2 дюймлы SiC Wafers 6H яки 4H ярым изоляцион SiC субстратлары Dia50,8 мм

Кыска тасвирлау:

Кремний карбид (SiC) - IV-IV төркемнең икеләтә кушылмасы, ул Периодик элементлар таблицасының IV төркемендәге бердәнбер тотрыклы каты кушылма, бу мөһим ярымүткәргеч. SiC искиткеч җылылык, механик, химик һәм электр үзенчәлекләренә ия, алар аны югары температура, югары ешлыклы һәм югары көчле электрон җайланмалар ясау өчен иң яхшы материалларның берсе итәләр.


Продукциянең детальләре

Продукция тэглары

Кремний карбид субстратын куллану

Кремний карбид субстратын каршылык буенча үткәргеч төргә һәм ярым изоляцион төргә бүлеп була. Condткәргеч кремний карбид җайланмалары, нигездә, электр машиналарында, фотоволтаик энергия җитештерүдә, тимер юл транзиты, мәгълүмат үзәкләре, зарядлау һәм башка инфраструктурада кулланыла. Электр машиналары тармагында үткәргеч кремний карбид субстратларына зур ихтыяҗ бар, һәм хәзерге вакытта Тесла, BYD, NIO, Сяопенг һәм башка яңа энергия машиналары компанияләре кремний карбид дискрет җайланмалары яки модульләрен кулланырга ниятлиләр.

Ярым изоляцияләнгән кремний карбид җайланмалары, нигездә, 5G элемтә, транспорт элемтәләре, милли оборона кушымталары, мәгълүмат тапшыру, аэрокосмос һәм башка өлкәләрдә кулланыла. Ярым изоляцияләнгән кремний карбид субстратында галлий нитрид эпитаксиаль катламын үстереп, кремний нигезендәге галлий нитрид эпитаксиаль вафер тагын да микродулкынлы RF җайланмаларына ясалырга мөмкин, алар күбесенчә RF кырында кулланыла, мәсәлән, 5G элемтәсендә көч көчәйткечләре һәм милли оборона радио детекторлары.

Кремний карбид субстрат продуктлары җитештерү җиһазлар эшкәртү, чимал синтезы, кристалл үсеше, кристалл кисү, вафер эшкәртү, чистарту һәм сынау һәм башка бик күп сылтамаларны үз эченә ала. Чимал ягыннан, Сонгшан Бор индустриясе кремний карбид чималы белән тәэмин итә, һәм кечкенә партия сатуга иреште. Кремний карбид белән күрсәтелгән өченче буын ярымүткәргеч материаллар хәзерге индустриядә төп роль уйный, яңа энергия машиналарының үтеп керүен тизләтү һәм фотоволтаик кушымталар, кремний карбид субстратына ихтыяҗ инфляция ноктасына якынлаша.

Диаграмма

2 дюйм SiC Wafers 6H (1)
2 дюйм SiC Wafers 6H (2)

  • Алдагы:
  • Киләсе:

  • Хәбәрегезне монда языгыз һәм безгә җибәрегез