6INch 150mm Кремний Карбид SiC Wafers 4H-N тибы MOS яки SBD җитештерү тикшеренүләре һәм Dummy класс өчен

6INch 150mm Кремний Карбид SiC Wafers 4H-N тибы MOS яки SBD җитештерү тикшеренүләре һәм Dummy класслы Рәсем

Кыска тасвирлау:

6 дюймлы кремний карбид бер кристалл субстрат - югары физик һәм химик үзенчәлекләргә ия югары җитештерүчән материал. Highгары чисталык кремний карбид бер кристалл материалдан эшләнгән, ул югары җылылык үткәрүчәнлеген, механик тотрыклылыгын һәм югары температурага каршы торуын күрсәтә. Төгәл җитештерү процесслары һәм югары сыйфатлы материаллар белән ясалган бу субстрат төрле өлкәләрдә югары эффектив электрон җайланмалар ясау өчен өстенлекле материалга әйләнде.

Безгә электрон почта җибәрегез

Продукциянең детальләре

Продукция тэглары

Куллану кырлары

6 дюймлы кремний карбид бер кристалл субстрат күп тармакларда мөһим роль уйный. Беренчедән, ул ярымүткәргеч тармагында электр транзисторлары, интеграль схемалар, электр модуллары кебек югары көчле электрон җайланмалар ясау өчен киң кулланыла. Аның югары җылылык үткәрүчәнлеге һәм югары температурага каршы торуы яхшырак җылылык таратырга мөмкинлек бирә, нәтиҗәдә эффективлык һәм ышанычлылык яхшыра. Икенчедән, кремний карбид ваферлары яңа материаллар һәм приборлар эшләү өчен тикшеренү өлкәләрендә бик мөһим. Моннан тыш, кремний карбид вафаты оптоэлектроника өлкәсендә киң кулланмалар таба, шул исәптән светофорлар һәм лазер диодлары җитештерү.

Продукт үзенчәлекләре

6 дюймлы кремний карбид бер кристалл субстратның диаметры 6 дюйм (якынча 152,4 мм). Surfaceир өслегенең тупаслыгы Ра <0,5 нм, калынлыгы 600 ± 25 мм. Субстрат клиент таләпләренә нигезләнеп N-тип яки P тибындагы үткәрүчәнлек белән көйләнергә мөмкин. Моннан тыш, ул басымга һәм тибрәнүгә каршы тора алырлык гаҗәеп механик тотрыклылык күрсәтә.

Диаметр		150 ± 2,0 мм （6инч）
Калынлык		350 μm ± 25μm
Ориентация		Axis <0001> ± 0,5 ° күчәрендә		Октан off 4.0 ° 1120 ± 0,5 ° ка
Политип		4H
Каршылык (Ω · см)	4H-N	0.015 ~ 0.028 Ω · см / 0.015 ~ 0.025охм · см
	4 / 6H-SI	> 1E5
Беренчел яссы юнәлеш		{10-10} .0 5.0 °
Беренчел яссы озынлык (мм)		47,5 мм ± 2,5 мм
Кыр		Чамфер
TTV / Bow / Warp (um)		≤15 / ≤40 / ≤60
AFM фронты (Si-face)		Поляк Ra≤1 nm
		CMP Ra≤0.5 nm
ЛТВ		≤3μm (10 мм * 10 мм)	≤5μm (10 мм * 10 мм)		≤10μm (10 мм * 10 мм)
TTV		≤5μm	≤10μm		≤15μm
Алсу кабыгы / чокырлар / ярыклар / пычрану / таплар / стриацияләр		Беркем дә юк	Беркем дә юк		Беркем дә юк
күрсәткечләр		Беркем дә юк	Беркем дә юк		Беркем дә юк

6 дюймлы кремний карбид бер кристалл субстрат - ярымүткәргеч, тикшеренүләр, андоптоэлектроника өлкәсендә киң кулланылган югары җитештерүчән материал. Ул искиткеч җылылык үткәрүчәнлеген, механик тотрыклылыкны, һәм югары температурага каршы торуны тәкъдим итә, югары көчле электрон җайланмалар ясау һәм яңа материал тикшерү өчен яраклы итә. Без клиентларның төрле таләпләрен канәгатьләндерү өчен төрле спецификацияләр һәм көйләү вариантларын тәкъдим итәбез.Кремний карбид ваферлары турында тулырак мәгълүмат алу өчен безнең белән элемтәгә керегез!