4 дюймнан 12 дюймга кадәр сапфир/SiC/Si пластиналарын эшкәртү өчен пластинаны сирәкләндерү җиһазы

1. Алдынгы упаковка
• 3D интеграль микросхемалар: Пластинаны нечкәләштерү логика/хәтер чипларын (мәсәлән, HBM стекларын) вертикаль рәвештә катламларга урнаштыру мөмкинлеген бирә, 2.5D чишелешләр белән чагыштырганда 10 тапкыр югарырак полоса киңлегенә һәм 50% ка энергия куллануны киметүгә ирешә. Җиһазлар гибрид бәйләнешне һәм TSV (Through-Silicon Via) интеграциясен хуплый, бу <10 мкм үзара тоташу аралыгы таләп итүче AI/ML процессорлары өчен бик мөһим. Мәсәлән, 25 мкм га кадәр нечкәләштерелгән 12 дюймлы пластинкалар 8+ катламны катламларга урнаштыру мөмкинлеге бирә, шул ук вакытта <1,5% кагышуны саклый, бу автомобиль LiDAR системалары өчен бик мөһим.

• Җилләткечле упаковка: Пластинаның калынлыгын 30 мкм га кадәр киметү юлы белән тоташтыру озынлыгы 50% ка кыскара, сигнал тоткарлыгын минимальләштерә (<0,2 пс/мм) һәм мобиль SoC өчен 0,4 мм ультра-нечкә чиплетлар кулланырга мөмкинлек бирә. Процесс югары ешлыклы RF кушымталарында ышанычлылыкны тәэмин итү өчен, көчәнеш белән компенсацияләнгән тарту алгоритмнарын куллана (>50 мкм TTV белән идарә итү).

2. Көчле электроника
• IGBT модульләре: 50 мкм га кадәр сирәкләү җылылыкка каршылыкны <0,5°C/W кадәр киметә, бу 1200V SiC MOSFET чиркәвенә 200°C тоташу температурасында эшләргә мөмкинлек бирә. Безнең җиһазлар җир асты зыянын бетерү өчен күп баскычлы тартуны куллана (тупас: 46 мкм вак: 4 мкм вак), һәм термик циклның ышанычлылыгының >10,000 циклына ирешә. Бу электромобиль инверторлары өчен бик мөһим, анда 10 мкм калынлыктагы SiC пластиналары күчү тизлеген 30% ка яхшырта.
• GaN-on-SiC көч җайланмалары: Пластинаны 80 мкм га кадәр сирәкләтү 650В GaN HEMT өчен электроннарның хәрәкәтчәнлеген арттыра (μ > 2000 см²/V·s), үткәрүчәнлек югалтуларын 18% ка киметә. Процесс сирәкләтү вакытында ярылуны булдырмас өчен лазер ярдәмендә ваклауны куллана, радиоешлык көчәйткечләре өчен <5 мкм кырый ваклануына ирешә.

3. Оптоэлектроника
• GaN-on-SiC LEDлары: 50 мкм сапфир субстратлары фотон тотуны минимальләштерү юлы белән яктылык чыгару нәтиҗәлелеген (LEE) 85% ка кадәр арттыра (150 мкм пластиналар өчен 65% белән чагыштырганда). Безнең җиһазның бик түбән TTV контроле (<0.3 мкм) 12 дюймлы пластиналар буенча бердәм LED нурланышын тәэмин итә, бу <100 нм дулкын озынлыгы бердәмлеген таләп итүче Micro-LED дисплейлар өчен бик мөһим.
• Кремний фотоникасы: 25 мкм калынлыктагы кремний пластиналары дулкын үткәргечләрендә таралу югалтуларын 3 дБ/см киметергә мөмкинлек бирә, бу 1,6 Тбит/с оптик кабул итүче-тапшыргычлар өчен бик мөһим. Процесс өслекнең тигезсезлеген Ra <0,1 нм кадәр киметү өчен CMP шомартуын берләштерә, тоташтыру нәтиҗәлелеген 40% ка арттыра.

4. MEMS сенсорлары
• Акселерометрлар: 25 мкм кремний пластиналары SNR >85 дБ (50 мкм пластиналар өчен 75 дБ белән чагыштырганда) дәрәҗәсенә ирешә, чөнки алар проба-масса күчерү сизгерлеген арттыра. Безнең ике күчәрле тарту системасы көчәнеш градиентларын компенсацияли, -40°C тан 125°C га кадәр температурада <0,5% сизгерлек дрейфын тәэмин итә. Куллануга автомобиль һәлакәтләрен ачыклау һәм AR/VR хәрәкәтен күзәтү керә.

• Басым датчиклары: 40 мкм га кадәр сирәкләндерү 0–300 бар үлчәү диапазоннарын <0,1% FS гистерезисы белән тәэмин итә. Вакытлыча бәйләү (пыяла тотучылар) ярдәмендә, процесс арткы яктан эшкәртү вакытында пластина сынуын булдырмый, сәнәгать IoT датчиклары өчен <1 мкм артык басымга түземлелеккә ирешә.

• Техник синергия: Безнең пластинаны сирәкләтү җиһазлары төрле материал проблемаларын (Si, SiC, Sapphire) хәл итү өчен механик тартуны, CMP һәм плазма эшкәртүне берләштерә. Мәсәлән, GaN-on-SiC катылык һәм җылылык киңәюен тигезләү өчен гибрид тартуны (алмаз тәгәрмәчләр + плазма) таләп итә, ә MEMS сенсорлары CMP полировкасы аша 5 нм дан кимрәк өслек тигезлеген таләп итә.

• Сәнәгатькә йогынты: Нечкәрәк, югарырак җитештерүчәнлекле пластиналарны куллану мөмкинлеге биреп, бу технология ясалма интеллект чипларында, 5G ммВолк модульләрендә һәм сыгылмалы электроникада инновацияләрне этәрә, бөкләнә торган дисплейлар өчен TTV толерантлыгы <0,1 мкм һәм автомобиль LiDAR сенсорлары өчен <0,5 мкм.