2inch SiC Dia50.8mmx10mmt 4H-N монокристал

SiC кристалл үсеш технологиясе

SiC характеристикалары бер кристаллны үстерүне кыенлаштыра. Бу, нигездә, атмосфера басымында Si: C = 1: 1 стохиометрик катнашлыгында сыек фаза булмау белән бәйле, һәм туры рәсем ысулы кебек җитлеккән үсеш ысуллары белән SiCны үстерү мөмкин түгел. ярымүткәргеч индустриясенең төп нигезе булган төшү ысулы. Теоретик яктан Si: C = 1: 1 стохиометрик нисбәте булган чишелеш 10E5atm һәм температура 3200 higher югарырак булганда гына була ала. Хәзерге вакытта төп агым ысулларына ПВТ ысулы, сыек фазалы ысул һәм югары температуралы пар фазалы химик чүпләү ысулы керә.

Без күрсәткән SiC ваферлары һәм кристаллары, нигездә, пар парлары (ПВТ) белән үстерелә, һәм түбәндәгеләр ПВТ белән кыскача кереш сүз:

Физик парны ташу (ПВТ) ысулы Лели тарафыннан 1955-нче елда уйлап табылган газ-фазалы сублимация техникасыннан барлыкка килгән, анда SiC порошогы графит трубасына урнаштырылган һәм SiC порошогы бозылу һәм сублиматлашу өчен, аннары графит өчен югары температурада җылытылган. труба суытыла, һәм SiC порошогының череп беткән газ-фаз компонентлары графит трубасының тирәсендә SiC кристалллары булып саклана һәм кристалллана. Бу ысул зур размерлы SiC бер кристаллны алу авыр булса да, графит трубасы эчендә чүпләү процессын контрольдә тоту авыр булса да, алдагы тикшерүчеләр өчен идеялар бирә.

Й.М.Таиров һ.б. Россиядә орлык кристалл концепциясе кертелде, ул контрольсез кристалл формасы һәм SiC кристаллларының нуклеяция торышы проблемасын чиште. Соңгы тикшерүчеләр камилләшүне дәвам иттеләр һәм ахыр чиктә бүгенге көндә сәнәгатьтә кулланыла торган физик парларны күчерү (PVT) ысулын эшләделәр.

Иң элек SiC кристаллының үсеш ысулы буларак, PVT хәзерге вакытта SiC кристаллары өчен иң төп үсеш ысулы. Башка ысуллар белән чагыштырганда, бу ысул үсеш җиһазларына түбән таләпләргә ия, гади үсеш процессы, көчле контрольлек, җентекле үсеш һәм тикшеренүләр, һәм инде индустриальләштерелгән.