4 дюймлы Сапфир Вафер С-План SSP / DSP 0,43 мм 0,65 мм
Кушымталар
III III-V һәм II-VI кушылмалар өчен үсеш субстраты.
● Электроника һәм оптоэлектроника.
● ИР кушымталары.
Sa Сапфирда интеграль челтәрдә кремний (SOS).
● Радио ешлыгы интеграль схемасы (RFIC).
LED производствосында сапфир ваферлары галлий нитрид (GaN) кристаллларының үсүе өчен субстрат буларак кулланыла, алар электр тогы кулланылганда яктылык чыгаралар.Сапфир - GaN үсеше өчен идеаль субстрат материал, чөнки аның охшаш кристалл структурасы һәм GaN белән җылылык киңәйтү коэффициенты бар, бу кимчелекләрне киметә һәм кристалл сыйфатын яхшырта.
Оптикада, сапфир ваферлары югары басымлы һәм югары температуралы шартларда, шулай ук инфра-кызыл сурәтләү системаларында, ачыклыгы һәм каты булуы аркасында тәрәзәләр һәм линзалар буларак кулланыла.
Спецификация
| Предмет | 4 дюймлы С-самолет (0001) 650μm Сапфир Ваферлары | |
| Бәллүр материаллар | 99,999%, югары чисталык, монокристалл Al2O3 | |
| Сыйфат | Премьер, Эпи-әзер | |
| Faceир өсте юнәлеше | С-самолет (0001) | |
| М-күчәренә C-яссылык почмагы 0,2 +/- 0,1 ° | ||
| Диаметр | 100,0 мм +/- 0,1 мм | |
| Калынлык | 650 μm +/- 25 μm | |
| Беренчел фатир юнәлеше | А-самолет (11-20) +/- 0,2 ° | |
| Беренчел фатир озынлыгы | 30,0 мм +/- 1,0 мм | |
| Бер ягы бизәлгән | Алгы бит | Эпи-чистартылган, Ра <0,2 нм (AFM тарафыннан) |
| (SSP) | Арткы өслек | Яхшы җир, Ра = 0,8 мм - 1,2 мм |
| Ике ягы бизәлгән | Алгы бит | Эпи-чистартылган, Ра <0,2 нм (AFM тарафыннан) |
| (DSP) | Арткы өслек | Эпи-чистартылган, Ра <0,2 нм (AFM тарафыннан) |
| TTV | <20 мм | |
| Баш | <20 мм | |
| Сугыш | <20 мм | |
| Чистарту / төрү | 100 класс чистарту бүлмәсе һәм вакуум төрү, | |
| Бер кассета пакетында яки бер кисәк пакетта 25 кисәк. | ||
Урлау һәм җибәрү
Гомумән алганда, без пакетны 25 шт кассета тартмасы белән тәэмин итәбез;без шулай ук клиент таләбе буенча 100 класслы чистарту бүлмәсе астында бер вафин контейнер белән тутыра алабыз.
Диаграмма
