0,01 мм).
Инфракызыл термография: Каты-сыеклык чикләре морфологиясен күзәтә.

CZ һәм KY методларын чагыштыру

Параметр	CZ методы	KY методы
Макс. Кристалл зурлыгы	12 дюйм (300 мм)	400 мм (груша формасындагы койма)
Кимчелек тыгызлыгы	<100/см²	<50/см²
Үсеш темплары	0,5–5 мм/сәг	0,1–2 мм/сәг
Энергия куллану	50–80 кВт/сәг/кг	80–120 кВт/сәг/кг
Гаризалар	LED субстратлары, GaN эпитакси	Оптик тәрәзәләр, зур коелмалар
Бәясе	Уртача (җиһазларга зур инвестицияләр)	Югары (катлаулы процесс)

Төп кушымталар

1. Ярымүткәргечләр сәнәгате
GaN эпитаксиаль субстратлары: Микро-LEDлар һәм лазер диодлары өчен 2–8 дюймлы пластиналар (TTV <10 мкм).
SOI пластиналары: 3D-интегральләштерелгән чиплар өчен өслекнең тигезсезлеге <0,2 нм.

2. Оптоэлектроника
УВ лазер тәрәзәләр: Литография оптикасы өчен 200 Вт/см² көч тыгызлыгына чыдам.
Инфракызыл компонентлар: Термик сурәтләү өчен абсорбция коэффициенты <10⁻³ см⁻¹.

3. Кулланучылар электроникасы
Смартфон камерасы өчен тышлыклар: Мохс катылыгы 9, тырналуга чыдамлык 10 тапкыр яхшырды.
Акыллы сәгать дисплейлары: калынлыгы 0,3–0,5 мм, үткәрүчәнлеге >92%.

4. Оборона һәм аэрокосмик
Ядер реакторы тәрәзәләре: Нурланышка чыдамлылык 10¹⁶ н/см² кадәр.
Югары куәтле лазер көзгеләре: Термик деформация <λ/20@1064 нм.

XXKH хезмәтләре

1. Җиһазларны көйләү
Масштабланырлык камера дизайны: 2–12 дюймлы пластина җитештерү өчен Φ200–400 мм конфигурацияләр.
Легирлау сыгылмалылыгы: Оптоэлектрон үзлекләргә туры китереп, сирәк җир металллары (Er/Yb) һәм күчеш металллары (Ti/Cr) легирлавын хуплый.

2. Очтан-очка ярдәм
Процессны оптимальләштерү: LED, RF җайланмалары һәм нурланыш белән чыныктырылган компонентлар өчен алдан расланган рецептлар (50+).
Глобаль хезмәт күрсәтү челтәре: 24 айлык гарантия белән тәүлек әйләнәсе дистанцион диагностика һәм урында хезмәт күрсәтү.

3. Агымдагы эшкәртү
Вафли ясау: 2–12 дюймлы (C/A-формасындагы) лавлиналарны кисү, тарту һәм ялтырату.
Өстәмә кыйммәткә ия продуктлар:
Оптик компонентлар: УВ/ИК тәрәзәләр (0,5–50 мм калынлык).
Зәркән әйберләре өчен материаллар: Cr³⁺ рубин (GIA тарафыннан сертификатланган), Ti³⁺ йолдызлы сапфир.

4. Техник җитәкчелек
Сертификатлар: EMI стандартларына туры килә торган пластиналар.
Патентлар: CZ ысулы инновациясендәге төп патентлар.

Йомгак

CZ ысулы җиһазлары зур үлчәмле туры килүчәнлек, бик түбән кимчелек күрсәткечләре һәм югары процесс тотрыклылыгы белән тәэмин итә, бу аны LED, ярымүткәргеч һәм оборона кушымталары өчен тармак эталоны итә. XKH җиһазларны урнаштырудан алып үсештән соңгы эшкәртүгә кадәр комплекслы ярдәм күрсәтә, бу клиентларга экономияле, югары җитештерүчән сапфир кристалл җитештерүгә ирешергә мөмкинлек бирә.