2 дюймлы SiC коелмасы, диаметры 50.8ммx10ммт, 4H-N монокристаллы

2 дюймлы SiC коелмасы, диаметры 50.8ммx10ммт, 4H-N монокристалы, күрсәтелгән рәсем

Кыскача тасвирлама:

2 дюймлы SiC (кремний карбиды) коемасы диаметры яки кырые озынлыгы 2 дюйм булган цилиндрик яки блок формасындагы кремний карбиды монокристаллын аңлата. Кремний карбиды коемалары төрле ярымүткәргеч җайланмалар, мәсәлән, көч электрон җайланмалары һәм оптоэлектрон җайланмалар җитештерү өчен башлангыч материал буларак кулланыла.

Безгә электрон почта җибәрегез

Үзенчәлекләр

SiC кристаллларын үстерү технологиясе

SiC үзенчәлекләре монокристаллларны үстерүне катлауландыра. Бу, нигездә, атмосфера басымында Si:C = 1:1 стехиометрик нисбәте булган сыек фаза булмау белән бәйле, һәм SiCны турыдан-туры тарту ысулы һәм төшеп торган тигель ысулы кебек өлгергәнрәк үстерү ысуллары белән үстерү мөмкин түгел, алар ярымүткәргечләр сәнәгатенең төп нигезләре. Теоретик яктан, Si:C = 1:1 стехиометрик нисбәте булган эремәне басым 10E5 атмнан югарырак һәм температура 3200℃ тан югарырак булганда гына алырга мөмкин. Хәзерге вакытта төп ысулларга PVT ысулы, сыек фаза ысулы һәм югары температуралы пар фазасындагы химик утырту ысулы керә.

Без тәкъдим иткән SiC пластиналары һәм кристаллары, нигездә, физик пар транспорты (PVT) ярдәмендә үстерелә, һәм түбәндә PVT турында кыскача мәгълүмат бирелә:

Физик пар ташу (ФТТ) ысулы 1955 елда Лели тарафыннан уйлап табылган газ фазасындагы сублимация ысулыннан килеп чыккан, анда SiC порошогы графит трубкасына урнаштырыла һәм югары температурага кадәр җылытыла, SiC порошогы таркалып, сублимацияләнә, аннары графит трубкасы суытыла, һәм SiC порошогының таркалган газ фазасындагы компонентлары графит трубкасы тирәсендәге SiC кристаллары рәвешендә утыртыла һәм кристаллаша. Бу ысул зур күләмле SiC монокристалларын алу авыр булса да һәм графит трубкасы эчендә утырту процессын контрольдә тоту авыр булса да, ул киләчәк тикшеренүчеләр өчен идеяләр бирә.

Россиядә Ю.М. Таиров һ.б. шуның нигезендә орлык кристалы төшенчәсен керттеләр, бу SiC кристалларының контрольдә тотылмаган кристалл формасы һәм бөкләнү урыны проблемасын хәл итте. Киләсе тикшеренүчеләр бүгенге көндә сәнәгатьтә кулланыла торган физик пар күчерү (ФПК) ысулын камилләштерүне дәвам иттеләр һәм ахыр чиктә эшләделәр.

Иң беренче SiC кристалларын үстерү ысулы буларак, PVT хәзерге вакытта SiC кристаллары өчен иң киң таралган үстерү ысулы булып тора. Башка ысуллар белән чагыштырганда, бу ысул үстерү җиһазларына түбән таләпләр куя, үстерү процессы гади, контрольдә нык тора, җентекле эшләү һәм тикшеренүләр үткәрә, һәм ул инде сәнәгатьләштерелгән.