6 дюймлы GaN-On-Sapphire
Кремний/Сафир/SiC өстендә 150 мм 6 дюймлы GaN Эпикатламлы пластина Галлий нитриды эпитаксиаль пластина
6 дюймлы сапфир субстрат пластинасы - сапфир субстратында үстерелгән галлий нитриды (GaN) катламнарыннан торган югары сыйфатлы ярымүткәргеч материал. Бу материал электрон транспортның бик яхшы үзлекләренә ия һәм югары куәтле һәм югары ешлыклы ярымүткәргеч җайланмалар җитештерү өчен идеаль.
Җитештерү ысулы: Җитештерү процессы металл-органик химик пар белән каплау (MOCVD) яки молекуляр нур эпитаксисы (MBE) кебек алдынгы ысулларны кулланып, сапфир субстратында GaN катламнарын үстерүне үз эченә ала. Каплау процессы югары кристалл сыйфатын һәм бердәм пленканы тәэмин итү өчен контрольдә тотылган шартларда башкарыла.
6 дюймлы GaN-On-Sapphire кулланылышлары: 6 дюймлы сапфир чиплары микродулкынлы элемтәдә, радар системаларында, сымсыз технологияләрдә һәм оптоэлектроникада киң кулланыла.
Кайбер киң таралган кушымталар түбәндәгеләрне үз эченә ала
1. Радиоелемтәтле көчәйткеч
2. LED яктырту сәнәгате
3. Чыбыксыз челтәр элемтә җиһазлары
4. Югары температуралы мохиттә электрон җайланмалар
5. Оптоэлектрон җайланмалар
Продукциянең спецификацияләре
- Зурлыгы: Субстрат диаметры 6 дюйм (якынча 150 мм).
- Өслек сыйфаты: Көзге сыйфаты югары булсын өчен, өслек нечкә итеп ялтыратылган.
- Калынлык: GaN катламының калынлыгын билгеле бер таләпләргә туры китереп көйләргә мөмкин.
- Упаковка: Ташу вакытында зыян килмәсен өчен, субстрат антистатик материаллар белән җентекләп төрелгән.
- Читләрен урнаштыру: Субстратның җайланманы әзерләү вакытында тигезләүне һәм эшләүне җиңеләйтүче махсус урнаштыру читләре бар.
- Башка параметрлар: Нечкәлек, каршылык һәм легирлау концентрациясе кебек конкрет параметрлар клиент таләпләренә туры китереп көйләнергә мөмкин.
Югары сыйфатлы материал үзлекләре һәм төрле кулланылышлары белән, 6 дюймлы сапфир субстрат пластиналары төрле тармакларда югары җитештерүчән ярымүткәргеч җайланмалар эшләү өчен ышанычлы сайлау булып тора.
| Субстрат | 6” 1мм <111> p-тип Si | 6” 1мм <111> p-тип Si |
| Epi ThickAvG (Уртача калынлык) | ~5 мкм | ~7 мкм |
| Epi ThickUnif | <2% | <2% |
| Баш | +/-45 мкм | +/-45 мкм |
| Ярылу | <5 мм | <5 мм |
| Вертикаль BV | >1000В | >1400В |
| HEMT Al% | 25-35% | 25-35% |
| HEMT калынлыгыУртача | 20-30нм | 20-30нм |
| Insitu SiN капкачы | 5-60 нм | 5-60 нм |
| 2DEG концепциясе. | ~1013cm-2 | ~1013cm-2 |
| Хәрәкәтчәнлек | ~2000 см2/Vs (<2%) | ~2000 см2/Vs (<2%) |
| Rsh | <330 Ом/кв (<2%) | <330 Ом/кв (<2%) |
җентекле схема
