4инч ярым мыскыллаучы SiC ваферлары HPSI SiC субстрат Премьер җитештерү дәрәҗәсе

Кыска тасвирлау:

4 дюймлы югары чисталык ярым изоляцияләнгән кремний карбид ике яклы полировка тәлинкәсе, нигездә, 5G элемтәдә һәм башка өлкәләрдә кулланыла, радио ешлык диапазонын яхшырту өстенлеге, ультра ерак араны тану, комачаулыкка каршы, югары тизлек, зур сыйдырышлы мәгълүмат тапшыру һәм башка кушымталар, һәм микродулкынлы электр җайланмалары ясау өчен идеаль субстрат булып санала.

Безгә электрон почта җибәрегез

Продукциянең детальләре

Продукция тэглары

Продукция спецификасы

Кремний карбид (SiC) - углерод һәм кремний элементларыннан торган катнаш ярымүткәргеч материал, һәм югары температура, югары ешлыклы, югары көчле һәм югары көчәнешле җайланмалар ясау өчен идеаль материалларның берсе. Традицион кремний материалы (Si) белән чагыштырганда, кремний карбидының тыелган полосасы кремнийныкыннан өч тапкыр күбрәк; җылылык үткәрүчәнлеге кремнийныкыннан 4-5 тапкыр; ватылу көчәнеше кремнийдан 8-10 тапкыр күбрәк; һәм электрон туендыру тизлеге кремнийныкыннан 2-3 тапкырга артыграк, хәзерге сәнәгатьнең югары көчле, югары көчәнешле һәм югары ешлыктагы ихтыяҗларын канәгатьләндерә, һәм ул, нигездә, югары тизлекле, югары ешлыклы, югары көчле һәм яктылык җибәрүче электрон компонентлар ясау өчен кулланыла, һәм аның агымдагы куллану өлкәләренә акыллы челтәр, Яңа энергия машиналары, фотосүрәтле җил энергиясе, 5G элемтәләре, MOS электр энергиясе керә. кулланыла.

SiC ваферлары / SiC субстратының өстенлекләре

Temperatureгары температурага каршы тору. Кремний карбидының тыелган полосасы кремнийныкыннан 2-3 тапкырга күбрәк, шуңа күрә электроннар югары температурада сикерергә мөмкин түгел һәм югары эш температурасына каршы тора алалар, һәм кремний карбидының җылылык үткәрүчәнлеге кремнийныкыннан 4-5 тапкырга артыграк, җайланмадан җылылыкны таратуны җиңеләйтәләр һәм эш температурасын чиклиләр. Highгары температураның характеристикалары энергия тыгызлыгын сизелерлек арттырырга мөмкин, шул ук вакытта җылылык тарату системасына таләпләрне киметеп, терминалны җиңелрәк һәм миниатюрлаштыра.

Volгары көчәнешкә каршы тору. Кремний карбидының ватылу кыры көче кремнийныкыннан 10 тапкырга күбрәк, ул югары көчәнешләргә каршы торырга мөмкинлек бирә, аны югары көчәнешле җайланмалар өчен кулайрак итә.

Highгары ешлыктагы каршылык. Кремний карбид кремнийның электрон туендыру тизлегеннән ике тапкыр күбрәк, нәтиҗәдә аның җайланмалары ябылу процессында юк, җайланманың күчү ешлыгын эффектив рәвештә яхшырта ала, җайланма миниатюризациясенә ирешә ала.

Түбән энергия югалту. Кремний карбид кремний материаллары белән чагыштырганда бик түбән каршылыкка ия, түбән үткәргеч югалту; шул ук вакытта кремний карбидының югары киңлеге агып торган токны, көч югалтуын сизелерлек киметә; өстәвенә, ябу процессындагы кремний карбид җайланмалары хәзерге тарту күренешендә юк, түбән күчү югалту.