8Inch 200mm 4H-N SiC Wafer үткәргеч думи тикшеренү дәрәҗәсе
Uniqueзенчәлекле физик һәм электрон үзенчәлекләре аркасында, 200 мм SiC вафер ярымүткәргеч материал югары җитештерүчән, югары температура, нурланышка чыдам һәм югары ешлыктагы электрон җайланмалар булдыру өчен кулланыла.8inch SiC субстрат бәясе әкренләп кими бара, технология алга киткәндә һәм сорау үсә.Соңгы технология эшләнмәләре 200 мм SiC вафер җитештерү күләменә китерә.SiC Wafer ярымүткәргеч материалларының Si һәм GaAs ваферлары белән чагыштырганда төп өстенлекләре: Кар көчләре өзелгән вакытта 4H-SiC электр кыры көче Si һәм GaAs өчен тиешле кыйммәтләрдән югарырак зурлык тәртибеннән күбрәк.Бу Ронның дәүләт каршылыгы сизелерлек кимүенә китерә.Түбән дәүләт каршылыгы, югары ток тыгызлыгы һәм җылылык үткәрүчәнлеге белән берлектә, электр приборлары өчен бик кечкенә үлем кулланырга мөмкинлек бирә.SiC-ның югары җылылык үткәрүчәнлеге чипның җылылык каршылыгын киметә.SiC ваферларына нигезләнгән җайланмаларның электрон үзлекләре вакыт белән һәм температураның тотрыклылыгы буенча бик тотрыклы, бу продуктларның югары ышанычлылыгын тәэмин итә.Кремний карбид каты нурланышка бик чыдам, ул чипның электрон үзлекләрен киметми.Кристаллның югары чикләүче эш температурасы (6000Стан артык) сезгә каты эш шартлары һәм махсус кушымталар өчен бик ышанычлы җайланмалар булдырырга мөмкинлек бирә.Хәзерге вакытта без 200mmSiC вак партиясен тотрыклы һәм өзлексез тәэмин итә алабыз һәм складта бераз запасы бар.
Спецификация
| Сан | Предмет | Берәмлек | Producитештерү | Тикшеренү | Думи |
| 1. Параметрлар | |||||
| 1.1 | политип | -- | 4H | 4H | 4H |
| 1.2 | өслек юнәлеше | ° | <11-20> 4 ± 0,5 | <11-20> 4 ± 0,5 | <11-20> 4 ± 0,5 |
| 2. Электр параметры | |||||
| 2.1 | допант | -- | азот | азот | азот |
| 2.2 | каршылык | ох · см | 0.015 ~ 0.025 | 0.01 ~ 0.03 | NA |
| 3. Механик параметр | |||||
| 3.1 | диаметры | mm | 200 ± 0,2 | 200 ± 0,2 | 200 ± 0,2 |
| 3.2 | калынлыгы | μm | 500 ± 25 | 500 ± 25 | 500 ± 25 |
| 3.3 | Нечкә юнәлеш | ° | [1- 100] ± 5 | [1- 100] ± 5 | [1- 100] ± 5 |
| 3.4 | Тирәнлек | mm | 1 ~ 1.5 | 1 ~ 1.5 | 1 ~ 1.5 |
| 3.5 | ЛТВ | μm | ≤5 (10 мм * 10 мм) | ≤5 (10 мм * 10 мм) | ≤10 (10 мм * 10 мм) |
| 3.6 | TTV | μm | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
| 3.7 | Bowәя | μm | -25 ~ 25 | -45 ~ 45 | -65 ~ 65 |
| 3.8 | Сугыш | μm | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
| 3.9 | AFM | nm | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 |
| 4. Структура | |||||
| 4.1 | микроп тор тыгызлыгы | ea / cm2 | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
| 4.2 | металл эчтәлеге | атом / см2 | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
| 4.3 | TSD | ea / cm2 | ≤500 | 0001000 | NA |
| 4.4 | BPD | ea / cm2 | 0002000 | 0005000 | NA |
| 4.5 | TED | ea / cm2 | 0007000 | ≤10000 | NA |
| 5. Уңай сыйфат | |||||
| 5.1 | фронт | -- | Si | Si | Si |
| 5.2 | өслек бетү | -- | Si-face CMP | Si-face CMP | Si-face CMP |
| 5.3 | кисәкчәләр | ea / wafer | ≤100 (size≥0.3μm) | NA | NA |
| 5.4 | тырнау | ea / wafer | ≤5, гомуми озынлыгы≤200 мм | NA | NA |
| 5.5 | Кыр фишкалар / индекслар / ярыклар / таплар / пычрану | -- | Беркем дә юк | Беркем дә юк | NA |
| 5.6 | Политип өлкәләре | -- | Беркем дә юк | Район ≤10% | Район ≤30% |
| 5.7 | алгы билгеләр | -- | Беркем дә юк | Беркем дә юк | Беркем дә юк |
| 6. Арткы сыйфат | |||||
| 6.1 | артка бетү | -- | Д-депутат | Д-депутат | Д-депутат |
| 6.2 | тырнау | mm | NA | NA | NA |
| 6.3 | Арткы җитешсезлекләр кыры фишкалар / индекслар | -- | Беркем дә юк | Беркем дә юк | NA |
| 6.4 | Арткы тупаслык | nm | Ra≤5 | Ra≤5 | Ra≤5 |
| 6.5 | Арткы маркировка | -- | Notch | Notch | Notch |
| 7. Кыр | |||||
| 7.1 | кыр | -- | Чамфер | Чамфер | Чамфер |
| 8. Пакет | |||||
| 8.1 | төрү | -- | Эпи вакуум белән әзер төрү | Эпи вакуум белән әзер төрү | Эпи вакуум белән әзер төрү |
| 8.2 | төрү | -- | Күп вафер кассета төрү | Күп вафер кассета төрү | Күп вафер кассета төрү |
Диаграмма
