Сапфир - алуминаның бер кристалл, өчьяклы кристалл системасына керә, алты почмаклы структура, аның кристалл структурасы өч кислород атомыннан һәм ковалент бәйләнеш тибындагы ике алюминий атомыннан тора, бик тыгыз урнаштырылган, ныклы чылбыр һәм такталы энергия белән, шул ук вакытта Кристалл интерьеры пычраклар яки кимчелекләр юк диярлек, шуңа күрә ул искиткеч электр изоляциясе, ачыклык, яхшы җылылык үткәрүчәнлеге һәм югары катгыйлык үзенчәлекләренә ия. Оптик тәрәзә һәм югары җитештерүчән субстрат материаллар буларак киң кулланыла. Ләкин, сапфирның молекуляр төзелеше катлаулы һәм анисотропия бар, һәм төрле физик үзлекләргә тәэсир төрле кристалл юнәлешләрен эшкәртү һәм куллану өчен дә төрле, шуңа күрә куллану да төрле. Гомумән, сапфир субстратлары C, R, A һәм M яссылык юнәлешләрендә бар.
КуллануС-самолет сапфир ваферы
Галиум нитрид (GaN) киң буынлы өченче буын ярымүткәргеч буларак, киң туры диапазон аермасы, көчле атом бәйләнеше, югары җылылык үткәрүчәнлеге, яхшы химик тотрыклылыгы (бернинди кислота белән дә бозылмый диярлек) һәм көчле нурланышка ия, һәм киң перспективалары бар. оптоэлектроника, югары температура һәм көч җайланмалары һәм югары ешлыктагы микродулкынлы җайланмалар куллану. Ләкин, GaN эретү ноктасы аркасында, зур кристалл материаллар алу кыен, шуңа күрә гомуми ысул - субстрат материалларга таләпләре зур булган башка субстратларда гетероепитакси үсешен үткәрү.
Белән чагыштыргандасапфир субстратбүтән кристалл йөзләр белән, C-яссылыгы (<0001> ориентация) сапфир ваферы белән Ⅲ-Ⅴ һәм Ⅱ-groups төркемнәренә урнаштырылган фильмнар арасында такталарның даими туры килмәве чагыштырмача кечкенә, һәм такталарның даими туры килмәве. икесе беләнAlN фильмнарыбуфер катламы буларак кулланырга мөмкин, һәм ул GaN кристаллизация процессында югары температурага каршы тору таләпләренә җавап бирә. Шуңа күрә, ул GaN үсеше өчен гомуми субстрат материал, ул ак / зәңгәр / яшел ятаклар, лазер диодлары, инфракызыл детекторлар һ.б. ясарга мөмкин.
Әйтергә кирәк, C-самолет сапфир субстратында үскән GaN фильмы аның поляр күчәре буенча үсә, ягъни C күчәре юнәлеше, ул җитлеккән үсеш процессы һәм эпитакси процесс кына түгел, чагыштырмача аз чыгымлы, тотрыклы физик һәм химик үзлекләр, шулай ук яхшырак эшкәртү. С юнәлешендәге сапфир ваферы атомнары O-al-al-o-al-O аранжировкасында, ә M юнәлешле һәм A юнәлешле сапфир кристаллары әл-О-ал-О белән бәйләнгән. Al-Al бәйләнеш энергиясенә һәм Al-Oга караганда зәгыйфь бәйләнешкә ия булганга, M юнәлешле һәм A юнәлешле сапфир кристалллары белән чагыштырганда, C-сапфирны эшкәртү, нигездә, эшкәртү җиңелрәк булган Al-Al ачкычын ачу өчен. , һәм югары өслек сыйфатын ала ала, аннары галлий нитрид эпитаксиаль сыйфатын ала ала, ул ультра югары яктылык ак / зәңгәр LED сыйфатын яхшырта ала. Икенче яктан, С күчәре буйлап үскән фильмнар үз-үзеннән һәм пиезоэлектрик поляризация эффектларына ия, нәтиҗәдә фильмнар эчендә көчле эчке электр кыры (актив катлам квант Уеллс) барлыкка килә, бу GaN фильмнарының якты эффективлыгын сизелерлек киметә.
Очкыч сапфир вафиныкушымта
Аның искиткеч комплекслы эшләве, аеруча искиткеч тапшыру аркасында, сапфир бер кристалл инфракызыл үтеп керү эффектын көчәйтә ала, һәм хәрби фотоэлектрик җиһазларда киң кулланылган идеаль урта инфракызыл тәрәзә материалы була ала. Сапфир битнең гадәти юнәлешендә поляр яссылык (С яссылыгы), поляр булмаган өслек. Гадәттә, А юнәлешендәге сапфир кристаллының сыйфаты С юнәлешендәге кристаллныкыннан яхшырак, азрак урнашу, азрак Мозаика структурасы һәм тулырак кристалл структурасы, шуңа күрә ул яктылык тапшыру яхшырак. Шул ук вакытта, A самолетында Аль-О-Аль-О атом бәйләнеше режимы аркасында, А юнәлешле сапфирның каты һәм кием каршылыгы C юнәлешле сапфирныкыннан күпкә югарырак. Шуңа күрә A юнәлешле чиплар күбесенчә тәрәзә материаллары буларак кулланыла; Моннан тыш, сапфир шулай ук бердәм диэлектрик даими һәм югары изоляция үзлекләренә ия, шуңа күрә ул гибрид микроэлектроника технологиясенә дә кулланылырга мөмкин, шулай ук TlBaCaCuO (TbBaCaCuO), Tl-2212, үсеш кебек искиткеч үткәргечләр үсеше өчен. Серий оксиды (CeO2) сапфир композицион субстратында гетероген эпитаксиаль супер үткәргеч фильмнар. Ләкин, шулай ук, Аль-Оның зур бәйләнеш энергиясе булганга, эшкәртү авыррак.
КуллануР / М самолет сапфир ваферы
R-яссылыгы - сапфирның поляр булмаган өслеге, шуңа күрә сапфир җайланмасындагы R-самолет позициясенең үзгәрүе аңа төрле механик, җылылык, электр һәм оптик үзенчәлекләр бирә. Гомумән алганда, кремнийның гетероепитаксиаль чүпләнеше өчен R-өске сапфир субстратына өстенлек бирелә, нигездә ярымүткәргеч, микродулкынлы һәм микроэлектроника интеграль челтәр кушымталары өчен, кургаш җитештергәндә, башка үткәргеч компонентлар, югары каршылык резисторлары, галлий арсенид R- өчен дә кулланылырга мөмкин. субстрат үсеше. Хәзерге вакытта, акыллы телефоннар һәм планшет компьютер системалары популярлыгы белән, R-face сапфир субстраты акыллы телефоннар һәм планшет компьютерлары өчен кулланылган булган SAW җайланмаларын алыштырды, эшне яхшырта алган җайланмалар өчен субстрат тәэмин итте.
Хокук бозу булса, бетерү белән элемтәгә керегез
Пост вакыты: 16-2024 июль