200 мм SiC субстрат 4H-N 8inch SiC ваферы

200 мм SiC субстрат думми класс 4H-N 8inch SiC вафер үзенчәлекле рәсем

Кыска тасвирлау:

Диаметры 8 дюйм булган кремний карбид субстраты (якынча 200 мм). Кремний карбид (SiC) субстрат - электр җайланмалары һәм оптоэлектрон җайланмалар җитештерү өчен мөһим материал. 8 дюймлы SiC субстратлары гадәттә көчле MOSFETлар, электр диодлары һәм башка югары җитештерүчән электр җайланмалары кебек югары көчле электрон җайланмалар җитештерү өчен кулланыла. Бу зур күләмле субстрат җитештерү эффективлыгын яхшырта, җитештерү чыгымнарын киметә һәм көчлерәк җайланмалар җитештерергә ярдәм итә ала. Кремний карбид материалы искиткеч җылылык үткәрүчәнлегенә, югары температурага каршы торуга һәм нурланышка каршы торуга ия, бу аны югары җитештерүчәнлек җайланмалары җитештерү өчен идеаль сайлау.

Безгә электрон почта җибәрегез

Продукциянең детальләре

Продукция тэглары

8 дюймлы SiC субстрат җитештерүнең техник кыенлыклары:

1.Кристалл үсеше: зур диаметрлы кремний карбидының югары сыйфатлы бер кристалл үсешенә ирешү җитешсезлекләр һәм пычраклар белән идарә итү аркасында авыр булырга мөмкин.

2. Вафер эшкәртү: 8 дюймлы ваферларның зурлыгы полимер, эшкәртү, допинг кебек вафер эшкәртү вакытында бердәмлек һәм җитешсезлекләрне контрольдә тоту ягыннан кыенлыклар тудыра.

3.Материал бертөрлелек: 8 дюймлы SiC субстратында эзлекле материаль үзлекләрне һәм бертөрлелекне тәэмин итү техник яктан таләпчән һәм җитештерү процессында төгәл контроль таләп итә.

4.Кост: 8 дюймлы SiC субстратларын масштаблау, югары материал сыйфатын һәм уңышны саклап калу, җитештерү процессларының катлаулылыгы һәм бәясе аркасында экономик яктан авыр булырга мөмкин.

5. Бу техник кыенлыкларны чишү 8 дюймлы SiC субстратларын югары җитештерүчәнлектә һәм оптоэлектрон җайланмаларда киң куллану өчен бик мөһим.

Без Кытайның беренче экспорт SiC заводларыннан сапфир субстратлары белән тәэмин итәбез, шул исәптән Tankeblue. 10 елдан артык агентлык безгә завод белән тыгыз элемтәдә торырга мөмкинлек бирде. Иң яхшы бәя һәм бәя тәкъдим иткәндә без сезгә озак вакытлы һәм тотрыклы тәэмин итү өчен кирәк булган 6inch һәм 8inchSiC субстратлары белән тәэмин итә алабыз.

Tankeblue - өченче буын ярымүткәргеч кремний карбид (SiC) чипларын эшкәртүдә, җитештерүдә һәм сатуда махсуслашкан югары технологияле предприятия. Компания SiC ваферларын дөньяда әйдәп баручы компанияләрнең берсе.