SiC ваферлары кремний карбидыннан ясалган ярымүткәргечләр.Бу материал 1893 елда эшләнгән һәм төрле кушымталар өчен идеаль.Бигрәк тә Шоттки диодлары, тоташу барьеры Шоттки диодлары, ачкычлар һәм металл-оксид-ярымүткәргеч кыр-эффект транзисторлары өчен бик яраклы.Highгары каты булу сәбәпле, ул электрон компонентлар өчен искиткеч сайлау.
Хәзерге вакытта SiC ваферларының ике төп төре бар.Беренчесе - кремний карбид ваферы булган чистартылган вафер.Ул югары чисталык SiC кристаллыннан эшләнгән һәм диаметры 100 мм яки 150 мм булырга мөмкин.Ул югары көчле электрон җайланмаларда кулланыла.Икенче төр - эпитаксиаль кристалл кремний карбид ваферы.Бу төр вафин кремний карбид кристаллларының бер катламын өскә өстәп ясала.Бу ысул материал калынлыгын төгәл контрольдә тотуны таләп итә һәм N тибындагы эпитакси дип атала.
Киләсе төр - бета кремний карбид.Бета SiC 1700 градустан югары температурада җитештерелә.Альфа карбидлары иң еш очрый һәм вурцитка охшаган алты почмаклы кристалл структурасына ия.Бета формасы бриллиантка охшаган һәм кайбер кушымталарда кулланыла.Электр машинасының көче ярымфабрикатлы продуктлар өчен ул һәрвакыт беренче сайлау булды.Бу яңа материал өстендә берничә өченче як кремний карбид ваферы белән тәэмин итүчеләр эшли.
ZMSH SiC ваферлары бик популяр ярымүткәргеч материаллар.Бу бик күп кушымталар өчен бик яхшы сыйфатлы ярымүткәргеч материал.ZMSH кремний карбид ваферлары төрле электрон җайланмалар өчен бик файдалы материал.ZMSH югары сыйфатлы SiC ваферлары һәм субстратлары белән тәэмин итә.Алар N тибындагы һәм ярым изоляцияләнгән формаларда бар.
2 --- Кремний Карбид: Ваферларның яңа чорына
Кремний карбидының физик үзенчәлекләре
Кремний карбид махсус кристалл структурасына ия, бриллиантка охшаган алты почмаклы тыгыз структураны кулланып.Бу структур кремний карбидына искиткеч җылылык үткәрүчәнлеге һәм югары температурага каршы тору мөмкинлеген бирә.Традицион кремний материаллары белән чагыштырганда, кремний карбид зуррак диапазон киңлеге киңлегенә ия, ул югары электрон полосалар арасын тәэмин итә, нәтиҗәдә электрон хәрәкәтчәнлеге түбәнрәк һәм агып торган ток түбән.Моннан тыш, кремний карбид шулай ук югары электрон туендыру тизлегенә һәм материалның түбән каршылыгына ия, югары көч куллану өчен яхшырак эш күрсәтә.
Кремний карбид ваферларын куллану очраклары һәм перспективалары
Электроника кушымталары
Кремний карбид ваферы электроника өлкәсендә киң куллану перспективасына ия.Electronгары электрон хәрәкәтчәнлеге һәм искиткеч җылылык үткәрүчәнлеге аркасында, СИС ваферлары электр энергиясе һәм кояш инвертерлары өчен электр модуллары кебек югары көчле тыгызлыкка күчү җайланмалары җитештерү өчен кулланылырга мөмкин.Кремний карбид ваферларының югары температурасы тотрыклылыгы бу җайланмаларга югары температура шартларында эшләргә мөмкинлек бирә, зуррак эффективлык һәм ышанычлылык тәэмин итә.
Оптоэлектрон кушымталар
Оптоэлектрон җайланмалар өлкәсендә кремний карбид вафлары үзләренең уникаль өстенлекләрен күрсәтәләр.Кремний карбид материалы киң тасма аермасы характеристикасына ия, бу аңа югары фотонон энергиясенә һәм оптоэлектрон җайланмаларда аз яктылык югалтуына ирешергә мөмкинлек бирә.Кремний карбид ваферлары югары тизлекле элемтә җайланмалары, фотодетекторлар һәм лазерлар әзерләү өчен кулланылырга мөмкин.Аның искиткеч җылылык үткәрүчәнлеге һәм түбән кристалл җитешсезлеге тыгызлыгы аны югары сыйфатлы оптоэлектрон җайланмалар әзерләү өчен идеаль итә.
Перспектива
Performanceгары җитештерүчән электрон җайланмаларга сорау арту белән, кремний карбид ваферлары искиткеч үзенчәлекләргә һәм киң куллану потенциалына ия материал буларак өметле киләчәккә ия.Әзерлек технологиясен өзлексез камилләштерү һәм бәянең кимүе белән кремний карбид ваферларын коммерция куллану алга этәреләчәк.Киләсе берничә елда кремний карбид ваферлары акрынлап базарга керерләр һәм югары көч, югары ешлык һәм югары температураны куллану өчен төп сайлау булырлар дип көтелә.
3 --- SiC вафер базарына һәм технология тенденцияләренә тирән анализ
Кремний карбид (SiC) вафер базар драйверларына тирән анализ
Кремний карбид (SiC) вафер базарының үсеше берничә төп фактор тәэсирендә, һәм бу факторларның базарга тәэсирен тирәнтен анализлау бик мөһим.Менә базарның төп драйверлары:
Энергияне саклау һәм әйләнә-тирә мохитне саклау: Кремний карбид материалларының югары җитештерүчәнлеге һәм аз энергия куллану үзенчәлекләре аны энергия саклау һәм әйләнә-тирә мохитне саклау өлкәсендә популярлаштыра.Электр машиналарына, кояш инвертерларына һәм башка энергия конверсия җайланмаларына ихтыяҗ кремний карбид ваферларының базар үсешенә этәрә, чөнки ул энергия калдыкларын киметергә ярдәм итә.
Электроника кушымталары: Кремний карбид электр электроникасы кушымталарында өстенлек бирә һәм югары басым һәм югары температура шартларында электр электроникасында кулланылырга мөмкин.Яңартыла торган энергияне популярлаштыру һәм электр энергиясенә күчүне алга этәрү белән, электроника базарында кремний карбид ваферларына сорау арта.
SiC ваферы киләчәктә җитештерү технологияләрен үстерү тенденциясен җентекләп анализлый
Масса-күләм җитештерү һәм чыгымнарны киметү: Киләчәк SiC вафер җитештерү массакүләм җитештерүгә һәм чыгымнарны киметүгә күбрәк игътибар бирәчәк.Бу җитештерүчәнлекне арттыру һәм җитештерү чыгымнарын киметү өчен химик пар парламенты (CVD) һәм физик пар парламенты (PVD) кебек камилләштерелгән үсеш техникасын үз эченә ала.Моннан тыш, акыллы һәм автоматлаштырылган җитештерү процессларын кабул итү эффективлыкны тагын да яхшыртыр дип көтелә.
Яңа вафин зурлыгы һәм структурасы: SiC ваферларының зурлыгы һәм структурасы киләчәктә төрле кушымталар ихтыяҗларын канәгатьләндерү өчен үзгәрергә мөмкин.Бу зуррак диаметрлы ваферлар, гетероген структуралар яки күпкатлы ваферлар булырга мөмкин.
Энергия эффективлыгы һәм яшел җитештерү: Киләчәктә SiC ваферлары җитештерү энергия нәтиҗәлелегенә һәм яшел җитештерүгә зур игътибар бирәчәк.Яңартыла торган энергия, яшел материаллар, калдыкларны эшкәртү һәм аз углерод җитештерү процесслары белән эшләнгән заводлар җитештерү тенденциясенә әйләнәчәк.
Пост вакыты: 19-2024 гыйнвар