ICP өчен 4 дюймлы 6 дюймлы пластина тоткасы өчен SiC керамик пластина/таба

Кыскача тасвирлама:

SiC керамик пластинасы - югары сыйфатлы кремний карбидыннан эшләнгән югары нәтиҗәле компонент, ул экстремаль җылылык, химик һәм механик мохиттә куллану өчен эшләнгән. Гаҗәеп катылыгы, җылылык үткәрүчәнлеге һәм коррозиягә чыдамлыгы белән дан казанган SiC пластинасы ярымүткәргеч, LED, фотоэлектрик һәм аэрокосмик сәнәгатьләрдә пластина йөртүче, сусцептор яки структура компоненты буларак киң кулланыла.


  • :
  • Үзенчәлекләр

    SiC керамик пластинасы абстракт

    SiC керамик пластинасы - югары сыйфатлы кремний карбидыннан эшләнгән югары нәтиҗәле компонент, ул экстремаль җылылык, химик һәм механик мохиттә куллану өчен эшләнгән. Гаҗәеп катылыгы, җылылык үткәрүчәнлеге һәм коррозиягә чыдамлыгы белән дан казанган SiC пластинасы ярымүткәргеч, LED, фотоэлектрик һәм аэрокосмик сәнәгатьләрдә пластина йөртүче, сусцептор яки структура компоненты буларак киң кулланыла.

     

    1600°C кадәр җылылык тотрыклылыгы һәм реактив газларга һәм плазма мохитенә бик яхшы чыдамлыгы белән, SiC пластинасы югары температуралы эшкәртү, утырту һәм диффузия процессларында тотрыклы эш тәэмин итә. Аның тыгыз, күзәнәксез микроструктурасы кисәкчәләр барлыкка килүен минимальләштерә, бу аны вакуум яки чиста бүлмә шартларында ультра чиста куллану өчен идеаль итә.

    SiC керамик пластинасын куллану

    1. Ярымүткәргечләр җитештерү

    SiC керамик пластиналары гадәттә CVD (Химик пар утырту), PVD (Физик пар утырту) һәм гравюра системалары кебек ярымүткәргеч җитештерү җиһазларында пластина йөртүчеләр, сусцепторлар һәм пьедестал пластиналары буларак кулланыла. Аларның бик яхшы җылылык үткәрүчәнлеге һәм түбән җылылык киңәюе аларга тигез температура бүленешен сакларга мөмкинлек бирә, бу югары төгәллекле пластина эшкәртү өчен бик мөһим. SiC'ның коррозияле газларга һәм плазмаларга чыдамлыгы каты мохиттә ныклыкны тәэмин итә, кисәкчәләрнең пычрануын һәм җиһазларны хезмәтләндерүне киметергә ярдәм итә.

    2. LED индустриясе – ICP гравюрасы

    LED җитештерү секторында SiC пластиналары ICP (Индуктив рәвештә бәйләнгән плазма) гравюра системаларында төп компонентлар булып тора. Пластиналар тотучылар ролен үтәп, алар плазма эшкәртү вакытында сапфир яки GaN пластиналарын тотып тору өчен тотрыклы һәм термик яктан нык платформа тәэмин итәләр. Аларның плазмага каршы торучанлыгы, өслек тигезлеге һәм үлчәм тотрыклылыгы югары гравюра төгәллеген һәм бердәмлеген тәэмин итәргә ярдәм итә, бу LED чипларында җитештерүчәнлекне һәм җайланмаларның эшләвен арттыра.

    3. Фотоэлектрик (ФЭ) һәм кояш энергиясе

    SiC керамик пластиналары шулай ук ​​кояш батареялары җитештерүдә, бигрәк тә югары температурада кайнату һәм җылыту этапларында кулланыла. Аларның югары температурадагы инерциясе һәм кәкреләнүгә каршы тору сәләте кремний пластиналарын даими эшкәртүне тәэмин итә. Моннан тыш, аларның түбән пычрану куркынычы фотоэлектрик батареяларның нәтиҗәлелеген саклап калу өчен бик мөһим.

    SiC керамик пластинасының үзенчәлекләре

    1. Гаҗәеп механик ныклык һәм катылык

    SiC керамик пластиналары бик югары механик ныклык күрсәтә, гадәти бөгелү ныклыгы 400 МПа дан артып китә, ​​ә Виккерс катылыгы >2000 HV га җитә. Бу аларны механик тузуга, сөртелүгә һәм деформациягә бик чыдам итә, хәтта югары йөкләнеш яки кабатланган термик цикл шартларында да озак хезмәт итүне тәэмин итә.

    2. Югары җылылык үткәрүчәнлеге

    SiC җылылык үткәрүчәнлеге бик яхшы (гадәттә 120–200 Вт/м·К), бу аңа җылылыкны өслеге буенча тигез таратырга мөмкинлек бирә. Бу үзенчәлек пластинаны эшкәртү, утырту яки кисү кебек процессларда бик мөһим, чөнки температураның тигезлеге продуктның уңышына һәм сыйфатына турыдан-туры тәэсир итә.

    3. Югары җылылык тотрыклылыгы

    Югары эрү температурасы (2700°C) һәм түбән җылылык киңәю коэффициенты (4.0 × 10⁻⁶/K) белән SiC керамик пластиналары тиз җылыту һәм суыту цикллары вакытында үлчәм төгәллеген һәм структура бөтенлеген саклый. Бу аларны югары температуралы мичләрдә, вакуум камераларында һәм плазма мохитендә куллану өчен идеаль итә.

    Техник үзенчәлекләр

    Индекс

    Берәмлек

    Бәя

    Материал исеме

    Реакциядә синтезланган кремний карбиды

    Басымсыз синтезланган кремний карбиды

    Яңадан кристаллаштырылган кремний карбиды

    Композиция

    RBSiC

    SSiC

    R-SiC

    Күплек тыгызлыгы

    г/см3

    3

    3,15 ± 0,03

    2.60-2.70

    Бөгелү көче

    МПа (кпси)

    338(49)

    380(55)

    80-90 (20°C) 90-100 (1400°C)

    Кысылу көче

    МПа (кпси)

    1120(158)

    3970(560)

    > 600

    Катылык

    Knoop

    2700

    2800

    /

    Ныклыкны җимерү

    МПа м1/2

    4.5

    4

    /

    Җылылык үткәрүчәнлеге

    W/mk

    95

    120

    23

    Җылылык киңәю коэффициенты

    10-6.1/°C

    5

    4

    4.7

    Махсус җылылык

    Джоуль/г 0к

    0.8

    0,67

    /

    Һавадагы максималь температура

    1200

    1500

    1600

    Эластик модуль

    Gpa

    360

    410

    240

     

    SiC керамик пластинасы турында сораулар һәм җаваплар

    С: Кремний карбид пластинасының үзенчәлекләре нинди?

    A: Кремний карбиды (SiC) пластиналары югары ныклыгы, катылыгы һәм җылылык тотрыклылыгы белән билгеле. Алар югары җылылык үткәрүчәнлеге һәм түбән җылылык киңәюе белән тәэмин итәләр, экстремаль температураларда ышанычлы эшләүне тәэмин итәләр. SiC шулай ук ​​химик яктан инерт, кислоталарга, селтеләргә һәм плазма мохитенә чыдам, бу аны ярымүткәргечләр һәм LED эшкәртү өчен идеаль итә. Аның тыгыз, тигез өслеге кисәкчәләр барлыкка килүен минимальләштерә, чиста бүлмәләр белән туры килүчәнлекне саклый. SiC пластиналары ярымүткәргечләр, фотоэлектрик һәм аэрокосмик сәнәгатьләрдә югары температуралы һәм коррозияле мохиттә пластина йөртүчеләр, сусцепторлар һәм ярдәм компонентлары буларак киң кулланыла.

    SiC trayer06
    SiC trayer05
    SiC trayer01

  • Алдагысы:
  • Киләсе:

  • Хәбәрегезне монда языгыз һәм безгә җибәрегез