2 дюймлы 50.8 мм кремний карбиды SiC пластиналары, легирланган Si N-типтагы җитештерү тикшеренүләре һәм макет классы
2 дюймлы 4H-N допингланмаган SiC пластиналары өчен параметрик критерийларга түбәндәгеләр керә
Субстрат материалы: 4H кремний карбиды (4H-SiC)
Кристалл төзелеше: тетрагексахадр (4H)
Допинг: Допингланмаган (4H-N)
Зурлыгы: 2 дюйм
Үткәрүчәнлек төре: N-тип (n-легирланган)
Үткәрүчәнлек: Ярымүткәргеч
Базар перспективалары: 4H-N легирланмаган SiC пластиналары югары җылылык үткәрүчәнлеге, түбән үткәрүчәнлек югалтулары, югары температурага чыдамлыгы һәм югары механик тотрыклылык кебек күп өстенлекләргә ия, һәм шуңа күрә алар электр электроникасы һәм радиоешлык кушымталарында киң базар перспективаларына ия. Яңартыла торган энергия, электр транспорт чаралары һәм элемтә үсеше белән югары нәтиҗәлелеккә, югары температурага чыдамлылыкка һәм югары энергиягә чыдый торган җайланмаларга ихтыяҗ арта, бу 4H-N легирланмаган SiC пластиналары өчен киңрәк базар мөмкинлекләре бирә.
Кулланылышы: 2 дюймлы 4H-N легирланмаган SiC пластиналары төрле көч электроникасы һәм радиоешлык җайланмаларын ясау өчен кулланылырга мөмкин, шул исәптән, ләкин алар белән чикләнмичә:
1--4H-SiC MOSFETлары: Югары куәтле/югары температуралы кушымталар өчен металл оксиды ярымүткәргеч кыр эффекты транзисторлары. Бу җайланмалар югарырак нәтиҗәлелек һәм ышанычлылык тәэмин итү өчен түбән үткәрүчәнлеккә һәм коммутация югалтуларына ия.
2--4H-SiC JFETлары: РФ көч көчәйткече һәм коммутация кушымталары өчен тоташу FETлары. Бу җайланмалар югары ешлыклы эш күрсәткечләре һәм югары термик тотрыклылык тәкъдим итәләр.
3--4H-SiC Шоттки диодлары: Югары куәтле, югары температуралы, югары ешлыклы кушымталар өчен диодлар. Бу җайланмалар түбән үткәрүчәнлек һәм коммутация югалтулары белән югары нәтиҗәлелек тәкъдим итә.
4--4H-SiC Оптоэлектрон җайланмалар: Югары куәтле лазер диодлары, УВ детекторлары һәм оптоэлектрон интеграль схемалар кебек өлкәләрдә кулланыла торган җайланмалар. Бу җайланмалар югары куәтле һәм ешлыклы характеристикаларга ия.
Кыскасы, 2 дюймлы 4H-N легирланмаган SiC пластиналары киң куллану мөмкинлекләренә ия, бигрәк тә электр электроникасында һәм радиоешлыкларда. Аларның югары сыйфатлы эшләве һәм югары температура тотрыклылыгы аларны югары сыйфатлы, югары температуралы һәм югары куәтле кушымталар өчен традицион кремний материалларын алыштыру өчен көчле көндәш итә.
җентекле схема
