4 дюймлы SiC пластиналары 6H ярымизоляцияле SiC субстратлары, төп, тикшеренү һәм макет сыйфаты
Продукция спецификациясе
| Дәрәҗә | Нуль MPD җитештерү дәрәҗәсе (Z дәрәҗәсе) | Стандарт җитештерү дәрәҗәсе (P дәрәҗәсе) | Ялган дәрәҗә (D дәрәҗәсе) | ||||||||
| Диаметр | 99,5 мм ~ 100,0 мм | ||||||||||
| 4H-SI | 500 мкм±20 мкм | 500 мкм±25 мкм | |||||||||
| Вафли юнәлеше |
Күчтән читтә: 4H-N өчен <1120 > ±0.5° юнәлешендә 4.0°, Күчтә: 4H-SI өчен <0001>±0.5° | ||||||||||
| 4H-SI | ≤1 см-2 | ≤5 см-2 | ≤15 см-2 | ||||||||
| 4H-SI | ≥1E9 Ω·см | ≥1E5 Ω·см | |||||||||
| Төп яссылык ориентациясе | {10-10} ±5.0° | ||||||||||
| Башлангыч яссы озынлык | 32,5 мм±2,0 мм | ||||||||||
| Икенчел яссы озынлык | 18,0 мм±2,0 мм | ||||||||||
| Икенчел яссы ориентация | Кремний өске якта: Prime яссылыгыннан ±5.0° 90° CW. | ||||||||||
| Кыр чикләрен чыгару | 3 мм | ||||||||||
| LTV/TTV/Bow /Warp | ≤3 μm / ≤5 μm / ≤15 μm / ≤30 μm | ≤10 μm / ≤15 μm / ≤25 μm / ≤40 μm | |||||||||
| Тупаслык | C йөзе | Полякча | Ra≤1 нм | ||||||||
| Си йөзе | CMP | Ra≤0.2 нм | Ra≤0,5 нм | ||||||||
| Югары интенсивлыклы яктылык белән кырый ярылулары | Юк | Кумулятив озынлык ≤ 10 мм, бер озынлыгы ≤2 мм | |||||||||
| Югары интенсивлыклы яктылык ярдәмендә алты почмаклы пластиналар | Тупланган мәйдан ≤0,05% | Тупланган мәйдан ≤0.1% | |||||||||
| Югары интенсивлыклы яктылык ярдәмендә политип зоналары | Юк | Кумулятив мәйдан ≤3% | |||||||||
| Күзгә күренеп ясалган углерод кушылмалары | Тупланган мәйдан ≤0,05% | Тупланган мәйдан ≤3% | |||||||||
| Югары интенсивлы яктылык белән кремний өслегендәге сызыклар | Юк | Кумулятив озынлык ≤1 * пластина диаметры | |||||||||
| Чиплар югары интенсивлыклы яктылык белән | Киңлеге һәм тирәнлеге ≥0,2 мм булырга тиеш түгел | 5 рөхсәт ителә, һәрберсе ≤1 мм | |||||||||
| Кремний өслегенең югары интенсивлык белән пычрануы | Юк | ||||||||||
| Упаковка | Күп вафлилы кассета яки бер вафлилы савыт | ||||||||||
җентекле схема
Бәйле продуктлар
Хәбәрегезне монда языгыз һәм безгә җибәрегез






