MOS яки SBD өчен 4 дюймлы SiC Epi пластинасы

Эпитаксия кремний карбид субстраты өслегендә югарырак сыйфатлы монокристалл материал катламы үсүен аңлата. Алар арасында ярымизоляцияле кремний карбид субстратында галлий нитриды эпитаксиаль катламы үсүе гетероген эпитаксия дип атала; үткәргеч кремний карбид субстраты өслегендә кремний карбиды эпитаксиаль катламы үсүе гомоген эпитаксия дип атала.

Эпитаксиаль җайланма дизайны таләпләренә туры килә, төп функциональ катлам үсеше чипның һәм җайланманың эшчәнлеген нигездә билгели, бәясе 23%. Бу этапта SiC юка пленка эпитаксиясенең төп ысуллары түбәндәгеләрне үз эченә ала: химик пар урнаштыру (CVD), молекуляр нур эпитаксиясе (MBE), сыек фазалы эпитаксия (LPE) һәм импульслы лазер урнаштыру һәм сублимация (PLD).

Эпитаксия - бөтен тармакта бик мөһим звено. Ярымизоляцияле кремний карбиды субстратларында GaN эпитаксиаль катламнарын үстерү юлы белән кремний карбиды нигезендәге GaN эпитаксиаль пластиналар җитештерелә, аларны алга таба югары электрон мобильле транзисторлар (HEMT) кебек GaN RF җайланмаларына ясарга мөмкин;

Үткәргеч субстратта кремний карбиды эпитаксиаль катламын үстерү ярдәмендә кремний карбиды эпитаксиаль пластинасы алына, ә эпитаксиаль катламда Шоттки диодлары, алтын-кислород ярымкыр эффектлы транзисторлар, изоляцияләнгән капкалы биполяр транзисторлар һәм башка көч җайланмалары җитештерүдә эпитаксиаль катламның сыйфаты җайланманың эшчәнлегенә бик зур йогынты ясый, бу сәнәгать үсешенә дә бик мөһим роль уйный.