4 дюймлы ярым-өчүче SiC пластиналары HPSI SiC субстраты, төп җитештерү классы

4 дюймлы ярым-өчле SiC пластиналары HPSI SiC субстраты Prime җитештерү дәрәҗәсе Күрсәтелгән рәсем

Кыскача тасвирлама:

4 дюймлы югары сафлыклы ярымизоляцияле кремний карбиды ике яклы полировкалау пластинасы, нигездә, 5G элемтәсендә һәм башка өлкәләрдә кулланыла, радиоешлык диапазонын яхшырту, ультра озын араларны тану, комачаулауга каршы тору, югары тизлекле, зур сыйдырышлы мәгълүмат тапшыру һәм башка кушымталар өстенлекләренә ия, һәм микродулкынлы электр җайланмалары ясау өчен идеаль субстрат дип санала.

Безгә электрон почта җибәрегез

Үзенчәлекләр

Продукция спецификациясе

Кремний карбиды (SiC) - углерод һәм кремний элементларыннан торган кушылма ярымүткәргеч материал, ул югары температуралы, югары ешлыклы, югары куәтле һәм югары вольтлы җайланмалар ясау өчен идеаль материалларның берсе. Традицион кремний материалы (Si) белән чагыштырганда, кремний карбидының тыелган полоса киңлеге кремнийныкыннан өч тапкыр зуррак; җылылык үткәрүчәнлеге кремнийныкыннан 4-5 тапкыр зуррак; җимерелү көчәнеше кремнийныкыннан 8-10 тапкыр зуррак; һәм электроннарның туендырылу дрейфы тизлеге кремнийныкыннан 2-3 тапкыр зуррак, бу заманча сәнәгатьнең югары куәтле, югары вольтлы һәм югары ешлыклы материалларга булган ихтыяҗларын канәгатьләндерә, һәм ул, нигездә, югары тизлекле, югары ешлыклы, югары куәтле һәм яктылык чыгаручы электрон компонентлар ясау өчен кулланыла, һәм аның куллану өлкәләренә акыллы челтәр, яңа энергияле транспорт чаралары, фотоэлектрик җил энергиясе, 5G элемтәсе һ.б. керә. Энергия җайланмалары өлкәсендә кремний карбиды диодлары һәм MOSFETлар коммерция максатларында кулланыла башлады.

SiC пластиналары/SiC субстратының өстенлекләре

Югары температурага чыдамлык. Кремний карбидының тыелган полоса киңлеге кремнийныкыннан 2-3 тапкыр зуррак, шуңа күрә электроннар югары температураларда сикерү ихтималы азрак һәм югарырак эш температурасына чыдам, ә кремний карбидының җылылык үткәрүчәнлеге кремнийныкыннан 4-5 тапкыр югарырак, бу җайланмадан җылылыкны таратуны җиңеләйтә һәм югарырак эш температурасын тәэмин итә. Югары температура үзенчәлекләре энергия тыгызлыгын сизелерлек арттыра ала, шул ук вакытта җылылык тарату системасына таләпләрне киметә, терминалны җиңелрәк һәм миниатюррак итә.

Югары көчәнешкә каршы тору. Кремний карбидының җимерелү кыры көче кремнийныкыннан 10 тапкыр артыграк, бу аңа югарырак көчәнешләргә чыдам булырга мөмкинлек бирә, бу аны югары көчәнешле җайланмалар өчен кулайрак итә.

Югары ешлыклы каршылык. Кремний карбиды кремнийга караганда ике тапкыр артык туендырылган электрон дрейфы тизлегенә ия, нәтиҗәдә, аның җайланмалары сүндерү процессында агымдагы дрейф күренешен кичерми, җайланмаларның алыштыру ешлыгын нәтиҗәле рәвештә яхшырта ала, шуның белән җайланмаларның миниатюризациясенә ирешә ала.

Энергия югалтулары түбән. Кремний карбиды кремний материаллары белән чагыштырганда бик түбән каршылыкка ия, үткәрүчәнлек югалтулары түбән; шул ук вакытта, кремний карбидының югары полоса киңлеге агып чыгу тогын һәм көч югалтуларын сизелерлек киметә; өстәвенә, кремний карбиды җайланмаларында сүндерү процессында ток тарту күренеше юк, күчерү югалтулары түбән.