3инч югары чисталык Ярым изоляцион （HPSI） SiC вафер 350ум Думми класс премьер

Кыска тасвирлау:

3 дюйм диаметрлы һәм калынлыгы 350 µm ± 25 µm булган HPSI (югары чисталык кремний карбид) SiC ваферы заманча электроника кушымталары өчен эшләнгән. SiC ваферлары югары җылылык үткәрүчәнлеге, югары көчәнешкә каршы тору, һәм минималь энергия югалту кебек гаҗәеп материаль үзенчәлекләре белән дан тоталар, бу аларны электр ярымүткәргеч җайланмалары өчен өстенлекле сайлау ясый. Бу ваферлар экстремаль шартларны эшкәртү өчен эшләнгән, югары ешлыклы, югары көчәнешле һәм югары температуралы шартларда яхшырак эш тәкъдим итә, шул ук вакытта энергиянең эффективлыгын һәм ныклыгын тәэмин итә.

Безгә электрон почта җибәрегез

Продукциянең детальләре

Продукция тэглары

Заявка

HPSI SiC ваферлары киләсе буын электр җайланмаларын эшләтеп җибәрүдә төп роль уйныйлар, алар төрле югары җитештерүчән кушымталарда кулланыла:
Энергияне конверсияләү системалары: SiC ваферлары электр MOSFET, диодлар һәм IGBT кебек электр җайланмалары өчен төп материал булып хезмәт итәләр, алар электр схемаларында эффектив энергия конверсиясе өчен бик мөһим. Бу компонентлар югары эффективлык белән тәэмин итүдә, двигательләрдә, сәнәгать инвертерларында очрый.

Электр машиналары (ЕВ):Электр машиналарына булган ихтыяҗ тагын да эффектив электрониканы куллануны таләп итә, һәм SiC ваферлары бу үзгәртеп коруның алгы сафында. EV электр энергиясендә бу ваферлар югары эффективлык һәм тиз күчү мөмкинлекләрен тәэмин итәләр, бу тизрәк зарядлау вакытына, озынрак диапазонга һәм гомуми машинаның эшләвен көчәйтә.

Яңартыла торган энергия:Кояш һәм җил энергиясе кебек яңартыла торган энергия системаларында SiC ваферлары инвертерларда һәм конвертерларда кулланыла, бу энергияне эффектив тоту һәм тарату мөмкинлеген бирә. Cгары җылылык үткәрүчәнлеге һәм SiC-ның югары ватылу көчәнеше бу системаларның хәтта экологик шартларда да ышанычлы эшләвен тәэмин итә.

Индустриаль автоматизация һәм робототехника:Промышленность автоматлаштыру системаларында һәм робототехникада югары җитештерүчәнлек электроникасы тиз күчү, зур көч йөкләү һәм югары стресс астында эшләргә сәләтле җайланмалар таләп итә. SiC нигезендәге ярымүткәргечләр бу таләпләрне югары эффективлык һәм ныклык белән тәэмин итәләр, хәтта каты эш шартларында да.

Телекоммуникация системалары:Телекоммуникация инфраструктурасында, югары ышанычлылык һәм эффектив энергия конверсиясе критик булганда, SiC ваферлары электр белән тәэмин итүдә һәм DC-DC конвертерларында кулланыла. SiC җайланмалары энергия куллануны киметергә һәм мәгълүмат үзәкләрендә һәм элемтә челтәрләрендә система эшчәнлеген көчәйтергә ярдәм итә.

Powerгары көчле кушымталар өчен ныклы нигез биреп, HPSI SiC ваферы энергияне сак тотучы җайланмалар үсешен тәэмин итә, тармакларга яшелрәк, тотрыклы карарларга күчүгә булыша.

Сыйфатлар

оперти	Производство дәрәҗәсе	Тикшеренү дәрәҗәсе	Dummy Grade
Диаметр	75,0 мм ± 0,5 мм	75,0 мм ± 0,5 мм	75,0 мм ± 0,5 мм
Калынлык	350 µm ± 25 µm	350 µm ± 25 µm	350 µm ± 25 µm
Вафер юнәлеше	Окта: <0001> ± 0,5 °	Окта: <0001> ± 2.0 °	Окта: <0001> ± 2.0 °
Ваферларның 95% өчен микропип тыгызлыгы (MPD)	≤ 1 см⁻²	≤ 5 см⁻²	≤ 15 см⁻²
Электр каршылыгы	≥ 1E7 Ω · см	≥ 1E6 Ω · см	≥ 1E5 Ω · см
Допант	.Әр сүзнең	.Әр сүзнең	.Әр сүзнең
Беренчел фатир юнәлеше	{11-20} .0 5.0 °	{11-20} .0 5.0 °	{11-20} .0 5.0 °
Беренчел фатир озынлыгы	32,5 мм ± 3.0 мм	32,5 мм ± 3.0 мм	32,5 мм ± 3.0 мм
Икенчел фатир озынлыгы	18,0 мм ± 2,0 мм	18,0 мм ± 2,0 мм	18,0 мм ± 2,0 мм
Икенчел фатир юнәлеше	Си йөзе: төп фатирдан 90 ° C ± 5.0 °	Си йөзе: төп фатирдан 90 ° C ± 5.0 °	Си йөзе: төп фатирдан 90 ° C ± 5.0 °
Кыр читен чыгару	3 мм	3 мм	3 мм
LTV / TTV / Bow / Warp	3 µm / 10 µm / ± 30 µm / 40 µm	3 µm / 10 µm / ± 30 µm / 40 µm	5 µm / 15 µm / ± 40 µm / 45 µm
Faceир өсте тупаслыгы	C-йөз: Оештырылган, Si-йөз: CMP	C-йөз: Оештырылган, Si-йөз: CMP	C-йөз: Оештырылган, Si-йөз: CMP
Ярыклар (югары интенсивлык белән тикшерелә)	Беркем дә юк	Беркем дә юк	Беркем дә юк
Алты тәлинкәләр (югары интенсивлык яктылыгы белән тикшерелә)	Беркем дә юк	Беркем дә юк	Кумулятив мәйдан 10%
Политип өлкәләре (югары интенсивлык белән тикшерелә)	Кумулятив мәйдан 5%	Кумулятив мәйдан 5%	Кумулятив мәйдан 10%
Сызулар (югары интенсивлык белән тикшерелә)	≤ 5 тырма, кумулятив озынлык ≤ 150 мм	≤ 10 тырма, кумулятив озынлык ≤ 200 мм	≤ 10 тырма, кумулятив озынлык ≤ 200 мм
Кыр чипсы	Беркем дә рөхсәт ителмәгән ≥ 0,5 мм киңлек һәм тирәнлек	2 рөхсәт ителгән, ≤ 1 мм киңлек һәм тирәнлек	5 рөхсәт ителгән, ≤ 5 мм киңлек һәм тирәнлек
Faceир өслеген пычрату (югары интенсивлык белән тикшерелә)	Беркем дә юк	Беркем дә юк	Беркем дә юк

Төп өстенлекләр

Supгары җылылык күрсәткечләре: SiC-ның югары җылылык үткәрүчәнлеге электр җайланмаларында җылылыкның эффектив таралуын тәэмин итә, аларга югары көч дәрәҗәсендә һәм ешлыкларда артык кызусыз эшләргә мөмкинлек бирә. Бу кечерәк, эффектив системаларга һәм озынрак эш срокларына тәрҗемә ителә.

Breakгары өзелү көчәнеше: Кремний белән чагыштырганда киңрәк полоса белән, SiC ваферлары югары көчәнешле кушымталарга булышалар, аларны электр электрон компонентлары өчен идеаль итәләр, мәсәлән, электр вагоннарында, челтәр электр системаларында, яңартыла торган энергия системаларында.

Энергиянең кимүе: SiC җайланмаларының түбән каршылыклы һәм тиз күчү тизлеге эш вакытында энергия югалтуына китерә. Бу эффективлыкны яхшыртып кына калмый, алар урнаштырылган системаларның гомуми энергия саклауны көчәйтә.
Каты шартларда ышанычлылыкны арттыру: SiC-ның нык материаль үзенчәлекләре аңа югары температурада (600 ° C кадәр), югары көчәнешләрдә һәм югары ешлыкларда экстремаль шартларда эшләргә мөмкинлек бирә. Бу SiC ваферларын сәнәгать, автомобиль һәм энергия куллану таләп итә.

Энергия эффективлыгы: SiC җайланмалары традицион кремнийга нигезләнгән җайланмаларга караганда көч тыгызлыгын тәкъдим итә, гомуми эффективлыгын күтәргәндә, электрон системаларның күләмен һәм авырлыгын киметә. Бу чыгымнарны экономияләүгә һәм яңартыла торган энергия һәм электр машиналары кебек кушымталарда кечерәк экологик эзгә китерә.

Масштаблылыгы: 3 дюймлы диаметр һәм HPSI SiC ваферының төгәл җитештерү толерантлыгы аның массакүләм җитештерү өчен масштаблы булуын тәэмин итә, тикшеренүләр һәм коммерция җитештерү таләпләренә туры килә.

Йомгаклау

3 дюймлы диаметры һәм 350 µm ± 25 µm калынлыктагы HPSI SiC ваферы - югары буынлы электрон җайланмаларның киләсе буыны өчен оптималь материал. Аның җылылык үткәрүчәнлегенең уникаль комбинациясе, югары ватылу көчәнеше, түбән энергия югалуы, экстремаль шартларда ышанычлылыгы аны электр конверсиясендә, яңартыла торган энергиядә, электр машиналарында, сәнәгать системаларында, телекоммуникациядә куллану өчен мөһим компонент итә.

Бу SiC ваферы югары эффективлыкка, энергияне сак тотуга һәм системаның ышанычлылыгын яхшыртырга омтылган тармаклар өчен аеруча яраклы. Электроника технологиясе үсеше дәвам иткәндә, HPSI SiC ваферы киләсе буын, энергияне сак тотучы карарлар үсеше өчен нигез бирә, тотрыклырак, аз углеродлы киләчәккә күчү.