Кремнийдагы 8 дюймлы һәм 6 дюймлы SOI (кремний-он-изолятор) ваферларында SOI вафер изоляторы

Кремнийдагы SOI вафер изоляторы 8 дюймлы һәм 6 дюймлы SOI (Кремний-Он-Изолятор) ваферлары Күрсәтелгән Рәсем

Кыска тасвирлау:

Өч төрле катламнан торган Кремний-Он-Изолятор (SOI) ваферы микроэлектроника һәм радио ешлыгы (RF) кушымталары өлкәсендә нигез ташы булып барлыкка килә.Бу абстракт бу инновацион субстратның төп характеристикаларын һәм төрле кулланылышын ачыклый.

Безгә электрон почта җибәрегез

Продукциянең детальләре

Продукция тэглары

Вафин тартма белән таныштыру

Өч катлы кремний катламы, изоляцион оксид катламы һәм аскы кремний субстратыннан торган өч катлы SOI ваферы микроэлектроника һәм RF доменнарында тиңсез өстенлекләр тәкъдим итә.Silгары кремний катламы, югары сыйфатлы кристалл кремний булган, катлаулы электрон компонентларны төгәллек һәм эффективлык белән интеграцияләүне җиңеләйтә.Паразитик сыйдырышлыкны киметү өчен җентекләп эшләнгән изоляцион оксид катламы, кирәкмәгән электр комачаулавын йомшартып, җайланманың эшләвен көчәйтә.Аскы кремний субстрат механик ярдәм күрсәтә һәм булган кремний эшкәртү технологияләренә туры килүен тәэмин итә.

Микроэлектроникада SOI ваферы югары тизлек, энергия эффективлыгы һәм ышанычлылыгы белән алдынгы интеграль схемалар (IC) ясау өчен нигез булып хезмәт итә.Аның өч катлы архитектурасы CMOS (өстәмә металл-оксид-ярымүткәргеч) IC, MEMS (микро-электро-механик системалар) һәм электр җайланмалары кебек катлаулы ярымүткәргеч җайланмалар үсешенә мөмкинлек бирә.

RF доменында SOI ваферы RF җайланмалары һәм системаларын проектлауда һәм тормышка ашыруда искиткеч күрсәткеч күрсәтә.Аның түбән паразитик сыйдырышлыгы, югары көчәнеш көчәнеше, искиткеч изоляция үзенчәлекләре аны RF ачкычлары, көчәйткечләр, фильтрлар һәм башка RF компонентлары өчен идеаль субстрат итә.Өстәвенә, SOI ваферының радиация толерантлыгы аны аэрокосмос һәм оборона кушымталары өчен яраклы итә, анда каты шартларда ышанычлылык иң мөһиме.

Моннан тыш, SOI ваферының күпкырлы булуы фотоник интеграль схемалар (PIC) кебек барлыкка килүче технологияләргә тарала, монда оптик һәм электрон компонентларны бер субстратка интеграцияләү киләсе буын телекоммуникацияләр һәм мәгълүмати элемтә системалары өчен вәгъдә бирә.

Йомгаклап әйткәндә, өч катлы Кремний-Он-Изолятор (SOI) ваферы микроэлектроника һәм RF кушымталарында инновациянең алгы сафында тора.Аның уникаль архитектурасы һәм искиткеч җитештерүчәнлек характеристикалары төрле тармакларда алга китеш, алгарышка этәргеч һәм технологиянең киләчәген формалаштыру өчен юл ача.