3инч SiC субстрат җитештерү Dia76.2mm 4H-N

3 дюйм кремний карбид мосфет ваферларының төп үзенчәлекләре түбәндәгечә;

Кремний Карбид (SiC) - киң диапазонлы ярымүткәргеч материал, ул югары җылылык үткәрүчәнлеге, югары электрон хәрәкәтчәнлеге, һәм электр кырының югары өзелү көче белән характерлана. Бу үзлекләр SiC ваферларын югары көчле, югары ешлыклы һәм югары температуралы кушымталарда искиткеч итә. Бигрәк тә 4H-SiC политипында аның кристалл структурасы искиткеч электрон күрсәткеч бирә, аны электрон җайланмалар өчен сайлау материалы итә.

3 дюймлы Кремний Карбид 4H-N ваферы - N тибындагы үткәрүчәнлеге булган азотлы дублы вафер. Бу допинг ысулы ваферга электрон концентрациясен югарырак бирә, шуның белән җайланманың үткәрүчәнлеген арттыра. Вафинның зурлыгы, 3 дюймда (диаметры 76,2 мм), ярымүткәргеч тармагында еш кулланыла торган үлчәм, төрле җитештерү процесслары өчен яраклы.

3 дюймлы Кремний Карбид 4H-N ваферы Физик Пар Транспорты (PVT) ысулы ярдәмендә җитештерелә. Бу процесс SiC порошогын югары температурада бер кристаллга әверелдерүне, кристаллның сыйфатын һәм ваферның бердәмлеген тәэмин итә. Өстәвенә, вафинның калынлыгы гадәттә 0,35 мм тирәсе, һәм аның өслеге ике яклы полировкага дучар була, бик югары яссылык һәм яссылыкка ирешү өчен, бу ярымүткәргеч җитештерү процесслары өчен бик мөһим.

3 дюймлы Кремний Карбид 4H-N ваферының куллану диапазоны киң, шул исәптән югары көчле электрон җайланмалар, югары температуралы сенсорлар, RF җайланмалары һәм оптоэлектрон җайланмалар. Аның искиткеч җитештерүчәнлеге һәм ышанычлылыгы бу җайланмаларга хәзерге электроника өлкәсендә югары җитештерүчән ярымүткәргеч материалларга булган ихтыяҗны канәгатьләндереп, экстремаль шартларда тотрыклы эшләргә мөмкинлек бирә.

Без 4H-N 3inch SiC субстратын, төрле дәрәҗәдәге субстрат запас ваферларын бирә алабыз. Без шулай ук ​​сезнең ихтыяҗларыгыз буенча көйләүне оештыра алабыз. Сорауга рәхим итегез!