2Inch 6H-N Кремний Карбид Субстрат Сик Вафер икеләтә бизәлгән үткәргеч прим класс Мос класс

2Inch 6H-N Кремний Карбид Субстрат Сик Вафер Ике Оештырылган Кондуктив Премьер Сыйфат Мос Сыйфатлы Рәсем

Кыска тасвирлау:

6H n тибындагы Кремний Карбид (SiC) бер кристалл субстрат - югары көчле, югары ешлыклы һәм югары температуралы электрон кушымталарда киң кулланылган мөһим ярымүткәргеч материал. Алты почмаклы кристалл структурасы белән танылган, 6H-N SiC киң полоса һәм югары җылылык үткәрүчәнлеген тәкъдим итә, бу аны таләп итүче мохит өчен идеаль итә.
Бу материалның югары өзелү электр кыры һәм электрон хәрәкәтчәнлеге традицион кремнийдан эшләнгәнгә караганда югары көчәнештә һәм температурада эшли ала торган MOSFET һәм IGBT кебек эффектив электрон җайланмалар үсешенә мөмкинлек бирә. Аның искиткеч җылылык үткәрүчәнлеге эффектив җылылык таралуны тәэмин итә, югары көчле кушымталарда җитештерүчәнлекне һәм ышанычлылыкны саклау өчен бик мөһим.
Радиоэффект (RF) кушымталарында, 6H-N SiC үзлекләре яхшыртылган эффективлык белән югары ешлыкларда эшләргә сәләтле җайланмалар булдыруны хуплый. Аның химик тотрыклылыгы һәм нурланышка каршы торуы аны каты шартларда, шул исәптән аэрокосмик һәм оборона өлкәләрендә куллану өчен яраклы итә.
Моннан тыш, 6H-N SiC субстратлары оптоэлектрон җайланмалар өчен аерылгысыз, ультрафиолет фотодетекторлары кебек, аларның киң полосасы UV яктылыгын эффектив ачыкларга мөмкинлек бирә. Бу характеристикаларның берләшүе 6H n тибындагы SiC заманча электрон һәм оптоэлектрон технологияләрне алга җибәрүдә күпкырлы һәм алыштыргысыз материал итә.

Безгә электрон почта җибәрегез

Продукциянең детальләре

Продукция тэглары

Кремний карбид ваферының үзенчәлекләре:

· Продукциянең исеме: SiC субстрат
Алты почмаклы структурасы: уникаль электрон үзлекләр.
· Electгары электрон хәрәкәт: ~ 600 см² / В · с.
· Химик тотрыклылык: коррозиягә каршы.
· Радиациягә каршы тору: кырыс мохит өчен яраклы.
· Түбән эчке ташучы концентрациясе: югары температурада эффектив.
· Тотрыклылыгы: көчле механик үзлекләр.
· Оптоэлектрон мөмкинлек: УВ яктылыгын эффектив ачыклау.

Кремний карбид ваферының берничә кушымтасы бар

SiC wafer кушымталары:
SiC (Кремний Карбид) субстратлары югары җылылык үткәрүчәнлеге, югары электр кыры көче һәм киң полоса кебек уникаль үзенчәлекләре аркасында төрле югары җитештерүчән кушымталарда кулланыла. Менә кайбер кушымталар:

1. Электр энергиясе:
· Volгары көчәнешле MOSFETлар
· IGBTлар (изоляцияләнгән капка ике яклы транзисторлар)
· Шоттки диодлары
· Көч инвертерлары

2. -гары ешлык җайланмалары:
· РФ (ешлык радиосы) көчәйткечләр
· Микродулкынлы транзисторлар
· Миллиметр-дулкынлы җайланмалар

3. -гары температуралы электроника:
· Каты мохит өчен сенсорлар һәм схемалар
· Аэрокосмик электроника
· Автомобиль электроникасы (мәсәлән, двигатель белән идарә итү берәмлекләре)

4. Оптоэлектроника:
· Ультрафиолет (УВ) фотодетекторлары
· Яктылык җибәрүче диодлар (светофорлар)
Лазер диодлары

5. Яңартыла торган энергия системалары:
· Кояш инвертерлары
· Windил турбинасы конвертерлары
· Электр машинасы электр энергиясе

6.Сәнәгать һәм оборона:
· Радар системалары
Спутник элемтә
Ядро реакторы кораллары

SiC ваферы

Без сезнең конкрет таләпләрегезгә туры килер өчен SiC субстратының зурлыгын көйли алабыз. Без шулай ук 10х10 мм яки 5х5 мм зурлыктагы 4H-Semi HPSI SiC ваферы тәкъдим итәбез.
Бәясе очрак буенча билгеләнә, һәм төрү детальләре сезнең өстенлеккә яраклаштырыла ала.
Тапшыру вакыты 2-4 атна эчендә. Без түләүне T / T аша кабул итәбез.
Безнең заводта алдынгы җитештерү җиһазлары һәм техник коллектив бар, алар төрле спецификацияләрне, калынлыкны һәм SiC вафер формаларын клиентларның таләпләренә туры китереп көйли алалар.