2 дюйм 50,8 мм Сапфир Вафер С-План М-самолет Р-самолет А-самолет Калынлык 350ум 430ум 500ум
Төрле юнәлешләрне күрсәтү
| Ориентация | С (0001) -Акс | Р (1-102) -Акс | М (10-10) -Акс | А (11-20) -Акс | ||
| Физик милек | С күчәрендә кристалл яктылык, калган күчәрдә тискәре яктылык бар.С очкычы яссы, яхшырак киселгән. | Р-самолет А. | M самолеты баскычлы, кисү җиңел түгел, кисү җиңел. | А-яссылыкның катылыгы C-яссылыгына караганда шактый югарырак, ул киемгә каршы тору, тырнауга каршы тору һәм югары катылык белән күрсәтелә;А ягы - зигзаг яссылыгы, аны кисү җиңел; | ||
| Кушымталар | С юнәлешле сапфир субстратлары III-V һәм II-VI тупланган фильмнарны үстерү өчен кулланыла, мәсәлән, зәңгәр LED продуктлар, лазер диодлары һәм инфракызыл детектор кушымталары җитештерә ала торган галий нитриды. | Микроэлектроника интеграль схемаларда кулланылган төрле кремний экстрасисталларының R юнәлешендәге субстрат үсеше. | Бу, нигездә, якты эффективлыкны күтәрү өчен поляр булмаган / ярым полярлы GaN эпитаксиаль фильмнарны үстерү өчен кулланыла. | Субстратка юнәлтелгән бердәм рөхсәтлелек / урта җитештерә, һәм гибрид микроэлектроника технологиясендә югары изоляция кулланыла.Temperatureгары температуралы үткәргечләр A-база озын кристалллардан чыгарылырга мөмкин. | ||
| Эшкәртү сыйфаты | Сапфир үрнәге (PSS): owсеш яки Этчинг формасында, наноскаль махсус микросруктура үрнәкләре сапфир субстратында эшләнгән һәм яктырткычның яктылык формасын контрольдә тоту, һәм сапфир субстратында үскән GaN арасында дифференциаль кимчелекләрне киметү. , эпитакси сыйфатын яхшырту, һәм LED-ның эчке квант эффективлыгын күтәрү һәм яктылык алу эффективлыгын арттыру. Моннан тыш, сапфир призмасы, көзге, линза, тишек, конус һәм башка структур өлешләр клиент таләпләренә туры китереп көйләнергә мөмкин. | |||||
| Милек декларациясе | Тыгызлыгы | Каты | эретү ноктасы | Рекактив индекс (күренеп торган һәм инфракызыл) | Трансмитанс (DSP) | Диэлектрик даими |
| 3.98г / см3 | 9 (ай) | 2053 ℃ | 1.762 ~ 1.770 | ≥85% | 11.58@300K C күчәрендә (9,4 күчәрендә） | |
Диаграмма
