2инч 50,8 мм Кремний Карбид SiC Wafers Si N тибындагы җитештерү тикшеренүләре һәм Dummy класс

2инч 50,8 мм Кремний Карбид SiC Wafers Doped Si N тибындагы җитештерү тикшеренүләре һәм Dummy класслы Рәсем

Кыска тасвирлау:

Шанхай Синкехуи Тех. Co., Ltd югары сыйфатлы кремний карбид ваферлары һәм N-һәм ярым изоляцион төрләре булган алты дюймга кадәр субстратлар өчен иң яхшы сайлау һәм бәяләр тәкъдим итә. Кечкенә һәм эре ярымүткәргеч җайланмалар компанияләре һәм тикшеренү лабораторияләре безнең силикон карбид ваферларына таяналар.

Безгә электрон почта җибәрегез

Продукциянең детальләре

Продукция тэглары

2 дюймлы 4H-N ачылмаган SiC ваферлары өчен параметрик критерийлар

Субстрат материал: 4H кремний карбид (4H-SiC)

Бәллүр структурасы: тетрахехедраль (4Х)

Допинг: ачылмаган (4H-N)

Размер: 2 дюйм

Condткәрүчәнлек төре: N-тип (n-doped)

Condткәрүчәнлек: ярымүткәргеч

Базар перспективасы: 4H-N кабатланмаган SiC ваферларының күп өстенлекләре бар, мәсәлән, югары җылылык үткәрүчәнлеге, түбән үткәргеч югалту, искиткеч югары температурага каршы тору, һәм югары механик тотрыклылык, һәм шулай итеп электр электроникасы һәм RF кушымталарында киң базар перспективасы бар. Яңартыла торган энергия, электр машиналары һәм элемтә үсеше белән, 4H-N кушылмаган SiC ваферлары өчен киң базар мөмкинлеге бирә торган югары эффективлык, югары температура һәм югары көч чыдамлыгы булган җайланмаларга сорау арта.

Куллану: 2 дюймлы 4H-N кабатланмаган SiC ваферлары төрле электроника һәм RF җайланмалары ясау өчен кулланылырга мөмкин, шул исәптән:

1--4H-SiC MOSFETs: Металл оксиды ярымүткәргеч кыр эффект транзисторлары югары көч / югары температура куллану өчен. Бу җайланмалар югары эффективлык һәм ышанычлылык тәэмин итү өчен түбән үткәргеч һәм күчү югалтуларына ия.

2--4H-SiC JFETs: RF көчәйткеч һәм күчергеч кушымталары өчен FET чишелеше. Бу җайланмалар югары ешлыклы эшне һәм югары җылылык тотрыклылыгын тәкъдим итә.

3--4H-SiC Шоттки диодлары: powerгары көч, югары температура, югары ешлыклы кушымталар өчен диодлар. Бу җайланмалар түбән үткәрү һәм күчү югалтулары белән югары эффективлык тәкъдим итә.

4--4H-SiC Оптоэлектрон җайланмалар: powerгары көчле лазер диодлары, УВ детекторлары һәм оптоэлектрон интеграль схемалар кебек өлкәләрдә кулланыла торган җайланмалар. Бу җайланмалар югары көч һәм ешлык үзенчәлекләренә ия.

Йомгаклап әйткәндә, 2 дюймлы 4H-N кабатланмаган SiC ваферлары бик күп кушымталар өчен потенциалга ия, аеруча электр электроникасы һәм RF. Аларның югары җитештерүчәнлеге һәм югары температураның тотрыклылыгы аларны традицион кремний материалларын югары җитештерүчәнлек, югары температура һәм югары көч куллану өчен көчле көндәш итә.