3 дюйм югары чисталык (ачылмаган) Кремний Карбид Ваферлары ярым изоляцион Сик субстратлары (HPSl)
Сыйфатлар
1. Физик һәм структур үзенчәлекләр
● Материал төре: Pгары чисталык (ачылмаган) Кремний Карбид (SiC)
● Диаметры: 3 дюйм (76,2 мм)
● Калынлыгы: 0,33-0,5 мм, кушымта таләпләренә нигезләнеп көйләнә.
● Бәллүр структурасы: югары электрон хәрәкәтчәнлеге һәм җылылык тотрыклылыгы белән билгеле булган алты почмаклы такталы 4H-SiC политип.
● Ориентация:
oStandard: [0001] (C-яссылык), төрле кушымталар өчен яраклы.
oOptional: җайланма катламнарының эпитаксиаль үсеше өчен офф (4 ° яки 8 ° тиль).
● Тигезлек: калынлыкның гомуми үзгәреше (TTV) ● faceирнең сыйфаты:
oLow-defekt тыгызлыгына (<10 / см² микропип тыгызлыгы). 2. Электр үзлекләре ● Каршылык:> 109 ^ 99 Ω · см, белә торып допантларны бетерү белән саклана.
● Диэлектрик көче: минималь диэлектрик югалтулар белән югары көчәнеш чыдамлыгы, югары көчле кушымталар өчен идеаль.
● rылылык үткәрүчәнлеге: 3,5-4,9 Вт / см · К, югары җитештерүчән җайланмаларда җылылыкның эффектив таралу мөмкинлеген бирә.
3. Rылылык һәм механик үзлекләр
Band киң тасма: 3,26 eV, югары көчәнеш, югары температура һәм югары нурланыш шартларында эшләүне тәэмин итү.
● Катылык: эшкәртү вакытында механик киемгә каршы ныклыкны тәэмин итүче 9-нчы масштаб.
● rылылык киңәйтү коэффициенты: 4.2 × 10−6 / K4.2 \ тапкыр 10 ^ {- 6} / \ текст {K} 4.2 × 10−6 / K, температураның үзгәрүләре астында үлчәм тотрыклылыгын тәэмин итү.
| Параметр | Производство дәрәҗәсе | Тикшеренү дәрәҗәсе | Dummy Grade | Берәмлек |
| Сыйфат | Производство дәрәҗәсе | Тикшеренү дәрәҗәсе | Dummy Grade | |
| Диаметр | 76.2 ± 0,5 | 76.2 ± 0,5 | 76.2 ± 0,5 | mm |
| Калынлык | 500 ± 25 | 500 ± 25 | 500 ± 25 | µm |
| Вафер юнәлеше | Окта: <0001> ± 0,5 ° | Окта: <0001> ± 2.0 ° | Окта: <0001> ± 2.0 ° | дәрәҗәсе |
| Микропип тыгызлыгы (MPD) | ≤ 1 | ≤ 5 | ≤ 10 | см - 2 ^ -2−2 |
| Электр каршылыгы | ≥ 1E10 | ≥ 1E5 | ≥ 1E5 | Ω · см |
| Допант | .Әр сүзнең | .Әр сүзнең | .Әр сүзнең | |
| Беренчел фатир юнәлеше | {1-100} .0 5.0 ° | {1-100} .0 5.0 ° | {1-100} .0 5.0 ° | дәрәҗәсе |
| Беренчел фатир озынлыгы | 32.5 ± 3.0 | 32.5 ± 3.0 | 32.5 ± 3.0 | mm |
| Икенчел фатир озынлыгы | 18.0 ± 2.0 | 18.0 ± 2.0 | 18.0 ± 2.0 | mm |
| Икенчел фатир юнәлеше | Беренчел фатирдан 90 ° C ± 5.0 ° | Беренчел фатирдан 90 ° C ± 5.0 ° | Беренчел фатирдан 90 ° C ± 5.0 ° | дәрәҗәсе |
| Кыр читен чыгару | 3 | 3 | 3 | mm |
| LTV / TTV / Bow / Warp | 3/10 / ± 30/40 | 3/10 / ± 30/40 | 5/15 / ± 40/45 | µm |
| Faceир өсте тупаслыгы | Si-face: CMP, C-face: Оештырылган | Si-face: CMP, C-face: Оештырылган | Si-face: CMP, C-face: Оештырылган | |
| Ярыклар (югары интенсивлык яктылыгы) | Беркем дә юк | Беркем дә юк | Беркем дә юк | |
| Алты тәлинкәләр (югары интенсивлык яктылыгы) | Беркем дә юк | Беркем дә юк | Кумулятив мәйдан 10% | % |
| Политип өлкәләре (югары интенсивлык яктылыгы) | Кумулятив мәйдан 5% | Кумулятив мәйдан 20% | Кумулятив мәйдан 30% | % |
| Сызулар (югары интенсивлык яктылыгы) | ≤ 5 тырма, кумулятив озынлык ≤ 150 | ≤ 10 сызу, кумулятив озынлык ≤ 200 | ≤ 10 сызу, кумулятив озынлык ≤ 200 | mm |
| Кыр чипсы | Беркем дә ≥ 0,5 мм киңлек / тирәнлек | 2 рөхсәт ителгән ≤ 1 мм киңлек / тирәнлек | 5 рөхсәт ителгән ≤ 5 мм киңлек / тирәнлек | mm |
| Faceир өсте пычрануы | Беркем дә юк | Беркем дә юк | Беркем дә юк |
Кушымталар
1. Электр энергиясе
HPSI SiC субстратларының киң тасма һәм югары җылылык үткәрүчәнлеге аларны экстремаль шартларда эшләүче электр җайланмалары өчен идеаль итә, мәсәлән:
● Volгары көчәнешле җайланмалар: Эффектив энергия конверсиясе өчен MOSFET, IGBT, һәм Шоттки барьер диодлары (SBD) кертеп.
Energy Яңартыла торган Энергия Системалары: Кояш инвертерлары һәм җил турбинасы контроллерлары кебек.
● Электр машиналары (ЭВ): эффективлыкны яхшырту һәм зурлыгын киметү өчен инвертерларда, зарядлагычларда, электр энергиясе системаларында кулланыла.
2. РФ һәм микродулкынлы кушымталар
HPSI ваферларының югары каршылыгы һәм түбән диэлектрик югалтулары радио ешлыгы (RF) һәм микродулкынлы системалар өчен бик мөһим, шул исәптән:
● Элемтә инфраструктурасы: 5G челтәре һәм спутник элемтәләре өчен төп станцияләр.
● Аэрокосмик һәм Оборона: Радар системалары, этаплы массив антенналары, авионика компонентлары.
3. Оптоэлектроника
4H-SiC ачыклыгы һәм киң тасмасы аны оптоэлектрон җайланмаларда кулланырга мөмкинлек бирә, мәсәлән:
● УВ фотодетекторлары: Экологик мониторинг һәм медицина диагностикасы өчен.
● Powerгары көчле светофорлар: Каты торышлы яктырту системаларына булышу.
● Лазер диодлары: сәнәгать һәм медицина кушымталары өчен.
4. Тикшеренү һәм үсеш
HPSI SiC субстратлары академик һәм сәнәгать фәнни-тикшеренү лабораторияләрендә алдынгы материаль үзлекләрне һәм җайланма эшкәртү өчен киң кулланыла, шул исәптән:
● Эпитаксиаль катлам үсеше: җитешсезлекләрне киметү һәм катлам оптимизациясе буенча тикшеренүләр.
● Оператор хәрәкәтен өйрәнү: югары чисталык материалларында электрон һәм тишек транспортын тикшерү.
● Прототиплау: роман җайланмаларының һәм схемаларның башлангыч үсеше.
Уңай яклары
Qualityгары сыйфат:
Purгары чисталык һәм түбән җитешсезлек тыгызлыгы алдынгы кушымталар өчен ышанычлы мәйданчык бирә.
Rылылык тотрыклылыгы:
Яхшы җылылык тарату үзенчәлекләре җайланмаларга югары көч һәм температура шартларында эффектив эшләргә мөмкинлек бирә.
Киң туры килү:
Мөмкин булган ориентацияләр һәм калынлык параметрлары төрле җайланма таләпләренә яраклашуны тәэмин итә.
Тотрыклылык:
Гадәттән тыш каты һәм структур тотрыклылык эшкәртү һәм эксплуатация вакытында тузуны һәм деформацияне киметә.
Күпкырлылыгы:
Яңартыла торган энергиядән аэрокосмик һәм телекоммуникациягә кадәр төрле тармаклар өчен яраклы.
Йомгаклау
3 дюймлы югары чисталык ярым изоляцион кремний карбид ваферы югары көчле, югары ешлыклы һәм оптоэлектрон җайланмалар өчен субстрат технологияләренең иң югары ноктасын күрсәтә. Аның искиткеч җылылык, электр һәм механик үзлекләренең берләшүе авыр шартларда ышанычлы эшне тәэмин итә. Электроника һәм RF системаларыннан алып оптоэлектроника һәм алдынгы фәнни-тикшеренү эшләренә кадәр, бу HPSI субстратлары иртәгәге инновацияләр өчен нигез бирә.
Күбрәк мәгълүмат алу яки заказ бирү өчен зинһар, безнең белән элемтәгә керегез. Безнең техник коллектив сезнең ихтыяҗларыгызга туры китереп җитәкчелек һәм көйләү вариантларын тәкъдим итә ала.
Диаграмма
