6 дюймнан 8 дюймга кадәр LN-on-Si композит субстраты Калынлыгы 0,3-50 мкм Si/SiC/Саффир материаллары

6 дюймнан 8 дюймга кадәр LN-on-Si композит субстраты Калынлыгы 0,3-50 мкм Si/SiC/Саффир Материаллар Күрсәтелгән рәсем

Кыскача тасвирлама:

6 дюймнан 8 дюймга кадәрге LN-on-Si композит субстраты - монокристалл литий ниобаты (LN) юка пленкаларын кремний (Si) субстратлары белән берләштергән югары нәтиҗәле материал, аның калынлыгы 0,3 мкмнан 50 мкмга кадәр. Ул алдынгы ярымүткәргеч һәм оптоэлектрон җайланмалар ясау өчен эшләнгән. Алдынгы бәйләнеш яки эпитаксиаль үстерү ысулларын кулланып, бу субстрат LN юка пленкасының югары кристалл сыйфатын тәэмин итә, шул ук вакытта җитештерү нәтиҗәлелеген һәм чыгымнарны киметү өчен кремний субстратының зур пластина зурлыгын (6 дюймнан 8 дюймга кадәр) файдалана.
Гадәти күпләп җитештерелгән LN материаллары белән чагыштырганда, 6 дюймнан 8 дюймга кадәр LN-on-Si композит субстраты югары температура туры килүен һәм механик тотрыклылыкны тәэмин итә, бу аны зур күләмле пластина дәрәҗәсендә эшкәртү өчен яраклы итә. Моннан тыш, югары ешлыклы RF җайланмалары, интегральләштерелгән фотоника һәм MEMS сенсорлары кебек махсус куллану таләпләренә туры килерлек итеп SiC яки сапфир кебек альтернатив төп материалларны сайларга мөмкин.

Безгә электрон почта җибәрегез

Үзенчәлекләр

Техник параметрлар

Изоляторларда 0,3-50 мкм LN/LT
Өске катлам
Диаметр	6-8 дюйм
Ориентация	X, Z, Y-42 һ.б.
Материаллар	ЛТ, ЛН
Калынлыгы	0,3-50 мкм
Субстрат (шәхси рәвештә эшләнгән)
Материал	Si, SiC, Сапфир, Шпинель, Кварц

Төп үзенчәлекләр

6 дюймнан 8 дюймга кадәр LN-on-Si композит субстраты үзенең уникаль материал үзенчәлекләре һәм көйләнерлек параметрлары белән аерылып тора, бу ярымүткәргеч һәм оптоэлектроника сәнәгатендә киң куллану мөмкинлеген бирә:

1. Зур пластиналар белән туры килүчәнлек: 6 дюймнан 8 дюймга кадәр пластина зурлыгы гамәлдәге ярымүткәргеч җитештерү линияләре (мәсәлән, CMOS процесслары) белән өзлексез интеграцияне тәэмин итә, җитештерү чыгымнарын киметә һәм күпләп җитештерү мөмкинлеген бирә.

2. Югары кристалл сыйфаты: Оптимальләштерелгән эпитаксиаль яки бәйләү ысуллары LN юка пленкасында түбән кимчелек тыгызлыгын тәэмин итә, бу аны югары җитештерүчән оптик модуляторлар, өслек акустик дулкын (SAW) фильтрлары һәм башка төгәл җайланмалар өчен идеаль итә.

3. Көйләнә торган калынлык (0,3–50 мкм): Ультра нечкә LN катламнары (<1 мкм) интегральләштерелгән фотоник чиплар өчен яраклы, ә калынрак катламнар (10–50 мкм) югары куәтле RF җайланмаларын яки пьезоэлектрик сенсорларны хуплый.

4. Күп төрле субстрат вариантлары: Si-дан тыш, югары ешлыклы, югары температуралы яки югары куәтле кушымталар таләпләрен канәгатьләндерү өчен төп материаллар буларак SiC (югары җылылык үткәрүчәнлеге) яки сапфир (югары изоляция) сайларга мөмкин.

5. Җылылык һәм механик тотрыклылык: Кремний нигезе ныклы механик ярдәм күрсәтә, эшкәртү вакытында кәкреләнүне яки ярылуны минимальләштерә һәм җайланманың нәтиҗәлелеген яхшырта.

Бу үзенчәлекләр 6 дюймнан 8 дюймга кадәр LN-on-Si композит субстратын 5G элемтәсе, LiDAR һәм квант оптикасы кебек алдынгы технологияләр өчен өстенлекле материал итеп билгели.

Төп кушымталар

6 дюймнан 8 дюймга кадәр LN-on-Si композит субстраты, электро-оптик, пьезоэлектрик һәм акустик үзлекләре аркасында, югары технологияле тармакларда киң кулланыла:

1. Оптик элемтә һәм интегральләштерелгән фотоника: югары тизлекле электро-оптик модуляторларны, дулкын үткәргечләрне һәм фотоник интеграль схемаларны (PIC) кулланырга мөмкинлек бирә, мәгълүмат үзәкләренең һәм оптик җепселле челтәрләрнең полоса киңлеге таләпләрен канәгатьләндерә.

2.5G/6G RF җайланмалары: LN-ның югары пьезоэлектрик коэффициенты аны өслек акустик дулкын (SAW) һәм күләм акустик дулкын (BAW) фильтрлары өчен идеаль итә, 5G база станцияләрендә һәм мобиль җайланмаларда сигнал эшкәртүне яхшырта.

3. MEMS һәм сенсорлар: LN-on-Si-ның пьезоэлектрик эффекты медицина һәм сәнәгать кушымталары өчен югары сизгерлекле акселерометрларны, биосенсорларны һәм ультратавышлы үзгәрткечләрне кулланырга мөмкинлек бирә.

4. Квант технологияләре: Сызыклы булмаган оптик материал буларак, LN юка пленкалары квант яктылык чыганакларында (мәсәлән, эләккән фотон парларында) һәм интегральләштерелгән квант чипларында кулланыла.

5. Лазерлер һәм сызыклы булмаган оптика: Ультрафиолет LN катламнары лазер эшкәртү һәм спектроскопик анализ өчен нәтиҗәле икенче гармоник генерация (SHG) һәм оптик параметрик тирбәнеш (OPO) җайланмаларын кулланырга мөмкинлек бирә.

Стандартлаштырылган 6 дюймнан 8 дюймга кадәр LN-on-Si композит субстраты бу җайланмаларны зур күләмле пластина фабрикаларында җитештерергә мөмкинлек бирә, җитештерү чыгымнарын сизелерлек киметә.

Үзгәртү һәм хезмәтләр

Без төрле фәнни-тикшеренү һәм җитештерү ихтыяҗларын канәгатьләндерү өчен 6 дюймнан 8 дюймга кадәр LN-on-Si композит субстрат өчен комплекслы техник ярдәм һәм көйләү хезмәтләрен күрсәтәбез:

1. Заказ буенча җитештерү: LN пленка калынлыгы (0,3–50 мкм), кристалл ориентациясе (X-кисем/Y-кисем) һәм нигез материалы (Si/SiC/сапфир) җайланма эшчәнлеген оптимальләштерү өчен көйләнергә мөмкин.

2. Вафли дәрәҗәсендә эшкәртү: 6 дюймлы һәм 8 дюймлы вафлиларны күпләп китерү, шул исәптән ваклау, ялтырату һәм каплау кебек хезмәтләр, нигезләрнең җайланмаларны интеграцияләү өчен әзер булуын тәэмин итү.

3. Техник консультация һәм сынау: Материалларның характеристикасын билгеләү (мәсәлән, XRD, AFM), электро-оптик эшчәнлекне сынау һәм конструкцияне валидацияләүне тизләтү өчен җайланма симуляциясен хуплау.

Безнең максат - оптоэлектрон һәм ярымүткәргеч кушымталар өчен төп материал чишелеше буларак 6 дюймнан 8 дюймга кадәр LN-on-Si композит субстратын булдыру, фәнни-тикшеренү һәм эшләнмәләрдән алып массакүләм җитештерүгә кадәр тулы ярдәм күрсәтү.

Йомгак

Зур пластина зурлыгы, югары сыйфатлы материал һәм күпкырлылыгы белән 6 дюймнан 8 дюймга кадәр LN-on-Si композит субстраты оптик элемтә, 5G RF һәм квант технологияләре өлкәсендә алга китешне этәргеч бирә. Зур күләмле җитештерү яки шәхси чишелешләр өчен без технологик инновацияләрне көчәйтү өчен ышанычлы субстратлар һәм өстәмә хезмәтләр күрсәтәбез.