3 дюймлы югары сафлыклы (легирланмаган) кремний карбид пластиналары ярымизоляцияле силикон субстратлар (HPSl)

3 дюймлы югары сафлыклы (легирланмаган) кремний карбид пластиналары ярымизоляцияле силикон нигезләр (HPSl) Күрсәтелгән рәсем

Кыскача тасвирлама:

3 дюймлы югары сафлыклы ярымизоляцияле (HPSI) кремний карбиды (SiC) пластинасы - югары куәтле, югары ешлыклы һәм оптоэлектроника кушымталары өчен оптимальләштерелгән премиум класслы субстрат. Пломбасыз, югары сафлыклы 4H-SiC материалыннан җитештерелгән бу пластиналар бик яхшы җылылык үткәрүчәнлеге, киң полоса аралыгы һәм гаҗәеп ярымизоляция үзенчәлекләре белән аерылып тора, бу аларны алдынгы җайланмалар эшләү өчен алыштыргысыз итә. Югары структура бөтенлеге һәм өслек сыйфаты белән HPSI SiC субстратлары энергетика электроникасы, телекоммуникация һәм аэрокосмик тармакларда киләсе буын технологияләре өчен нигез булып хезмәт итә, төрле өлкәләрдә инновацияләрне хуплый.

Безгә электрон почта җибәрегез

Үзенчәлекләр

Үзлекләр

1. Физик һәм структураль үзенчәлекләр
●Материал төре: Югары сафлыклы (легирланмаган) кремний карбиды (SiC)
●Диаметры: 3 дюйм (76,2 мм)
●Калыңлыгы: 0,33-0,5 мм, куллану таләпләренә карап көйләнергә мөмкин.
●Кристалл структурасы: 4H-SiC политипы, алты почмаклы рәшәткәле, югары электрон хәрәкәтчәнлеге һәм термик тотрыклылыгы белән билгеле.
●Юнәлеш:
oСтандарт: [0001] (C-яссылыгы), киң кулланылышлар өчен яраклы.
oӨстәмә: Җайланма катламнарының эпитаксиаль үсешен көчәйтү өчен күчәрдән читтә (4° яки 8° авышлык).
●Яссылык: Гомуми калынлык үзгәреше (TTV) ●Өслек сыйфаты:
oТүбән кимчелекле тыгызлыкка кадәр ялтыратылган (<10/см² микроторба тыгызлыгы). 2. Электр үзлекләре ●Каршылык: >109^99 Ω·см, махсус кушылмаларны бетерү ярдәмендә саклана.
●Диэлектрик ныклык: Югары көчәнешкә чыдамлык, минималь диэлектрик югалтулар белән, югары куәтле кушымталар өчен идеаль.
●Җылылык үткәрүчәнлеге: 3,5-4,9 Вт/см·К, югары җитештерүчән җайланмаларда нәтиҗәле җылылык тарату мөмкинлеген бирә.

3. Җылылык һәм механик үзлекләр
●Киң диапазонлы ялгау арасы: 3.26 эВ, югары көчәнеш, югары температура һәм югары нурланыш шартларында эшләүне тәэмин итә.
●Катылык: Мохс шкаласы 9, эшкәртү вакытында механик тузуга каршы ныклыкны тәэмин итә.
●Җылылык киңәю коэффициенты: 4.2×10−6/K4.2 \times 10^{-6}/\text{K}4.2×10−6/K, температура үзгәрешләре вакытында үлчәм тотрыклылыгын тәэмин итә.

Параметр	Җитештерү дәрәҗәсе	Тикшеренү дәрәҗәсе	Макет дәрәҗәсе	Берәмлек
Дәрәҗә	Җитештерү дәрәҗәсе	Тикшеренү дәрәҗәсе	Макет дәрәҗәсе
Диаметр	76,2 ± 0,5	76,2 ± 0,5	76,2 ± 0,5	mm
Калынлыгы	500 ± 25	500 ± 25	500 ± 25	мкм
Вафли юнәлеше	Күчтә: <0001> ± 0.5°	Күчтә: <0001> ± 2.0°	Күчтә: <0001> ± 2.0°	дәрәҗә
Микроторба тыгызлыгы (MPD)	≤ 1	≤ 5	≤ 10	см−2^-2−2
Электр каршылыгы	≥ 1E10	≥ 1E5	≥ 1E5	Ω·см
Допант	Допировкаланмаган	Допировкаланмаган	Допировкаланмаган
Төп яссылык ориентациясе	{1-100} ± 5.0°	{1-100} ± 5.0°	{1-100} ± 5.0°	дәрәҗә
Башлангыч яссы озынлык	32,5 ± 3,0	32,5 ± 3,0	32,5 ± 3,0	mm
Икенчел яссы озынлык	18.0 ± 2.0	18.0 ± 2.0	18.0 ± 2.0	mm
Икенчел яссы ориентация	Беренчел яссылыктан 90° CW ± 5.0°	Беренчел яссылыктан 90° CW ± 5.0°	Беренчел яссылыктан 90° CW ± 5.0°	дәрәҗә
Кыр чикләрен чыгару	3	3	3	mm
LTV/TTV/Bow/Warp	3 / 10 / ±30 / 40	3 / 10 / ±30 / 40	5 / 15 / ±40 / 45	мкм
Өслекнең катылыгы	Si-бит: CMP, C-бит: Ясалтылган	Si-бит: CMP, C-бит: Ясалтылган	Si-бит: CMP, C-бит: Ясалтылган
Ярыклар (Югары интенсивлы яктылык)	Юк	Юк	Юк
Алты почмаклы пластиналар (югары интенсивлы яктылык)	Юк	Юк	Тупланган мәйдан 10%	%
Политип зоналары (югары интенсивлы яктылык)	Тупланган мәйдан 5%	Тупланган мәйдан 20%	Тупланган мәйдан 30%	%
Сыдырулар (Югары интенсивлыклы яктылык)	≤ 5 сыдырылу, гомуми озынлык ≤ 150	≤ 10 сыдырылу, гомуми озынлык ≤ 200	≤ 10 сыдырылу, гомуми озынлык ≤ 200	mm
Кырыйларны ваклау	Юк ≥ 0,5 мм киңлек/тирәнлек	2 рөхсәт ителгән ≤ 1 мм киңлек/тирәнлек	5 рөхсәт ителә ≤ 5 мм киңлек/тирәнлек	mm
Өслек пычрануы	Юк	Юк	Юк

Кушымталар

1. Көч электроникасы
HPSI SiC субстратларының киң зонасы һәм югары җылылык үткәрүчәнлеге аларны экстремаль шартларда эшләүче көч җайланмалары өчен идеаль итә, мәсәлән:
●Югары вольтлы җайланмалар: нәтиҗәле энергияне үзгәртү өчен MOSFET, IGBT һәм Шоттки барьер диодларын (SBD) үз эченә ала.
●Яңартыла торган энергия системалары: мәсәлән, кояш инверторлары һәм җил турбиналары контроллерлары.
●Электр транспорт чаралары (ЭК): Нәтиҗәлелекне арттыру һәм зурлыкны киметү өчен инверторларда, зарядка җайланмаларында һәм көч агрегатларында кулланыла.

2. Радиоелемтәләр һәм микродулкынлы куллану
HPSI пластиналарының югары каршылыклылыгы һәм түбән диэлектрик югалтулары радиоешлык (RF) һәм микродулкынлы системалар өчен бик мөһим, шул исәптән:
●Телекоммуникация инфраструктурасы: 5G челтәрләре һәм спутник элемтәсе өчен база станцияләре.
●Авиация һәм оборона: Радар системалары, фазалы антенналар һәм авионика компонентлары.

3. Оптоэлектроника
4H-SiC-ның үтә күренмәлелеге һәм киң диапазоны аны оптоэлектрон җайланмаларда кулланырга мөмкинлек бирә, мәсәлән:
●УВ фотодетекторлары: әйләнә-тирә мохитне күзәтү һәм медицина диагностикасы өчен.
●Югары куәтле светодиодлар: каты хәлдәге яктырту системаларын хуплый.
●Лазер диодлары: Сәнәгать һәм медицина кулланылышлары өчен.

4. Фәнни-тикшеренү һәм эшләнмәләр
HPSI SiC субстратлары академик һәм сәнәгать фәнни-тикшеренү һәм эшләнмәләр лабораторияләрендә алдынгы материал үзлекләрен һәм җайланмалар ясауны өйрәнү өчен киң кулланыла, шул исәптән:
●Эпитаксиаль катлам үсеше: кимчелекләрне киметү һәм катламны оптимальләштерү буенча тикшеренүләр.
●Йөк ташучыларның хәрәкәтчәнлеген өйрәнү: Югары чисталыклы материалларда электрон һәм тишекләр ташуны тикшерү.
●Прототиплаштыру: Яңа җайланмалар һәм схемаларның башлангыч эшләнмәләре.

Өстенлекләр

Югары сыйфат:
Югары сафлык һәм түбән кимчелек тыгызлыгы алдынгы кушымталар өчен ышанычлы платформа тәэмин итә.

Термик тотрыклылык:
Югары җылылык тарату үзлекләре җайланмаларга югары куәт һәм температура шартларында нәтиҗәле эшләргә мөмкинлек бирә.

Киң туры килүчәнлек:
Кулланыла торган юнәлешләр һәм махсус калынлык вариантлары төрле җайланма таләпләренә җайлашуны тәэмин итә.

Чыдамлык:
Гадәттән тыш катылык һәм структура тотрыклылыгы эшкәртү һәм эксплуатация вакытында тузуны һәм деформацияне минимальләштерә.

Күпкырлылык:
Яңартыла торган энергиядән алып аэрокосмик һәм телекоммуникацияләргә кадәр төрле тармаклар өчен яраклы.

Йомгак

3 дюймлы югары чисталыклы ярымизоляцияле кремний карбиды пластинасы югары куәтле, югары ешлыклы һәм оптоэлектрон җайланмалар өчен субстрат технологиясенең иң югары ноктасын күрсәтә. Аның искиткеч җылылык, электр һәм механик үзлекләре катлаулы мохиттә ышанычлы эшләүне тәэмин итә. Көч электроникасыннан һәм радиоешлык системаларыннан алып оптоэлектроникага һәм алдынгы тикшеренүләр һәм эшләнмәләргә кадәр, бу HPSI субстратлары киләчәк инновацияләре өчен нигез булып тора.
Күбрәк мәгълүмат алу яки заказ бирү өчен, зинһар, безнең белән элемтәгә керегез. Безнең техник команда сезнең ихтыяҗларыгызга туры китереп ярдәм күрсәтергә һәм көйләү вариантларын тәкъдим итәргә әзер.