MOS яки SBD өчен 4inch SiC Epi ваферы
Эпитакси кремний карбид субстратында югары сыйфатлы бер кристалл материал катламы үсешен аңлата. Алар арасында ярым изоляцион кремний карбид субстратында галий нитрид эпитаксиаль катламның үсеше гетероген эпитакси дип атала; үткәргеч кремний карбид субстрат өслегендә кремний карбид эпитаксиаль катламының үсеше бер тигез эпитакси дип атала.
Эпитаксиаль төп функциональ катлам үсешенең җайланма дизайн таләпләренә туры килә, күбесенчә чип һәм җайланманың эшләвен билгели, бәясе 23%. Бу этапта SiC нечкә фильм эпитаксының төп ысуллары: химик пар парламенты (CVD), молекуляр нур эпитаксы (MBE), сыек фаза эпитакси (LPE), һәм лазерлы чүпләү һәм сублимация (PLD).
Эпитакси - бөтен тармакта бик критик бәйләнеш. Ярым изоляцион кремний карбид субстратларында GaN эпитаксиаль катламнарын үстереп, кремний карбидына нигезләнгән GaN эпитаксиаль вафлары җитештерелә, алар алга таба югары электрон хәрәкәт транзисторлары (HEMT) кебек GaN RF җайланмаларына ясалырга мөмкин;
Кремний карбид эпитаксиаль катламны кремний карбид эпитаксиаль вафер алу өчен үткәргеч субстратта үстереп, һәм Шоттки диодлары, алтын-кислород ярым кыр эффект транзисторлары, изоляцияләнгән капка биполяр транзисторлары һәм башка электр приборлары җитештерүдә эпитаксиаль сыйфат бик зур роль уйный.
Диаграмма
