26-нчы көнне Power Cube Semi Көньяк Кореяның беренче 2300V SiC (Кремний Карбид) MOSFET ярымүткәргечнең уңышлы үсешен игълан итте.
Хәзерге Si (Кремний) нигезендәге ярымүткәргечләр белән чагыштырганда, SiC (Кремний Карбид) югары көчәнешләргә каршы тора ала, шуңа күрә электр ярымүткәргечләренең киләчәген алып баручы киләсе буын җайланмасы дип мактала.Электр машиналарының таралуы һәм ясалма интеллект белән идарә итүче мәгълүмат үзәкләрен киңәйтү кебек заманча технологияләр кертү өчен кирәкле компонент булып хезмәт итә.
Power Cube Semi - өч төп категориядә электр ярымүткәргеч җайланмаларын үстерүче - SiC (Кремний Карбид), Si (Кремний), һәм Ga2O3 (Галлиум Оксиды).Күптән түгел компания югары сыйдырышлы Шоттки Барьер Диодларын (SBD) Кытайдагы глобаль электр машиналары компаниясенә кулланды һәм сатты, ярымүткәргеч дизайны һәм технологиясе белән танылды.
2300V SiC MOSFET чыгарылышы Көньяк Кореяда мондый үсеш очраклары буларак игътибарга лаек.Infineon, Германиядә урнашкан глобаль электр ярымүткәргеч компаниясе дә үзенең 2000V продуктын март аенда эшләтеп җибәрүен игълан итте, ләкин 2300В продуктсыз.
Infineon's 2000V CoolSiC MOSFET, TO-247PLUS-4-HCC пакетын кулланып, дизайнерлар арасында көч тыгызлыгын арттыру таләбен канәгатьләндерә, хәтта югары көчәнешле һәм күчү ешлыгы шартларында системаның ышанычлылыгын тәэмин итә.
CoolSiC MOSFET югарырак туры ток көчәнешен тәкъдим итә, токны арттырмыйча көчен арттырырга мөмкинлек бирә.Бу базарда 2000V көчәнешле беренче дискрет кремний карбид җайланмасы, TO-247PLUS-4-HCC пакетын кулланып, 14 мм ераклыкта һәм 5,4 мм чистартуда.Бу җайланмалар түбән күчү югалтуларын күрсәтәләр һәм кояш чыбык инвертерлары, энергия саклау системалары, электр машиналарын зарядлау кебек кушымталар өчен яраклы.
CoolSiC MOSFET 2000V продукт сериясе 1500V DC кадәр югары көчәнешле DC автобус системалары өчен яраклы.1700V SiC MOSFET белән чагыштырганда, бу җайланма 1500В DC системалары өчен җитәрлек көчәнеш маржасын тәэмин итә.CoolSiC MOSFET 4,5В бусага көчәнешен тәкъдим итә һәм каты коммутация өчен нык тән диодлары белән җиһазландырылган..XT тоташу технологиясе ярдәмендә бу компонентлар искиткеч җылылык күрсәткечләрен һәм көчле дымга каршы торуны тәкъдим итәләр.
2000V CoolSiC MOSFETка өстәп, Infineon тиздән 2024 елның өченче кварталында һәм 2024 елның соңгы чирегендә TO-247PLUS 4-пин һәм TO-247-2 пакетларга тутырылган CoolSiC диодларын эшләтеп җибәрәчәк.Бу диодлар кояш куллану өчен аеруча яраклы.Капка йөртүче продукт комбинацияләренә туры килү дә бар.
CoolSiC MOSFET 2000V продукт сериясе хәзер базарда бар.Моннан тыш, Infineon тиешле бәяләү такталарын тәкъдим итә: EVAL-COOLSIC-2KVHCC.Эшләүчеләр бу тактага 2000V дәрәҗәсендә бәяләнгән барлык CoolSiC MOSFET һәм диодларны, шулай ук EiceDRIVER компактлы бер каналлы изоляция капкасы драйверы 1ED31xx продукт сериясен икеләтә импульс яки өзлексез PWM операциясе аша бәяләү өчен төгәл гомуми сынау платформасы итеп куллана ала.
Power Cube Semi компаниясенең баш технология директоры Гунг Шин-Су әйтте, "Без 1700V SiC MOSFETs җитештерү һәм массакүләм җитештерү буенча булган тәҗрибәбезне 2300Вка кадәр киңәйтә алдык.
Пост вакыты: 08-2024 апрель