3 дюймлы SiC субстрат җитештерү диаметры 76.2 мм 4H-N

Кыскача тасвирлама:

3 дюймлы кремний карбиды 4H-N пластинасы - югары җитештерүчәнлекле электрон һәм оптоэлектроника кушымталары өчен махсус эшләнгән алдынгы ярымүткәргеч материал. Үзенең гаҗәеп физик һәм электр үзлекләре белән данлыклы бу пластина көч электроникасы өлкәсендә мөһим материалларның берсе.


Үзенчәлекләр

3 дюймлы кремний карбидлы мосфет пластиналарының төп үзенчәлекләре түбәндәгеләр;

Кремний карбиды (SiC) - киң полосалы ярымүткәргеч материал, ул югары җылылык үткәрүчәнлеге, югары электрон хәрәкәтчәнлеге һәм югары җимерелү электр кыры көчәнеше белән характерлана. Бу үзенчәлекләр SiC пластиналарын югары куәтле, югары ешлыклы һәм югары температуралы кушымталарда күренекле итә. Аеруча 4H-SiC политипында аның кристалл структурасы бик яхшы электрон эшчәнлек бирә, бу аны көчле электрон җайланмалар өчен сайланган материал итә.

3 дюймлы кремний карбиды 4H-N пластинасы - N-типтагы үткәрүчәнлеккә ия булган азот белән легирланган пластина. Бу легирлау ысулы пластинага югарырак электрон концентрациясе бирә, шуның белән җайланманың үткәрүчәнлек сыйфатын яхшырта. Пластинаның зурлыгы, 3 дюйм (диаметры 76,2 мм), ярымүткәргечләр сәнәгатендә еш кулланыла торган үлчәм, төрле җитештерү процесслары өчен яраклы.

3 дюймлы кремний карбиды 4H-N пластинасы физик пар ташу (PVT) ысулы белән җитештерелә. Бу процесс SiC порошогын югары температураларда монокристаллларга әйләндерүне үз эченә ала, бу пластинаның кристалл сыйфатын һәм бердәмлеген тәэмин итә. Моннан тыш, пластинаның калынлыгы гадәттә якынча 0,35 мм, һәм аның өслеге ике яклы ялтыратуга дучар ителә, бу исә бик югары дәрәҗәдәге яссылык һәм шомалыкка ирешү өчен, бу аннан соңгы ярымүткәргеч җитештерү процесслары өчен бик мөһим.

3 дюймлы кремний карбиды 4H-N пластинасының куллану диапазоны киң, шул исәптән югары куәтле электрон җайланмалар, югары температуралы сенсорлар, радиоешлык җайланмалары һәм оптоэлектрон җайланмалар. Аның югары сыйфатлы эшләве һәм ышанычлылыгы бу җайланмаларның экстремаль шартларда тотрыклы эшләвенә мөмкинлек бирә, заманча электроника сәнәгатендә югары җитештерүчән ярымүткәргеч материалларга булган ихтыяҗны канәгатьләндерә.

Без 4H-N 3 дюймлы SiC субстрат, төрле сортлы субстрат пластиналары белән тәэмин итә алабыз. Шулай ук ​​сезнең ихтыяҗларыгызга туры китереп көйләүне оештыра алабыз. Сорауны рәхим итегез!

җентекле схема

WechatIMG189
WechatIMG192

  • Алдагысы:
  • Киләсе:

  • Хәбәрегезне монда языгыз һәм безгә җибәрегез