2 дюймлы 6H-N кремний карбиды субстраты Sic пластинасы икеләтә ялтыратылган үткәргечле прайм-класс Mos класс

2 дюймлы 6H-N кремний карбиды субстраты Sic пластинасы, икеләтә ялтыратылган үткәргечле праймер-класс Mos класслы күрсәтелгән рәсем

Кыскача тасвирлама:

6H n-типлы кремний карбиды (SiC) монокристалл субстраты - югары куәтле, югары ешлыклы һәм югары температуралы электрон кушымталарда киң кулланыла торган мөһим ярымүткәргеч материал. Алты почмаклы кристалл структурасы белән дан казанган 6H-N SiC киң зона аралыгы һәм югары җылылык үткәрүчәнлеге тәкъдим итә, бу аны катлаулы мохит өчен идеаль итә.
Бу материалның югары дәрәҗәдәге җимерелүчән электр кыры һәм электроннарның хәрәкәтчәнлеге традицион кремнийдан ясалганнарга караганда югарырак көчәнештә һәм температурада эшли алырлык MOSFET һәм IGBT кебек нәтиҗәле электрон җайланмалар эшләү мөмкинлеген бирә. Аның бик яхшы җылылык үткәрүчәнлеге нәтиҗәле җылылык таратуны тәэмин итә, бу югары куәтле кушымталарда эшләүчәнлекне һәм ышанычлылыкны саклап калу өчен бик мөһим.
Радиоешлык (RF) кушымталарында 6H-N SiC үзлекләре югарырак ешлыкларда нәтиҗәлерәк эшли алырлык җайланмалар булдыруны хуплый. Аның химик тотрыклылыгы һәм радиациягә каршы торучанлыгы аны аэрокосмик һәм оборона секторларын да кертеп, каты мохиттә куллану өчен яраклы итә.
Моннан тыш, 6H-N SiC субстратлары оптоэлектрон җайланмалар, мәсәлән, ультрафиолет фотодетекторлар өчен аерылгысыз, аларның киң зонасы ультрафиолет яктылыкны нәтиҗәле ачыклау мөмкинлеген бирә. Бу үзенчәлекләрнең берләшүе 6H n-типтагы SiCны заманча электрон һәм оптоэлектрон технологияләрне алга этәрүдә күпкырлы һәм алыштыргысыз материал итә.

Безгә электрон почта җибәрегез

Үзенчәлекләр

Кремний карбид пластинасының үзенчәлекләре түбәндәгеләр:

· Продукция исеме: SiC субстраты
· Алтыпочмаклы структура: уникаль электрон үзлекләре.
· Электроннарның югары хәрәкәтчәнлеге: ~600 см²/В·с.
· Химик тотрыклылык: коррозиягә чыдам.
· Радиациягә чыдамлылык: Каты мохит өчен яраклы.
· Эчке ташучының түбән концентрациясе: Югары температураларда нәтиҗәле.
· Чыдамлык: Көчле механик үзлекләр.
· Оптоэлектрон мөмкинлек: Ультрафиолет нурларын нәтиҗәле ачыклау.

Кремний карбид пластинасының берничә кулланылышы бар

SiC пластинасы кулланылышы:
SiC (Кремний карбиды) субстратлары югары җылылык үткәрүчәнлеге, югары электр кыры көче һәм киң зона кебек уникаль үзлекләре аркасында төрле югары нәтиҗәле кушымталарда кулланыла. Менә кайбер кулланылышлар:

1. Көчле электроника:
·Югары вольтлы MOSFETлар
·Изоляцияләнгән капкалы биполяр транзисторлар (IGBT)
·Шоттки диодлары
·Көч инверторлары

2. Югары ешлыклы җайланмалар:
·Радиоешма көчәйткечләре
·Микродулкынлы транзисторлар
·Миллиметр дулкынлы җайланмалар

3. Югары температуралы электроника:
·Катлаулы мохит өчен сенсорлар һәм схемалар
· Авиация электроникасы
·Автомобиль электроникасы (мәсәлән, двигатель белән идарә итү җайланмалары)

4. Оптоэлектроника:
·Ультрафиолет (УВ) фотодетекторлары
·Яктылык чыгаручы диодлар (LED)
·Лазер диодлары

5. Яңартыла торган энергия системалары:
·Кояш инверторлары
·Җил турбиналары өчен конвертерлар
·Электр транспорт чараларының көч агрегатлары

6. Сәнәгать һәм оборона:
·Радар системалары
· Спутник элемтәсе
· Атом реакторы җайланмалары

SiC пластинасын көйләү

Без сезнең махсус таләпләрегезгә туры китереп SiC нигезенең зурлыгын көйли алабыз. Шулай ук, без 10x10 мм яки 5x5 мм зурлыктагы 4H-Semi HPSI SiC пластинасын тәкъдим итәбез.
Бәя чехолга карап билгеләнә, һәм упаковка детальләрен сезнең теләгегез буенча көйләргә мөмкин.
Китерү вакыты 2-4 атна эчендә. Түләүне T/T аша кабул итәбез.
Безнең заводта алдынгы җитештерү җиһазлары һәм техник команда бар, алар SiC пластинасының төрле спецификацияләрен, калынлыгын һәм формаларын клиентларның махсус таләпләренә туры китереп көйли алалар.