26 нчы көнне Power Cube Semi Көньяк Кореянең беренче 2300V SiC (Кремний карбиды) MOSFET ярымүткәргеченең уңышлы эшләнүен игълан итте.
Гамәлдәге Si (кремний) нигезендәге ярымүткәргечләр белән чагыштырганда, SiC (кремний карбиды) югарырак көчәнешләргә чыдам, шуңа күрә ул көчле ярымүткәргечләрнең киләчәген җитәкләүче киләсе буын җайланмасы буларак танылган. Ул электр транспорт чараларының таралуы һәм ясалма интеллект ярдәмендә эшләүче мәгълүмат үзәкләренең киңәюе кебек алдынгы технологияләрне кертү өчен кирәкле мөһим компонент булып тора.
Power Cube Semi - өч төп категориядә көч ярымүткәргеч җайланмалар эшләп чыгаручы данлыклы компания: SiC (кремний карбиды), Si (кремний) һәм Ga2O3 (галлий оксиды). Күптән түгел компания Кытайдагы глобаль электр машиналары компаниясенә югары сыйдырышлы Шоттки барьер диодларын (SBD) кулланды һәм сатты, бу аның ярымүткәргеч дизайны һәм технологиясе белән танылу алды.
2300V SiC MOSFET чыгарылуы Көньяк Кореядә мондый беренче үсеш очрагы буларак игътибарга лаек. Германиядә урнашкан глобаль электр ярымүткәргеч компаниясе Infineon шулай ук март аенда үзенең 2000V продуктын чыгару турында игълан итте, ләкин 2300V продуктлар линиясе юк иде.
Infineon компаниясенең 2000V CoolSiC MOSFET системасы, TO-247PLUS-4-HCC пакетын кулланып, дизайнерлар арасында көч тыгызлыгының артуына булган ихтыяҗны канәгатьләндерә, хәтта югары көчәнеш һәм коммутация ешлыгы шартларында да системаның ышанычлылыгын тәэмин итә.
CoolSiC MOSFET югарырак даими ток тоташу көчәнеше тәкъдим итә, бу токны арттырмыйча көчне арттыру мөмкинлеген бирә. Бу - базардагы 2000 В ватылу көчәнеше белән беренче дискрет кремний карбиды җайланмасы, ул 14 мм сыдырылу аралыгы һәм 5,4 мм клиренслы TO-247PLUS-4-HCC пакетын куллана. Бу җайланмалар түбән коммутация югалтуларына ия һәм кояш чылбырлы инверторлар, энергия саклау системалары һәм электромобильләрне зарядлау кебек кушымталар өчен яраклы.
CoolSiC MOSFET 2000V продукт сериясе 1500 В DC кадәр югары вольтлы DC шина системалары өчен яраклы. 1700 В SiC MOSFET белән чагыштырганда, бу җайланма 1500 В DC системалары өчен җитәрлек артык көчәнеш маржасын тәэмин итә. CoolSiC MOSFET 4,5 В бусага көчәнеше тәкъдим итә һәм каты коммутация өчен ныклы корпус диодлары белән җиһазландырылган. .XT тоташтыру технологиясе белән бу компонентлар бик яхшы җылылык күрсәткечләре һәм көчле дымга чыдамлык тәкъдим итә.
2000V CoolSiC MOSFETтан тыш, Infineon тиздән 2024 елның өченче кварталында һәм 2024 елның соңгы кварталында TO-247PLUS 4-пинлы һәм TO-247-2 пакетларында төрелгән өстәмә CoolSiC диодларын чыгарачак. Бу диодлар, бигрәк тә, кояш энергиясе өчен яраклы. Шулай ук капка йөртүче продуктларының туры килү комбинацияләре дә бар.
CoolSiC MOSFET 2000V продукт сериясе хәзер базарда бар. Моннан тыш, Infineon тиешле бәяләү такталарын тәкъдим итә: EVAL-COOLSIC-2KVHCC. Эшкәртүчеләр бу тактаны барлык CoolSiC MOSFETларын һәм 2000V көчәнешле диодларын, шулай ук ике импульслы яки өзлексез PWM эшләү аша EiceDRIVER компакт бер каналлы изоляция капкасы драйверы 1ED31xx продукт сериясен бәяләү өчен төгәл гомуми сынау платформасы буларак куллана алалар.
Power Cube Semi компаниясенең баш технологик директоры Гун Шин-су болай дип белдерде: "Без 1700V SiC MOSFETларын эшләү һәм күпләп җитештерүдәге булган тәҗрибәбезне 2300V га кадәр киңәйтә алдык".
Бастырып чыгару вакыты: 2024 елның 8 апреле