2инч Кремний Карбид Ваферы 6H-N Тип Премьер Сыйфат Думми Сыйфат 330μm 430μm Калынлык

Кыска тасвирлау:

Кремний карбидының күп төрле полиморфлары бар һәм 6H кремний карбид 200 гә якын полиморф арасында. 6H кремний карбид - коммерция мәнфәгатьләре өчен силикон карбидларның иң еш очрый торган модификациясе. 6Х кремний карбид вафлары иң мөһим. Аларны ярымүткәргеч итеп кулланырга мөмкин. Ул абразив һәм кисүче коралларда киң кулланыла, мәсәлән, дискларны кисү кебек, чыдамлыгы һәм материалның аз чыгымнары аркасында. Ул заманча составлы тән коралларында һәм пуля үткәрми торган жилетларда кулланыла. Ул шулай ук ​​тормоз дисклары җитештерү өчен кулланылган автомобиль сәнәгатендә кулланыла. Зур корылмаларда эретелгән металлларны крестьяннарда тоту өчен кулланыла. Электр һәм электрон кушымталарда куллану шулкадәр билгеле ки, бернинди бәхәс таләп итми. Моннан тыш, ул электрон җайланмаларда, светофорларда, астрономиядә, нечкә филамент пирометриясендә, бизәнү әйберләре, графен һәм корыч җитештерүдә, һәм катализатор буларак кулланыла. Без үзенчәлекле сыйфаты һәм гаҗәеп 99,99% булган 6H кремний карбид ваферларын тәкъдим итәбез.


Продукциянең детальләре

Продукция тэглары

Кремний карбид ваферының үзенчәлекләре:

1.Силикон карбид (SiC) ваферы зур электр характеристикасына һәм искиткеч җылылык үзлекләренә ия. Кремний карбид (SiC) ваферы түбән җылылык киңәюенә ия.

2.Силикон карбид (SiC) ваферы каты катылык үзенчәлекләренә ия. Кремний карбид (SiC) ваферы югары температурада яхшы эшли.

3.Силикон карбид (SiC) вафаты коррозиягә, эрозиягә һәм оксидлашуга каршы тора. Моннан тыш, кремний карбид (SiC) ваферы шулай ук ​​бриллиант яки куб циркониягә караганда ялтыравыклы.

4. Яхшырак нурланышка каршы тору: СИС ваферлары нурланышка көчлерәк, аларны нурланыш шартларында куллану өчен яраклы итәләр. Мисал өчен космик кораблар һәм атом корылмалары.
5.Хиг катыраклык: СИС вафиннары кремнийга караганда катырак, бу эшкәртү вакытында ваферларның ныклыгын арттыра.

6. Түбән диэлектрик тотрыклы: СИК ваферларының диэлектрик тотрыклылыгы кремнийныкыннан түбән, бу җайланмадагы паразитик сыйдырышлыкны киметергә һәм югары ешлыклы эшне яхшыртырга ярдәм итә.

Кремний карбид ваферының берничә кушымтасы бар

SiC бик югары көчәнешле һәм диодлар, электр транзисторлары һәм югары көчле микродулкынлы җайланмалар кебек бик көчле көчәнешләр ясау өчен кулланыла. Гадәттәге Si-җайланмалар белән чагыштырганда, SiC нигезендәге электр җайланмалары тизрәк күчү тизлегенә ия, югары көчәнеш, түбән паразитик каршылык, кечерәк зурлык, югары температура мөмкинлеге аркасында азрак суыту.
Кремний карбид (SiC-6H) - 6H вафер өстен электрон үзлекләргә ия булса, кремний карбид (SiC-6H) - 6H вафер иң җиңел әзерләнә һәм иң яхшы өйрәнелә.
1. Энергия электроникасы: Кремний Карбид Ваферлары Электроника җитештерүдә кулланыла, алар электр машиналары, яңартыла торган энергия системалары, сәнәгать җиһазлары кебек күп кушымталарда кулланыла. Silгары җылылык үткәрүчәнлеге һәм Кремний Карбидның аз энергия югалуы аны бу кушымталар өчен идеаль материал итә.
2.LED яктырту: Кремний карбид ваферлары LED яктырту җитештерүдә кулланыла. Кремний Карбидның югары көче традицион яктырту чыганакларына караганда ныграк һәм озынрак булган LED-лар җитештерергә мөмкинлек бирә.
3. Ярымүткәргеч җайланмалары: Кремний карбид ваферлары ярымүткәргеч җайланмалар җитештерүдә кулланыла, алар телекоммуникация, исәпләү һәм кулланучылар электроникасы кебек күп кушымталарда кулланыла. Silгары җылылык үткәрүчәнлеге һәм Кремний Карбидның аз энергия югалуы аны бу кушымталар өчен идеаль материал итә.
4. Кояш күзәнәкләре: Кремний Карбид Ваферлары Кояш күзәнәкләрен җитештерүдә кулланыла. Кремний Карбидның югары көче традицион Кояш күзәнәкләренә караганда ныграк һәм озын гомерле Кояш күзәнәкләрен җитештерергә мөмкинлек бирә.
Гомумән алганда, ZMSH Кремний Карбид Ваферы - күпкырлы һәм югары сыйфатлы продукт, аны төрле кушымталарда кулланырга мөмкин. Аның югары җылылык үткәрүчәнлеге, түбән энергия югалуы, югары көче аны югары температуралы һәм югары көчле электрон җайланмалар өчен идеаль материал итә. Bow50умның җәя / шкафы, face1.2нм өслегенең тупаслыгы, һәм югары / түбән чыдамлыкның чыдамлыгы белән, Кремний Карбид Ваферы - яссы һәм шома өслек таләп иткән теләсә нинди кушымта өчен ышанычлы һәм эффектив сайлау.
Безнең SiC Substrate продукты оптималь җитештерүчәнлекне һәм клиентларның канәгатьлеген тәэмин итү өчен комплекслы техник ярдәм һәм хезмәтләр белән килә.
Безнең белгечләр командасы продукт сайлау, урнаштыру, проблемаларны чишүдә булыша ала.
Без клиентларыбызга инвестицияләрен максимальләштерергә булышу өчен, продуктларыбызны куллану һәм аларга хезмәт күрсәтү буенча тренинг һәм белем бирәбез.
Өстәвенә, без клиентларның соңгы технологияләргә һәрвакыт керүләрен тәэмин итү өчен, продуктны яңарту һәм өстәмәләр белән тәэмин итәбез.

Диаграмма

4
5
6

  • Алдагы:
  • Киләсе:

  • Хәбәрегезне монда языгыз һәм безгә җибәрегез