SOI (Кремний-Он-изолятор) ваферларыизоляцион оксид катламы өстендә формалашкан ультра нечкә кремний катламы булган махсус ярымүткәргеч материалны күрсәтә. Бу уникаль сандвич структурасы ярымүткәргеч җайланмалар өчен мөһим җитештерүчәнлек китерә.
Структур композиция:
Devайланма катламы (югары кремний):
Калынлыгы берничә нанометрдан микрометрга кадәр, транзистор ясау өчен актив катлам булып хезмәт итә.
Күмелгән оксид катламы (BOX):
Кремний диоксиды изоляцион катлам (калынлыгы 0,05-15μм), җайланма катламын субстраттан электр белән аера.
Төп субстрат:
Күпчелек кремний (калынлыгы 100-500μм) механик ярдәм күрсәтә.
Әзерлек процессы технологиясе буенча, SOI кремний ваферларының төп процесс маршрутлары: SIMOX (кислород инъекциясен изоляцияләү технологиясе), BESOI (бәйләү нечкәлеге технологиясе), һәм Smart Cut (акыллы чистарту технологиясе) классификацияләнергә мөмкин.
SIMOX (Кислород инъекциясен изоляцияләү технологиясе) - кремний вафаларына югары энергияле кислород ионнарын кертү кремний диоксиды урнаштырылган катлам формалаштыруны үз эченә алган техника, аннары такталар җитешсезлекләрен төзәтү өчен югары температуралы аннальга дучар ителәләр. Ядрәсе күмелгән катлам кислородын формалаштыру өчен туры ион кислород инъекциясе.
BESOI (Bonding Thinning технологиясе) ике кремний вафаны бәйләүне, аннары аларның берсен механик тарту һәм химик эфир аша SOI структурасын формалаштыруны үз эченә ала. Ядрәсе бәйләүдә һәм нечкәлектә.
Smart Cut (Интеллектуаль Эксфолиация технологиясе) водород ион инъекциясе аша эксфолиация катламын формалаштыра. Бәйләнгәннән соң, водород ион катламы буенча кремний вафинны эксфолиацияләү өчен, ультра-нечкә кремний катламын формалаштыру өчен җылылык эшкәртү үткәрелә. Ядрәсе - водород инъекциясе.
Хәзерге вакытта, Xinao тарафыннан эшләнгән SIMBOND (кислород инъекциясен бәйләү технологиясе) дип аталган тагын бер технология бар. Чынлыкта, бу кислород инъекциясен изоляцияләү һәм бәйләү технологияләрен берләштергән маршрут. Бу техник маршрутта инъекцияләнгән кислород нечкә барьер катламы буларак кулланыла, һәм күмелгән кислород катламы җылылык оксидлаштыру катламы. Шуңа күрә ул бер үк вакытта өске кремнийның бердәмлеге һәм күмелгән кислород катламының сыйфаты кебек параметрларны яхшырта.
Төрле техник маршрутларда җитештерелгән SOI кремний вафлары төрле эш параметрларына ия һәм төрле куллану сценарийлары өчен яраклы.
Түбәндә SOI кремний вафиннарының төп җитештерү өстенлекләренең кыскача таблицасы, аларның техник үзенчәлекләре һәм куллану сценарийлары белән берләштерелгән. Традицион күпчелек кремний белән чагыштырганда, SOI тизлек һәм энергия куллану балансында зур өстенлекләргә ия. (PS: 22nm FD-SOI күрсәткече FinFETныкына якын, бәясе 30% ка киметелә.)
| Спектакль өстенлеге | Техник принцип | Конкрет күренеш | Типик куллану сценарийлары |
| Түбән паразитик сыйдырышлык | Изоляция катламы (BOX) җайланма һәм субстрат арасында корылма кушылуны блоклый | Күчерү тизлеге 15% -30% ка, энергия куллану 20% -50% ка кимеде | 5G RF, югары ешлыктагы элемтә чиплары |
| Агып торган ток | Изоляция катламы агып торган агым юлларын баса | Агып торган ток> 90% ка кимеде, батареяның озынлыгы | IoT җайланмалары, киеп була торган электроника |
| Күчерелгән нурланыш катылыгы | Изоляция катламы нурланышлы корылма туплануны блоклый | Радиациягә толерантлык 3-5х яхшырды, бер вакыйганың борчылуын киметте | Космик кораб, атом сәнәгате җиһазлары |
| Кыска канал эффект контроле | Нечкә кремний катламы дренаж һәм чыганак арасындагы электр кырының комачаулавын киметә | Яхшыртылган бусага көчәнешенең тотрыклылыгы, оптимальләштерелгән асты юл кыры | Алга киткән төен логик чиплары (<14нм) |
| Яхшыртылган җылылык белән идарә итү | Изоляция катламы җылылык үткәргеч кушылуны киметә | 30% азрак җылылык туплау, 15-25 ° C түбән эш температурасы | 3D IC, Автомобиль электроникасы |
| Freгары ешлыкны оптимизацияләү | Паразитик сыйдырышлыкны киметү һәм ташучы хәрәкәтчәнлеген арттыру | 20% түбән тоткарлау,> 30 ГГц сигнал эшкәртүгә ярдәм итә | mm Дулкынлы элемтә, Спутник чиплары |
| Дизайнның сыгылмалылыгын арттыру | Яхшы допинг кирәк түгел, арткы битлекне яклый | 13% -20% азрак процесс адымнары, 40% югарырак интеграция тыгызлыгы | Катнаш сигналлы IC, сенсорлар |
| Иммунитет | Изоляция катламы паразитик PN тоташуларын аера | Латч-up агым бусагасы> 100МАга кадәр артты | Volгары көчәнешле электр җайланмалары |
Йомгаклап әйткәндә, SOI-ның төп өстенлекләре: ул тиз эшли һәм көчлерәк.
SOI-ның бу җитештерүчәнлек характеристикалары аркасында, бик яхшы ешлык җитештерүчәнлеген һәм энергия куллану күрсәткечләрен таләп иткән кырларда киң кулланмалар бар.
Түбәндә күрсәтелгәнчә, SOI'ка туры килгән кушымта кырларының пропорциясенә нигезләнеп, SOI базарының күпчелек өлешен RF һәм электр җайланмалары тәшкил итә.
| Куллану кыры | Базар өлеше |
| RF-SOI (Радио ешлыгы) | 45% |
| Күч SOI | 30% |
| FD-SOI (тулысынча беткән) | 15% |
| Оптик SOI | 8% |
| Сенсор SOI | 2% |
Кәрәзле элемтә һәм автоном йөртү кебек базарлар үсеше белән, SOI кремний ваферлары да билгеле үсеш темпларын саклап калырлар дип көтелә.
XKH, Кремний-Он-Инсулятор (SOI) вафер технологиясендә әйдәп баручы инновационалист буларак, сәнәгатьнең алдынгы җитештерү процессларын кулланып, R&D күләменнән җитештерүгә комплекслы SOI чишелешләрен китерә. Безнең тулы портфолио 200mm / 300mm SOI ваферларын үз эченә ала, RF-SOI, Power-SOI һәм FD-SOI вариантларын үз эченә ала. Без күмелгән оксид (BOX) катлам калынлыгы 50нмнан 1,5μм га кадәр һәм төрле таләпләргә туры килерлек төрле каршылык спецификасы белән махсуслаштырылган чишелешләр тәкъдим итәбез. 15 еллык техник экспертиза һәм глобаль тәэмин итү чылбырын кулланып, без югары дәрәҗәдәге ярымүткәргеч җитештерүчеләргә югары сыйфатлы SOI субстрат материалларын ышанычлы тәэмин итәбез, 5G элемтә, автомобиль электроникасы һәм ясалма интеллект кушымталарында заманча чип инновацияләрен булдырырга мөмкинлек бирәбез.
XKH'SOI вафиннары:
Пост вакыты: 24-2025 апрель