Ar күзлекләре өчен югары сыйфатлы ярымизоляцияле кремний карбиды (SiC) субстраты

Кыскача тасвирлама:

Югары сафлыклы ярымизоляцияле кремний карбиды (SiC) субстратлары - кремний карбидыннан ясалган махсуслаштырылган материаллар, алар электр электроникасы, радиоешлыклы (RF) җайланмалар һәм югары ешлыклы, югары температуралы ярымүткәргеч компонентлар җитештерүдә киң кулланыла. Кремний карбиды, киң полосалы ярымүткәргеч материал буларак, бик яхшы электр, җылылык һәм механик үзлекләр тәкъдим итә, бу аны югары вольтлы, югары ешлыклы һәм югары температуралы мохиттә куллану өчен бик яраклы итә.

Безгә электрон почта җибәрегез

Үзенчәлекләр

җентекле схема

Ярымизоляцияле SiC пластиналары продуктларына гомуми күзәтү

Безнең югары чисталыклы ярымизоляцияле SiC пластиналары алдынгы көч электроникасы, радиожиелмәле/микродулкынлы компонентлар һәм оптоэлектроника кушымталары өчен эшләнгән. Бу пластиналар югары сыйфатлы 4H- яки 6H-SiC монокристаллларыннан, камилләштерелгән физик пар ташу (PVT) үстерү ысулы кулланып, аннары тирән дәрәҗәдә компенсацияләү ярдәмендә җитештерелә. Нәтиҗәдә, түбәндәге күренекле үзенчәлекләргә ия пластина барлыкка килә:

Өчтән югары каршылык: ≥1×10¹² Ω·см, югары вольтлы күчергеч җайланмаларда агып чыгу токларын нәтиҗәле рәвештә минимальләштерә.
Киң тасма аралыгы (~3.2 эВ)Югары температуралы, югары кырлы һәм радиациягә бай мохиттә бик яхшы эшләүне тәэмин итә.
Гаҗәеп җылылык үткәрүчәнлеге: >4.9 Вт/см·К, югары куәтле кушымталарда нәтиҗәле җылылык таратуны тәэмин итә.
Югары механик ныклык: Моос катылыгы 9.0 (алмаздан кала икенче урында), түбән җылылык киңәюе һәм көчле химик тотрыклылыгы белән.
Атом ягыннан тигез өслек: Ra < 0,4 нм һәм кимчелек тыгызлыгы < 1/см², MOCVD/HVPE эпитаксиясе һәм микро-нано җитештерү өчен идеаль.

Мөмкин булган зурлыкларСтандарт зурлыклар 50, 75, 100, 150 һәм 200 мм (2"–8") тәшкил итә, ә диаметрларны 250 мм га кадәр заказ буенча сайларга мөмкин.
Калынлык диапазоны: 200–1000 мкм, ±5 мкм түземлелек белән.

Ярымизоляцияле SiC пластиналарын җитештерү процессы

Югары чисталыклы SiC порошогын әзерләү

Башлангыч материал: 6N-класслы SiC порошогы, күп баскычлы вакуум сублимациясе һәм термик эшкәртү ярдәмендә чистартылган, металл пычрануының түбән булуын (Fe, Cr, Ni < 10 ppb) һәм поликристалл катнашмаларның минималь булуын тәэмин итә.

Модификацияләнгән PVT бер кристаллы үсеше

Әйләнә-тирә мохитВакуумга якын (10⁻³–10⁻² Торр).
ТемператураГрафит тигеле ~2500 °C кадәр җылытыла, ΔT ≈ 10–20 °C/см² контрольдә тотыла торган җылылык градиенты белән.
Газ агымы һәм тигель дизайны: Тегешчә эшләнгән тигель һәм мәсамәле сепараторлар парның тигез таралуын тәэмин итә һәм теләмәгән ядрә барлыкка килүне баса.
Динамик туклану һәм әйләнүSiC порошогын һәм кристалл таякчык әйләнешен вакыт-вакыт тулыландыру түбән дислокация тыгызлыгына (<3000 см⁻²) һәм тотрыклы 4H/6H ориентациясенә китерә.

Тирән дәрәҗәдәге компенсацияләү

Водородны җылыту: Тирән дәрәҗәдәге тозакларны активлаштыру һәм эчке ташучыларны тотрыклыландыру өчен 600–1400 °C температурада H₂ атмосферасында үткәрелә.
N/Al ко-допингы (ихтыярый)Үсеш вакытында яки үсештән соңгы йөрәк-кан тамырлары авырулары вакытында Al (акцептор) һәм N (донор) кушылып, тотрыклы донор-акцептор парлары барлыкка килә, бу каршылык пикларын арттыра.

Төгәл кисү һәм күп этаплы әйләндерү

Алмаз чыбык белән кисү: Вафлилар 200–1000 мкм калынлыкта киселгән, минималь зыян белән һәм ±5 мкм түземлелек белән.
Чаплау процессыЭзлекле эре һәм вак алмаз абразивлары пычкы зыянын бетерә, пластинаны ялтыратуга әзерли.

Химик механик полировка (CMP)

Шлифовкалау материалларыНанооксид (SiO₂ яки CeO₂) йомшак селте эремәсендәге суспензия.
Процессларны контрольдә тотуТүбән көчәнешле ялтырату тупаслыкны минимальләштерә, 0,2–0,4 нм RMS тупаслыгына ирешә һәм микро тырналуларны бетерә.

Соңгы чистарту һәм төргәкләү

Ультратавышлы чистарту100 класслы чиста бүлмә мохитендә күп баскычлы чистарту процессы (органик эреткеч, кислота/нигез эшкәртү һәм деионизацияләнгән су белән чайкау).
Ябыштыру һәм төргәкләүАзот белән чистартылган пластина киптерү, азот тутырылган саклагыч капчыкларга ябыштырылган һәм антистатик, тибрәнүне баса торган тышкы тартмаларга төрелгән.

Ярымизоляцияле SiC пластиналарының спецификацияләре

Продукциянең нәтиҗәлелеге	P дәрәҗәсе	D дәрәҗәсе
I. Кристалл параметрлары	I. Кристалл параметрлары	I. Кристалл параметрлары
Кристалл политипы	4H	4H
Сыну күрсәткече a	>2.6 @589nm	>2.6 @589nm
Абсорбция тизлеге a	≤0.5% @450-650нм	≤1.5% @450-650нм
MP үткәрүчәнлеге a (Капланмаган)	≥66,5%	≥66,2%
томан	≤0,3%	≤1,5%
Политипны кертү a	Рөхсәт ителмәгән	Кумулятив мәйдан ≤20%
Микроторба тыгызлыгы a	≤0,5 /см²	≤2 /см²
Алтыпочмаклы бушлык	Рөхсәт ителмәгән	Юк
Кырлы инклюзия a	Рөхсәт ителмәгән	Юк
MP кертү a	Рөхсәт ителмәгән	Юк
II. Механик параметрлар	II. Механик параметрлар	II. Механик параметрлар
Диаметр	150.0 мм +0.0 мм / -0.2 мм	150.0 мм +0.0 мм / -0.2 мм
Өслек юнәлеше	{0001} ±0.3°	{0001} ±0.3°
Башлангыч яссы озынлык	Уклык	Уклык
Икенчел яссы озынлык	Икенчел фатир юк	Икенчел фатир юк
Уч ориентациясе	<1-100> ±2°	<1-100> ±2°
Кисәк почмагы	90° +5° / -1°	90° +5° / -1°
Уен тирәнлеге	Кырыйдан 1 мм +0,25 мм / -0,0 мм	Кырыйдан 1 мм +0,25 мм / -0,0 мм
Өслек эшкәртү	C-бит, Si-бит: Химик-механик полировка (CMP)	C-бит, Si-бит: Химик-механик полировка (CMP)
Вафли кырые	Кыексыман (түгәрәкләнгән)	Кыексыман (түгәрәкләнгән)
Өслекнең тигезсезлеге (AFM) (5μm x 5μm)	Си-йөз, С-йөз: Ра ≤ 0,2 нм	Си-йөз, С-йөз: Ра ≤ 0,2 нм
Калынлык a (Тропель)	500,0 мкм ± 25,0 мкм	500,0 мкм ± 25,0 мкм
LTV (Тропель) (40мм x 40мм) a	≤ 2 мкм	≤ 4 мкм
Гомуми калынлык үзгәреше (TTV) a (Tropel)	≤ 3 мкм	≤ 5 мкм
Bowәя (абсолют кыйммәт) а (тропель)	≤ 5 мкм	≤ 15 мкм
Warp a (Тропель)	≤ 15 мкм	≤ 30 мкм
III. Өслек параметрлары	III. Өслек параметрлары	III. Өслек параметрлары
Чип/Кысылган урын	Рөхсәт ителмәгән	≤ 2 данә, һәрберсенең озынлыгы һәм киңлеге ≤ 1,0 мм
Сызып алыгыз (Si-бит, CS8520)	Гомуми озынлык ≤ 1 x Диаметр	Гомуми озынлык ≤ 3 x Диаметр
a кисәкчәсе (Si-бит, CS8520)	≤ 500 данә	Юк
Ярык	Рөхсәт ителмәгән	Рөхсәт ителмәгән
Пычрану а	Рөхсәт ителмәгән	Рөхсәт ителмәгән

Ярымизоляцияле SiC пластиналарының төп кулланылышлары

Югары куәтле электроникаSiC нигезендәге MOSFETлар, Шоттки диодлары һәм электр транспорт чаралары (EV) өчен көч модульләре SiC'ның түбән каршылык һәм югары көчәнеш мөмкинлекләреннән файдалана.
Радиоелемтәләр һәм микродулкынлы мичSiC'ның югары ешлыклы эшләве һәм нурланышка чыдамлыгы 5G база станциясе көчәйткечләре, радар модульләре һәм юлдаш элемтәсе өчен идеаль.
ОптоэлектроникаУВ-LEDлар, зәңгәр лазер диодлары һәм фотодетекторлар тигез эпитаксиаль үсеш өчен атом ягыннан шома SiC субстратларын кулланалар.
Экстремаль әйләнә-тирә мохитне сизүSiC'ның югары температураларда (>600 °C) тотрыклылыгы аны газ турбиналары һәм атом детекторлары кебек каты мохиттәге сенсорлар өчен бик яхшы итә.
Аэрокосмик һәм оборонаSiC юлдашларда, ракета системаларында һәм авиация электроникасында көч электроникасы өчен ныклык тәкъдим итә.
Алдынгы тикшеренүләрКвант исәпләүләре, микрооптика һәм башка махсуслаштырылган тикшеренү кушымталары өчен махсус чишелешләр.

Еш бирелә торган сораулар

Ни өчен үткәргеч SiC урынына ярымизоляцияле SiC кулланырга кирәк?
Ярымизоляцияле SiC күпкә югарырак каршылык тәкъдим итә, бу югары вольтлы һәм югары ешлыклы җайланмаларда агып чыгу токларын киметә. Үткәргеч SiC электр үткәрүчәнлеге кирәк булган кушымталар өчен күбрәк яраклы.
Бу пластиналарны эпитаксиаль үсеш өчен кулланып буламы?
Әйе, бу пластиналар эпитаксиаль катлам сыйфатын тәэмин итү өчен өслек эшкәртү һәм җитешсезлекләрне контрольдә тоту белән эпитаксиаль катламга әзер һәм MOCVD, HVPE яки MBE өчен оптимальләштерелгән.
Вафлиның чисталыгын ничек тәэмин итәсез?
100 класслы чистарту бүлмәсе процессы, күп баскычлы ультратавыш чистарту һәм азот белән ябыштырылган төргәк пластиналарның пычранулардан, калдыклардан һәм микро-тырналулардан азат булуын гарантияли.
Заказларны әзерләү вакыты нинди?
Үрнәкләр гадәттә 7–10 эш көне эчендә җибәрелә, ә җитештерү заказлары гадәттә 4–6 атна эчендә китерелә, бу пластинаның зурлыгына һәм махсус үзенчәлекләренә карап була.
Сез үзегезгә махсус формалар бирә аласызмы?
Әйе, без төрле формадагы, мәсәлән, яссы тәрәзәләр, V-сыман уемнар, сферик линзалар һ.б., заказ буенча субстратлар ясый алабыз.

Безнең турында

XKH махсус оптик пыяла һәм яңа кристалл материалларын югары технологияләр белән эшләү, җитештерү һәм сату белән шөгыльләнә. Безнең продуктлар оптик электроника, кулланучы электроникасы һәм хәрби хезмәтләр күрсәтә. Без сапфир оптик компонентлары, мобиль телефон линзалары каплагычлары, керамика, LT, кремний карбиды SIC, кварц һәм ярымүткәргеч кристалл пластиналары тәкъдим итәбез. Осталык һәм алдынгы җиһазлар белән без стандарт булмаган продуктларны эшкәртүдә алдынгы булып торабыз, югары технологияле оптоэлектрон материаллар җитештерүче алдынгы предприятие булырга омтылабыз.