2inch SiC Dia50.8mmx10mmt 4H-N монокристал

Кыска тасвирлау:

2 дюймлы SiC (кремний карбид) ингот диаметры яки кыры озынлыгы 2 дюйм булган кремний карбидының цилиндрик яки блок формасындагы бер кристаллын аңлата. Кремний карбид инготлары төрле ярымүткәргеч җайланмалар җитештерү өчен башлангыч материал буларак кулланыла, мәсәлән, электр электрон җайланмалары һәм оптоэлектрон җайланмалар.

Безгә электрон почта җибәрегез

Продукциянең детальләре

Продукция тэглары

SiC кристалл үсеш технологиясе

SiC характеристикалары бер кристаллны үстерүне кыенлаштыра. Бу, нигездә, атмосфера басымында Si: C = 1: 1 стохиометрик катнашлыгында сыек фаза булмау белән бәйле, һәм ярымүткәргеч сәнәгатенең төп нигезе булган туры сызу ысулы һәм төшү ысулы кебек SiCны җитлеккән үсеш ысуллары белән үстереп булмый. Теоретик яктан Si: C = 1: 1 стохиометрик нисбәте булган чишелеш 10E5atm һәм температура 3200 higher югарырак булганда гына була ала. Хәзерге вакытта төп агым ысулларына ПВТ ысулы, сыек фазалы ысул һәм югары температуралы пар-фазлы химик чүпләү ысулы керә.

Без күрсәткән SiC ваферлары һәм кристаллары, нигездә, физик пар парлары (ПВТ) белән үстерелә, һәм түбәндәгеләр PVT белән кыскача кереш сүз:

Физик парны ташу (ПВТ) ысулы 1955-нче елда Лели уйлап тапкан газ-фазалы сублимация техникасыннан барлыкка килгән, анда SiC порошогы графит трубасына урнаштырылган һәм SiC порошогы бозылу һәм сублиматлашу өчен югары температурада җылытыла, аннары графит трубасы суытыла, һәм SiC порошогының череп беткән газ фазасы компонентлары кристаллланган. Бу ысул зур размерлы SiC бер кристаллларын алу авыр булса да, графит трубасы эчендә чүпләү процессын контрольдә тоту авыр булса да, алдагы тикшерүчеләр өчен идеялар бирә.

Й.М.Таиров һ.б. Россиядә орлык кристалл концепциясе кертелде, ул контрольсез кристалл формасы һәм SiC кристаллларының нуклеяция торышы проблемасын чиште. Соңгы тикшерүчеләр камилләшүне дәвам иттеләр һәм ахыр чиктә бүгенге көндә сәнәгатьтә кулланыла торган физик парларны күчерү (PVT) ысулын эшләделәр.

Иң элек SiC кристаллының үсеш ысулы буларак, PVT хәзерге вакытта SiC кристаллары өчен иң төп үсеш ысулы. Башка ысуллар белән чагыштырганда, бу ысул үсеш җиһазларына түбән таләпләргә ия, гади үсеш процессы, көчле контрольлек, җентекле үсеш һәм тикшеренүләр, һәм инде индустриальләштерелгән.