4H-N 4 дюймлы SiC субстрат вафины Кремний Карбид җитештерү Dummy тикшеренү дәрәҗәсе
Кушымталар
4 дюймлы кремний карбид бер кристалл субстрат вафер күп өлкәләрдә мөһим роль уйный. Беренчедән, ул ярымүткәргеч тармагында электр транзисторлары, интеграль схемалар һәм электр модуллары кебек югары көчле электрон җайланмалар әзерләүдә киң кулланыла. Аның югары җылылык үткәрүчәнлеге һәм югары температурага каршы торуы аңа җылылыкны яхшырак таратырга һәм эш нәтиҗәлелеген һәм ышанычлылыгын тәэмин итәргә мөмкинлек бирә. Икенчедән, яңа материаллар һәм приборлар буенча тикшеренүләр үткәрү өчен кремний карбид вафлары тикшеренү өлкәсендә дә кулланыла. Моннан тыш, кремний карбид вафлары оптоэлектроникада киң кулланыла, мәсәлән, кровать һәм лазер диодлары.
4inch SiC ваферы
4 дюймлы кремний карбид бер кристалл субстрат вафер диаметры 4 дюйм (якынча 101,6 мм), өслеге Ра <0,5 нм, калынлыгы 600 ± 25 мм. Вафинның үткәрүчәнлеге N тибы яки P тибы һәм клиент ихтыяҗлары буенча көйләнә ала. Моннан тыш, чип шулай ук искиткеч механик тотрыклылыкка ия, билгеле күләмдә басымга һәм тибрәнүгә каршы тора ала.
дюйм кремний карбид бер кристалл субстрат вафер - ярымүткәргеч, тикшеренүләр һәм оптоэлектроника өлкәләрендә киң кулланылган югары җитештерүчән материал. Аның искиткеч җылылык үткәрүчәнлеге, механик тотрыклылыгы һәм югары температурага каршы торуы бар, ул югары көчле электрон җайланмалар әзерләү һәм яңа материаллар тикшерү өчен яраклы. Без клиентларның төрле ихтыяҗларын канәгатьләндерү өчен төрле спецификацияләр һәм көйләү вариантларын тәкъдим итәбез. Кремний карбид ваферларының продукт турында күбрәк белү өчен безнең бәйсез сайтка игътибар итегез.
Төп эш: Кремний карбид ваферлары, кремний карбид бер кристалл субстрат вафер, 4 дюйм, җылылык үткәрүчәнлеге, механик тотрыклылык, югары температурага каршы тору, электр транзисторлары, интеграль схемалар, электр модуллары, кроватьлар, лазер диодлары, өслек бетү, үткәрүчәнлек, махсус вариантлар