6 дюйм-8 дюйм LN-on-Si Композит субстрат калынлыгы 0,3-50 мм Si / SiC / Сапфир материаллары

6 дюйм-8 дюйм LN-on-Si Композит субстрат калынлыгы 0,3-50 мм Si / SiC / Сапфир материаллар үзенчәлекле рәсем

Кыска тасвирлау:

6 дюймнан 8 дюймга кадәр LN-on-Si композицион субстрат - югары критик кристалл литий ниобат (LN) нечкә фильмнарны кремний (Si) субстратлары белән берләштерә, калынлыгы 0,3 ммнан 50 мм га кадәр. Ул алдынгы ярымүткәргеч һәм оптоэлектрон җайланма ясау өчен эшләнгән. Алга киткән бәйләнеш яки эпитаксиаль үсеш техникасын кулланып, бу субстрат LN нечкә пленкасының югары кристалл сыйфатын тәэмин итә, шул ук вакытта кремний субстратының зур вафер зурлыгын (6 дюймнан 8 дюймга кадәр) җитештерү нәтиҗәлелеген һәм чыгым эффективлыгын арттыру өчен.
Гадәттәге күпчелек LN материаллары белән чагыштырганда, 6 дюймнан 8 дюймга кадәр LN-on-Si композицион субстрат өстен җылылык туры килүен һәм механик тотрыклылыгын тәкъдим итә, бу зур масштаблы эшкәртү өчен яраклы. Өстәвенә, SiC яки сапфир кебек альтернатив база материаллары махсус кушымта таләпләренә туры китереп сайланырга мөмкин, шул исәптән югары ешлыктагы RF җайланмалары, интеграль фотоника һәм MEMS сенсорлары.

Безгә электрон почта җибәрегез

Продукциянең детальләре

Продукция тэглары

Техник параметрлар

Изоляторларда 0,3-50μm LN / LT
Topгары катлам
Диаметр	6-8 дюйм
Ориентация	X, Z, Y-42 һ.б.
Материаллар	ЛТ, ЛН
Калынлык	0,3-50μм
Субстрат （ized Customized）
Материал	Si, SiC, Sapphire, Spinel, Кварц

Төп үзенчәлекләр

6 дюймнан 8 дюймга кадәр LN-on-Si композицион субстрат уникаль материал үзенчәлекләре һәм көйләнә торган параметрлары белән аерылып тора, ярымүткәргеч һәм оптоэлектрон тармакларда киң куллану мөмкинлеген бирә:

1. Зур ваферның туры килүе: 6 дюймнан 8 дюймга кадәр булган вафер зурлыгы ярымүткәргеч җитештерү линияләре белән (мәсәлән, CMOS процесслары), интеграцияләнүне тәэмин итә, җитештерү чыгымнарын киметә һәм массакүләм җитештерү мөмкинлеген бирә.

2. Cryгары кристалл сыйфаты: Оптимальләштерелгән эпитаксиаль яки бәйләү техникасы LN нечкә пленкасында кимчелекнең тыгызлыгын тәэмин итә, аны югары җитештерүчән оптик модульаторлар, өслек акустик дулкыны (SAW) фильтрлары һәм башка төгәл җайланмалар өчен идеаль итә.

3. Көйләнә торган калынлык (0,3–50 мм): Ультратин LN катламнары (<1 μm) интеграль фотоник чиплар өчен яраклы, калынрак катламнар (10–50 мм) югары көчле RF җайланмалары яки пиезоэлектрик сенсорлар ярдәмендә.

4. Күп тапкыр субстрат вариантлары: Si-тан өстәп, SiC (югары җылылык үткәрүчәнлеге) яки сапфир (югары изоляция) югары ешлыклы, югары температуралы яки югары көчле кушымталар таләпләрен канәгатьләндерү өчен төп материал итеп сайланырга мөмкин.

5.Термаль һәм механик тотрыклылык: Кремний субстрат ныклы механик ярдәм күрсәтә, эшкәртү һәм җайланма җитештерүчәнлеген яхшырту вакытында ватылуны яки ярылуны киметә.

Бу атрибутлар 6 дюймнан 8 дюймга кадәр LN-on-Si композицион субстратны 5G элемтә, LiDAR, квант оптикасы кебек заманча технологияләр өчен өстенлекле материал итеп урнаштыралар.

Төп кушымталар

6 дюймнан 8 дюймга кадәр LN-on-Si композицион субстрат югары технологияле тармакларда киң кулланыла, аның электро-оптик, пиезоэлектрик һәм акустик үзенчәлекләре аркасында:

1. Оптик элемтә һәм интеграль фотоника: югары тизлекле электро-оптик модульаторларга, дулкынландыргычларга, һәм фотоник интеграль схемаларга (PIC) мәгълүмат үзәкләренең һәм оптик-оптик челтәрләрнең киңлек киңлеген таләп итә.

2.5G / 6G RF җайланмалары: LNның югары пиезоэлектрик коэффициенты аны өслек акустик дулкыны (SAW) һәм күпчелек акустик дулкын (BAW) фильтрлары өчен идеаль итә, 5G база станцияләрендә һәм мобиль җайланмаларда сигнал эшкәртүен көчәйтә.

3.MEMS һәм сенсорлар: LN-on-Si пиезоэлектрик эффекты медицина һәм сәнәгать кушымталары өчен югары сизгерлек акселерометрларын, биосенсорларны һәм УЗИ трансдуктерларын җиңеләйтә.

4.Квант технологияләре: сызыксыз оптик материал буларак, LN нечкә фильмнар квант яктылык чыганакларында (мәсәлән, бәйләнгән фотон парлары) һәм интеграль квант чипларында кулланыла.

5. Лазерлар һәм сызыксыз оптика: Ultrathin LN катламнары эффектив икенче гармоник буын (SHG) һәм лазер эшкәртү һәм спектроскопик анализ өчен оптик параметрик осылу (OPO) җайланмаларын тәэмин итә.

Стандартлаштырылган 6 дюймнан 8 дюймга кадәр LN-on-Si композицион субстрат бу җайланмаларга зур масштаблы вафаларда җитештерергә мөмкинлек бирә, җитештерү чыгымнарын сизелерлек киметә.

Custзенчәләштерү һәм хезмәтләр

Төрле фәнни-тикшеренү һәм җитештерү ихтыяҗларын канәгатьләндерү өчен без 6 дюймнан 8 дюймга кадәр LN-on-Si композицион субстратына комплекслы техник ярдәм күрсәтәбез.

1.Костом җитештерү: LN пленка калынлыгы (0,3–50 мм), кристалл ориентация (X-кисү / Y-кисү), һәм субстрат материал (Si / SiC / сапфир) җайланманың эшләвен оптимальләштерү өчен эшләнергә мөмкин.

2.Wafer-Level эшкәртү: 6 дюйм һәм 8 дюймлы ваферлар белән тәэмин итү, шул исәптән бәяләү, бизәү, каплау кебек арткы хезмәтләр, субстратларның җайланма интеграциясенә әзер булуын тәэмин итү.

3.Техник консультация һәм тест: Материаль характеристика (мәсәлән, XRD, AFM), электро-оптик эшне сынау, дизайн тикшерүне тизләтү өчен җайланма симуляциясе ярдәме.

Безнең бурычыбыз - оптоэлектрон һәм ярымүткәргеч кушымталар өчен төп материал чишелеше буларак 6 дюймнан 8 дюймга кадәр LN-on-Si композицион субстрат булдыру, R&D-ның массакүләм производствосына кадәр ярдәм күрсәтү.

Йомгаклау

6 дюймнан 8 дюймга кадәр LN-on-Si композицион субстрат, зур вафер зурлыгы, материаль сыйфаты һәм күпкырлылыгы белән, оптик элемтә, 5G RF, квант технологияләрендә алга китеш. Volumeгары күләмле җитештерү яки махсуслаштырылган чишелешләр өченме, без технологик инновацияләрне көчәйтү өчен ышанычлы субстратлар һәм өстәмә хезмәтләр күрсәтәбез.